GaN HEMT器件表面钝化研究进展

陈兴1,2，党睿3，李永军1,2，陈大正1 （1.西安电子科技大学集成电路学部；2.西安电子科技大学芜湖研究院；3.西安航天精密机电研究所）

摘要：作为第三代半导体材料之一，GaN 凭借其优异的材料特性，如较高的击穿场强、较高的电子迁移率以及较好的热导率等，在制备高频、高功率及高击穿电压的AlGaN/GaN HEMT 器件方面得到广泛应用。然而，目前电流崩塌、栅泄漏电流、频率色散等一系列可靠性问题制约着AlGaN/GaNHEMT 器件的大规模应用。表面钝化被认为是改善这些问题最有效的方法之一。对电流崩塌、界面态等的测试表征方法等进行了总结，综述了目前GaN表面钝化的研究进展。

关键词：GaN HEMT器件；MIS-HEMT；钝化；电流崩塌；栅泄漏电流