基于硅通孔互连的芯粒集成技术研究进展
张爱兵,李洋,姚昕,李轶楠,梁梦楠(无锡中微高科电子有限公司)
摘要:通过先进封装技术实现具有不同功能、工艺节点的异构芯粒的多功能、高密度、小型化集成是延续摩尔定律的有效方案之一。在各类的先进封装解决方案中,通过硅通孔(TSV)技术实现2.5D/3D封装集成,可以获得诸多性能优势,如极小的产品尺寸、极短的互连路径、极佳的产品性能等。对TSV技术的应用分类进行介绍,总结并分析了目前业内典型的基于TSV互连的先进集成技术,介绍其工艺流程和工艺难点,对该类先进封装技术的发展趋势进行展望。
关键词:硅通孔;先进封装;芯粒;异构集成;2.5D封装;3D封装
目录介绍
0 引言
1 TSV技术应用分类
1.1 芯片内部垂直互连
1.2 2.5D封装集成
1.3 3D封装集
2 基于TSV互连的2.5D封装集成
2.1 无源硅中介层
2.2 硅桥扇出技术
2.3 埋置基板技术
2.3.1 EIAB技术
2.3.2 FC-EIC技术
3 基于TSV互连的3D封装集成
3.1 扇出封装技术
3.2 TSH中介层
3.3 有源硅中介层
3.3.1 HBM技术
3.3.2 Foveros封装技术
3.3.3 SoIC技术
4 结束语
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