半导体材料闪烧机理及制备研究进展
赵世伟,俞鹏飞,邵汀荃,孙星,赵鹏(长安大学 材料科学与工程学院)
摘要:半导体材料作为工程材料和光电材料的重要组成部分,在新能源、通信电子、生物医疗、航空航天等领域具有广泛的应用前景。但半导体材料多为离子键或共价键化合物,采用传统烧结工艺制备致密陶瓷材料所需的烧结温度较高,保温时间较长,不可避免地会引起晶粒粗化及气孔残留,进而影响陶瓷材料的各项性能。目前,低温烧结制备半导体材料引起了研究人员的广泛关注,闪烧技术制备陶瓷材料成为其中的研究热点。本文立足理论与应用两方面,系统综述了半导体材料闪烧技术的研究进展,阐述了该烧结新技术在高性能半导体材料制备过程中的优势及应用前景,以期为闪烧技术的机理、工艺优化及应用拓展提供研究方向。
关键词:半导体材料;闪烧;机理;应用;研究进展
目录介绍
1 前言
2 闪烧及致密化机理
2.1 闪烧的发生
2.2 闪烧的致密化机理
2.2.1 电流极限对致密化的影响:焦耳热效应
2.2.2 快速升温致密化
2.2.3 化学反应致密化
2.2.4 增强电导率致密化
2.2.5 强电场下的介电击穿
3 半导体材料闪烧制备研究进展
3.1 ZnO材料
3.2 TiO2材料
3.3 其他半导体材料闪烧
4 结论
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