面向集成应用的二维半导体生长进展及展望

朱世同1，2，3，吴隽1，2，吴浪4，邹彩旗4，刘蕾3，邹茜璐3，王欣然3，4，李涛涛4（１武汉科技大学材料学部；２武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室；３南京大学电子科学与工程学院；４南京大学集成电路学院）

摘要：以过渡金属硫族化合物（ＴＭＤＣ）为代表的二维半导体材料拥有原子级的极限厚度、短沟道免疫效应，在场效应晶体管、光电器件、传感器、柔性电子等领域展示出巨大的应用潜力。大面积、高质量的二维半导体材料的可控制备是实现上述应用的基础。本文综述了近年来二维半导体材料制备的研究进展，主要探讨了二维半导体材料的大面积制备方法、单晶薄膜的外延生长策略和机理、缺陷的控制、材料的转移、低温生长策略和主流的生长设备。最后对二维半导体材料未来生长方向进行了展望，通过深入的梳理和分析，以期为二维半导体材料的制备和应用提供更全面的支持和指导，推动二维材料领域的进一步发展。

关键词：二维半导体材料　化学气相沉积　单晶　集成电路