金属铜电沉积调控及其在芯片制造中的应用
廖小茹1, 李真2, 谭柏照1, 罗继业1, 史训清2 (1. 广东工业大学轻工化工学院;2. 香港应用科技研究院有限公司)
摘要:金属铜因其优异的导电性、导热性、机械延展性和抗电迁移性, 在芯片制造工业中作为互连材料广泛应用。铜互连结构的制备主要使用湿法的电化学沉积技术。本文针对芯片制造相关金属铜电沉积工艺, 系统介绍了金属铜电沉积调控用关键添加剂组分及其作用原理, 并详细介绍了电镀铜在芯片制造核心工艺(大马士革电镀、硅通孔、铜柱电镀及再布线层电镀)中的技术需求、工艺流程及未来技术发展趋势。最后, 本文针对我国高端电子电镀行业的发展现状, 对金属铜电沉积调控及其在芯片制造中的应用未来发展方向进行了展望。
关键词:电子电镀, 铜沉积, 电镀添加剂, 芯片制造, 超等角电镀
目录介绍
1 引言
2 酸性硫酸盐电镀铜添加剂体系
2.1 加速剂
2.2 抑制剂
2.3 整平剂
3 大马士革电镀铜
3.1 大马士革电镀简介
3.2 大马士革电镀添加剂及其作用机理
3.3 大马士革电镀铜发展趋势
4 硅通孔(TSV)电镀铜
4.1 TSV电镀铜简介
4.2 TSV电镀添加剂及其作用机理
4.3 TSV电镀铜发展趋势
5 电镀铜柱(Copper pillar bumps)
5.1 电镀铜柱简介
5.2 电镀铜柱用添加剂及其作用机理
5.3 电镀铜柱发展趋势
6 再布线层(Redistribution Layer, RDL)电镀
6.1 RDL电镀简介
6.2 RDL电镀添加剂
6.3 RDL电镀发展趋势
7 总结与展望
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