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第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状

第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状

摘要：近年来，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展，已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点。抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期，实现半导体材料、器件、封装模块和系统开发的自主可控，对保障工业创新体系的可持续发展至关重要。在分析第三代宽禁带功率半导体重要战略意义的基础上，综述了其材料、器件研发和产业的发展现状，阐述了碳化硅及氮化镓器件在当前环境下的应用成果，剖析了第三代半导体行业存在的关键问题。建议在国家政策的进一步领导之下，发挥行业协会和产业联盟的桥梁和纽带作用，对衬底材料、外延材料、芯片与器件设计和制造工艺等产业链各环节进行整体支撑，引导各环节间实现资源共享、强强联合，上下游互相拉动和促进，形成一个布局合理、结构完整的产业链。
光电 2024年05月14日
微电子封装用芯片散热界面材料研究进展

微电子封装用芯片散热界面材料研究进展

摘要：热界面材料是保证芯片正常工作必须采用的关键材料，其目的是高效导出芯片服役过程中不断产生的大量热量。本文详细介绍了热界面材料的分类和组成；分别归纳和评述了两类热界面材料的制备技术、核心性能和最新研究成果；针对热界面材料服役过程中出现的问题，阐述了热界面材料的导热机理和芯片散热效率测量方法。移动端电子产品的芯片散热界面材料正朝着高热导率、轻量化、制造与使用全程环保等方向发展。
光电 2026年06月30日
基于神经网络的多朝向LED可见光定位

基于神经网络的多朝向LED可见光定位

摘要：为改善基于传统定位算法的多朝向LED 可见光定位（MD-VLP）系统的定位性能，提出一种基于接收信号强度比率值（RSSR）的神经网络方法。此方法采用单个光电检测器（PD）接收来自同一位置的多个不同朝向的LED光强，继而将RSSR 代入人工神经网络模型来估计平面坐标。实验结果表明，所提方法在PD处于水平时平均定位误差为2.96 cm，在PD倾斜15°时平均定位误差为5.51 cm，其性能相比于基于RSSR的最小二乘法有显著提高。此外，为了验证所提方法的普适性，仿真分析了两种非朗伯辐射光源构成的多朝向LED集成灯具的定位性能，仿真结果显示，所提方法分别获得了3.70 cm和6.22 cm的平均定位误差，并支持PD适度倾斜。进一步地，设计了一款采用多朝向非朗伯辐射面状光源的VLP集成灯具，实验结果表明，所提方法在PD处于水平或适度倾斜状态时仍能有效工作。
光电 2025年08月03日
引线框架用铜带产品现状及研发进展

引线框架用铜带产品现状及研发进展

摘要: 文章综合论述了电子引线框架铜带产品的现状，分析了国内产品普遍存在的质量问题及解决方向，指出了新一代及新型框架铜带的研发进展。
光电 2024年04月28日
钨青铜纳米材料的制备及其在电致变色领域的研究进展

钨青铜纳米材料的制备及其在电致变色领域的研究进展

摘要：电致变色是指在外加电场作用下，材料发生可逆光学性质变化的一种现象，基于该技术的电致变色器件在智能窗、节能显示等领域具有广阔的应用前景，可助力我国“双碳”战略目标的实现。钨青铜纳米材料因其原料丰富、开放的框架结构、丰富的离子传输路径和晶体结构，是一种极具潜力的电致变色材料。基于该材料制备的电致变色器件具有对比度高、光谱调制范围广、响应时间快和循环稳定性优异等特点，在智能窗和建筑节能领域展现了巨大的潜力。本论文综述了钨青铜纳米材料的结构特点和制备合成工艺，总结了近年来钨青铜纳米材料在电致变色领域的国内外研究进展，并对其未来发展方向和应用前景进行了展望。
光电 2026年04月30日
OLED产业化历程与问题分析

OLED产业化历程与问题分析

摘要：OLED技术以其自发光性能被认为具有轻薄、可柔性、高对比度、快速响应、高色域、宽视角、低功耗、低成本等优势。在手机上开始大规模应用后，历经10 多年时间虽然规模大幅提升，但其他应用仍未有太多进展。本文通过对OLED已量产方案的性能分析以及与LCD的对比，发现一方面预期的OLED性能优势在产品上没有完全发挥，另一方面现有技术方案已经在设计和工艺上趋于极致。因此在向更大尺寸其他应用拓展方面，OLED必须在设计和工艺技术上有较大突破。
光电 2024年05月13日
我国新一代信息技术产业发展回顾与展望

我国新一代信息技术产业发展回顾与展望

摘要：新一代信息技术产业是国民经济的战略性、基础性和先导性产业，是建设制造强国、实现高质量发展的重要支撑。本文基于详实的数据，从产业规模、产业结构、创新能力和融合应用四方面，全面梳理了2015—2025 年我国新一代信息技术产业的总体进展和成绩。与此同时，结合制造强国战略中确定的重点发展领域，细化分析了我国在通过应用牵引、产业协同等方式加快新一代信息技术产业发展的具体实践，着重对核心零部件自给不足、集成电路先进工艺滞后、高端软件受制于人等短板问题进行了分析。展望未来十年，我国新一代信息技术产业将以支撑新型工业化为核心目标，聚焦创新引领、供应链韧性、全域渗透、开放共赢四大方向，采取重大战略部署、多策并举推进等方式，重点突破第六代移动通信、人工智能、量子信息等前沿技术，全力攻克高端芯片、核心软件、关键装备等“卡脖子”环节，加快推进新一代信息技术向经济社会全域渗透，深化数实融合，为中国式现代化提供强劲动能。
光电 2026年06月22日
热管理用氮化硅陶瓷热导率影响因素及改善途径

热管理用氮化硅陶瓷热导率影响因素及改善途径

摘要：随着电子功率器件向高电压、大电流、高功率密度发展，其在运行过程中会产生更多的热量，承受更大的热应力，这就对器件用陶瓷基板的散热性能及可靠性提出了更高的要求。传统陶瓷基板如氧化铝(热导率低)、氮化铝(力学性能差)已难以满足大功率器件要求。氮化硅陶瓷由于兼具较高的理论热导率与优异的力学性能而成为大功率器件用陶瓷基板的首选材料。但是氮化硅陶瓷的实际热导率与理论值尚存在较大差距，晶格氧含量是主要影响因素。另外，氮化硅陶瓷在制备过程中需要引入适宜的烧结助剂，由烧结助剂引入而引起氮化硅陶瓷显微结构（致密度、晶粒形貌、晶界相含量与分布及平均晶界薄膜厚度等)的变化也会影响其热导率。氮化硅陶瓷显微结构的演变又与其成型技术、烧结工艺密切相关。降低晶格氧含量，减少晶界相，获得具有由细小晶粒与大长柱状晶粒组成的双峰结构是获得高导热氮化硅陶瓷的关键。本文从氮化硅结构与热学性质入手，对晶格氧与显微结构对氮化硅陶瓷热导率的影响作用机制进行了讨论，从原料粉体、烧结助剂、烧结工艺、结构织构化4个方面对氮化硅陶瓷中晶格氧的调控作用、显微结构的演变过程及热导率的强化机理进行了阐述，对高导热氮化硅陶瓷发展现状及面临的挑战进行了探讨，最后对高导热氮化硅陶瓷未来发展前景进行了展望。
光电 2025年07月23日
微细线材微型电阻焊技术研究进展

微细线材微型电阻焊技术研究进展

摘要：随着微机电系统、电子元件、医疗器件不断向小型化和高性能方向发展，微细线材的微型电阻焊工艺应用越来越广泛和重要。从微型电阻焊的原理和主要工艺参数出发，综述了近些年来国内外微细线材微型电阻焊技术的研究状况，重点总结了工艺、连接机理和焊接过程数值仿真方面的研究进展，同时介绍了该技术在电子封装和医疗器械领域的应用。最后展望了该领域未来的主要研究方向和发展前景。微型电阻焊设备的开发、焊接工艺机理的研究、异种金属材料的焊接、焊接仿真模型的构建和焊接过程的质量监控仍是当下及未来的研究热点。
光电 2024年04月28日
新环保绝缘气体应用于高压电气设备的研究进展

新环保绝缘气体应用于高压电气设备的研究进展

摘要：本文综述了国内外关于新环保绝缘气体的研究进展，重点围绕国际主流推广的全氟异丁腈（C4F7N）气体及其在电气设备中的应用，总结了C4F7N混合气体的间隙、沿面绝缘特性并提出了相关设备绝缘的设计依据，分析了其在不同工况下的分解特性与气-固相容性评价指标，介绍了C4F7N及其混合气体灭弧性能的研究进展和系列环保设备的研发及应用情况，为当前阶段SF6电气设备环保化升级提供理论参考。同时指出目前国内外仍在开展性能优异的新环保绝缘气体研发攻关，为绿色低碳电网建设提供技术支撑。
光电 2026年04月27日