集成电路互连微纳米尺度硅通孔技术进展

黎科1，张鑫硕2，夏启飞2，钟毅1，于大全1, 3 （1.厦门大学电子科学与技术学院；2.厦门大学化学化工学院；3.厦门云天半导体科技有限公司）

摘要：集成电路互连微纳米尺度硅通孔（TSV） 技术已成为推动芯片在“后摩尔时代”持续向高算力发展的关键。通过引入微纳米尺度高深宽比TSV 结构，2.5D/3D 集成技术得以实现更高密度、更高性能的三维互连。同时，采用纳米TSV 技术实现集成电路背面供电，可有效解决当前信号网络与供电网络之间布线资源冲突的瓶颈问题，提高供电效率和整体性能。随着材料工艺和设备技术的不断创新，微纳米尺度TSV 技术在一些领域取得了显著进展，为未来高性能、低功耗集成电路的发展提供了重要支持。综述了目前业界主流的微纳米尺度TSV 技术，并对其结构特点和关键技术进行了分析和总结，同时探讨了TSV技术的发展趋势及挑战。

关键词：先进互连技术；2.5D/3D芯粒集成；背面供电；高深宽比TSV