砷化镓衬底加工技术研究及其新发展
摘要：第二代半导体砷化镓（ＧａＡｓ）材料是衬底外延生长和器件制备的基础材料，其晶片表面要求超光滑、无表面／亚表面损伤和低的残余应力等，且其表面平坦化质量决定了后续外延层的质量，并最终影响相关器件的性能。通过归纳分析砷化镓单晶材料的本征特性及其切割、磨边、研磨、抛光等技术的研究进展，对砷化镓超光滑平坦化加工技术未来的研究方向进行展望。
光电功能晶体材料研究进展
摘要: 光电功能晶体, 包括激光晶体、非线性光学晶体、电光晶体、介电体超晶格、闪烁晶体和PMN-PT 驰豫电单晶等,在高技术发展中具有不可替代的重要作用。近年来, 我国在这些重要晶体材料的生长、基础研究和应用方面都获得了很大成绩。综述了光电功能晶体材料研究和应用的部分进展。在此基础上, 提出进一步发展晶体理论, 扩大理论的应用范围, 注重晶体生长基本理论研究, 发展新的晶体生长方法和技术, 加强晶体生长设备研制, 加强晶体从原料到加工、后处理、检测及镀膜等全过程的结合等建议, 以全面提高我国光电功能晶体研究发展及其产业化水平。
脑机接口柔性电极材料研究进展
摘要：脑机接口作为人机交互的一个重要方向，在医疗健康、体能增效、航空航天、智能交通、娱乐游戏等领域具有广泛的应用价值。柔性电极是脑机接口的重要组成，也是脑机接口技术实现的关键。近年来，各种以脑机接口为需求背景的柔性电极材料不断涌现。对非侵入式、侵入式和半侵入式等３类脑机接口柔性电极材料的研究进展进行归纳和总结，对存在的问题和挑战进行分析，并对各种柔性电极材料在脑机接口领域的应用前景进行展望。
高端精密超薄均热板研究现状及发展趋势
摘要：超薄均热板广泛应用于移动电子产品，随着5G 产品的普及，电子产品功率器件的热流密度越来越大，超薄均热板成了移动电子产品导热的关键器件。综述了当前超薄均热板的发展现状，以及超薄均热板研究过程中遇到的问题。还论述了未来超薄均热板的发展方向是轻质材料和新的制造工艺应用，轻质材料超薄均热板在未来将取代铜质均热板，届时移动电子产品将迎来散热器的升级换代。
超高密度光存储研究进展
摘要：当前，全球数据量正处在爆发增长阶段，为光存储领域带来巨大的发展机遇，然而传统光存储技术的密度受衍射限制，难以满足海量数据的存储需求。为了提升光存储密度，一方面开发了三维空间、偏振、波长等参数为主的多维信息复用技术，另一方面随着纳米技术的发展可突破衍射极限实现超分辨纳米信息存储。本文介绍了超高密度光存储领域的发展现状，分别总结了多维信息复用技术和超分辨光存储技术的代表性成果，梳理不同技术方案可提升存储密度的理论极限，此外，介绍了本课题组基于双光束超分辨光存储技术实现单盘Pb 量级的最新研究进展，最后展望了超高密度光存储面向大数据应用的挑战和发展趋势。
电缆屏蔽材料的种类及应用
摘要：介绍了金属丝编织防波套、金属复合带、半导电高分子材料、电化学镀屏蔽膜和导电涂料等电缆屏蔽材料的组成、结构、制造工艺、特点、应用及发展现状，有助于电缆制造厂商和用户根据实际工作条件，合理选择屏蔽材料及制造方法。
电子封装用铜及银键合丝研究进展
摘要：随着电子封装高密度化、高速度化和小型化发展，金键合丝由于成本和性能等问题已不能满足要求。成本更加低廉的铜及银键合丝逐渐成为金丝替代品，但铜键合丝存在硬度高、易氧化、工艺复杂等问题，银键合丝存在抗拉强度低、Ａｇ＋迁移和高温抗氧化抗性差等缺点。针对上述问题，广大学者进行了分析和研究，根据相关的文献、专利和产品，综述了铜及银键合丝的性能特点、成分设计、制备工艺、可靠性研究和性能改善方法，并对其发展前景进行了展望。
晶圆级Micro-LED芯片检测技术研究进展
摘要：随着微型氮化镓（GaN）发光二极管（LED）制造工艺的不断进步，Micro-LED 显示有望成为新一代显示技术并在近眼显示、大尺寸高清显示器件、柔性屏幕等领域大放异彩。在Micro-LED显示众多技术环节中，晶圆级Micro-LED芯片的检测是实现坏点拦截，提升显示屏良品率、降低整机制造成本的关键环节。针对大数量（百万数量级）、小尺寸（
我国半导体硅片发展现状与展望
摘要：硅片是半导体关键的基础材料，我国半导体硅片对外依存度较高，增强硅片的自主保障能力，对提升我国半导体产业整体水平至关重要。本文重点围绕市场主流的8in、12in硅片，分析了全球半导体硅片的技术和产业发展现状，研判了全球半导体硅片产业未来的发展趋势，重点分析了我国半导体硅片的发展现状，指出我国半导体硅片在当前市场需求、宏观政策、配套能力、研发投入等利好因素下迎来难得的发展机遇，同时提出我国半导体硅片产业发展面临挑战，在此基础上，从进一步加强顶层设计和宏观规划、强化政策落实和政策持续性、协调支持产业链协同发展、布局研发集成电路先进制程用半导体硅片等方面提出对策建议，以期为推动我国半导体硅片向更高质量发展提供参考。
集成电路用高纯金属溅射靶材发展研究
摘要：高纯金属溅射靶材是集成电路用关键基础材料，对实现集成电路用靶材的全面自主可控，推动集成电路产业高质量发展具有基础性价值。本文分析了集成电路用高纯金属溅射靶材的应用需求，梳理了相应高纯金属溅射靶材的研制现状，涵盖高纯铝及铝合金、高纯铜及铜合金、高纯钛、高纯钽、高纯钴和镍铂、高纯钨及钨合金等细分类别。在凝练我国高端靶材制备关键技术及工程化方面存在问题的基础上，着眼领域2030 年发展目标，提出了集成电路用高纯金属溅射靶材产业的重点发展方向：提升材料制备技术水平，攻克高性能靶材制备关键技术，把握前沿需求开发高端新材料，提升材料分析检测和应用评价能力。研究建议，开展“产学研用”体系建设，解决关键设备国产化问题，加强人才队伍建设力度，掌握自主知识产权体系，拓展国际合作交流，以此提升高纯金属溅射靶材的发展质量和水平。
