高品质碳化硅单晶制备技术

王宏杰，王毅，王殿，郭帝江，武昕彤（中国电子科技集团公司第二研究所）

摘要：阐述了高品质碳化硅单晶制备技术的研究进展。介绍了SiC材料的优异特性及其在众多领域的重要应用价值，凸显高品质SiC单晶制备的必要性。探讨了目前主流的SiC单晶制备方法物理气相传输法（PVT），分析了其生长原理与工艺过程。重点介绍了影响SiC单晶品质关键技术要点，如石墨材料纯度、籽晶面选择、偏轴籽晶的使用、籽晶粘接工艺、长晶界面的稳定，并对碳化硅长晶关键技术行了详细的研究，包括温场分布、碳化硅粉料掺杂技术、气相组分比调节和低应力控制技术。最后对高品质SiC单晶制备技术的未来发展趋势进行了展望，为相关领域的科研人员和技术人员提供了的技术参考。

关键词：高品质碳化硅；晶体生长；籽晶粘接