透明导电材料研究进展

张聪1,2，梁柄权1,2，王晓峰1,2，陈新亮1,2，侯国付1,2，赵颖1,2，张晓丹1,2（１南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;２南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室）

摘要：近年来，透明导电材料（Transparent conductive materials，TCM）作为触摸屏、液晶显示器LCD）、智能窗、太阳电池（Solar cells）、发光二极管（ＬＥＤ）等先进光电子器件中的关键组件，其作用尤其重要。氧化铟锡（ITO）薄膜具有优异的光学和电学性能，是光电器件中应用广泛的透明导电材料。然而，铟元素的稀缺性、易碎性以及沉积过程中对底层薄膜的潜在损坏限制了其在未来新型光电子器件中的应用。开发适应高性能光电器件应用的ＴＣＭ 成为当前研究的重点。本文综述了透明导电氧化物、超薄金属和金属网格、介质层／金属／介质层（Dielectric/metal/dielectric，DMD）、碳纳米管和石墨烯等类型的TCM光电性能、应用领域、近年来相应的研究策略和重要成果、面临的挑战以及未来发展方向。

关键词：透明导电材料，透明导电氧化物，超薄金属和金属网格，纳米材料