石墨烯增强SiC/Al界面结合的第一性原理研究
摘要:为改善SiC/Al 界面结合强度,在其界面处引入石墨烯中间层作为增强相。采用第一性原理计算方法,建立了18 种Al/单层石墨烯/SiC(0001)-Si 和Al/双层石墨烯/SiC(0001)-Si 界面模型,分别研究单层石墨烯和双层石墨烯增强SiC/Al 的界面结合情况。结果表明:石墨烯增强后的SiC/Al 界面具有强界面特征,界面处Si 原子和Al 原子与石墨烯层C原子均以共价键与离子键的混合形式成键。其中,双层石墨烯增强SiC/Al 界面分离功最大值为6.23 J/m2,界面间距为2.15 Å;而单层石墨烯增强SiC/Al 界面最大值仅为4.41 J/m2,界面间距为2.15 Å。这表明双层石墨烯比单层石墨烯更能有效改善SiC/Al 界面润湿性,显著增强SiC/Al界面结合强度。
