GaNP沟道功率器件及集成电路研究进展

朱霞1,2,3，王霄1,3，王文倩1,3，李杨1,3，李秋璇1,3，闫大为1,3，刘璋成1,3，陈治伟1,3，敖金平1,3 （1.江南大学集成电路学院；2.江南大学集成电路学院物联网技术应用教育部工程研究中心；3.江南大学集成电路学院江苏省智能传感器与专用集成电路工程研究中心）

摘要：GaN功率器件具有导通电阻小、开关速度快、击穿电压高等特点，已广泛应用于高频、高功率的电力电子转换器中。为充分发挥GaN器件的性能优势，将功率电子器件和控制器、驱动等外围电路进行全GaN单片集成是最小化寄生参数的有效手段，也是GaN功率集成电路的重要发展方向。着眼于利用二维空穴气（2DHG）的GaN基型器件的发展进程，论述了P型器件面临的技术难题，进一步分析了其对于GaN互补逻辑电路集成发展的重要性，讨论了相关的GaN集成工艺平台，对器件结构及制备工艺的创新、GaN集成技术面临的相关挑战进行了分析与展望。

关键词：GaN；二维空穴气；P型器件；互补逻辑集成