电子封装铜键合丝的研究进展

谢道春1，甘贵生1，马勇冲1，李方樑1，朱俊雄1，窦俊丰1，张嘉俊1，夏大权2，徐向涛2(1.重庆理工大学 重庆特种焊接材料与技术高校工程技术研究；2. 重庆平伟实业股份有限公司)

摘要：无论是先进封装还是功率封装，高电流密度和更高服役温度将是电子封装的主要趋势。本文综述了当前主流的纯铜、铜合金及镀钯铜键合丝的研究进展，提出利用金、银固有的键合优势开发金包铜、银包铜新型双金属或多金属键合丝材料；通过键合丝进给系统辅热，可以在软化键合丝的同时降低键合的下压力；开发飞秒激光−热声键合新装备，以实现键合丝快速、微区加热，从而降低铜键合丝氧化和硬度。键合丝是集成电路等半导体封装的关键性材料，低成本、高导热的铜键合丝具有明显的优势，势必继续抢占键合丝的市场份额，需加强对大电流、高温及多物理场等极端条件下铜键合丝电迁移、热迁移的可靠性研究，多方协同推动国产化铜键合丝的研究与应用。

关键词：电子封装；铜键合丝；双金属；高电流密度；可靠性