双光束超分辨光刻技术的发展和未来

谢大乐1,2,艾星星3,甘棕松1,2 (1.华中科技大学武汉光电国家研究中心;2.华中科技大学信息存储系统教育部重点实验室;3.黄冈师范学院化学化工学院)
摘要:近年来,随着芯片制造工艺的不断提高,光刻技术发展面临着一些难题,这些难题也影响着芯片行业发展及摩尔定律的持续性。然而,当前主流的极紫外光刻技术已经接近制造极限,需要更先进的技术来突破技术瓶颈。综述了基于双光束超分辨技术的光刻技术概念,并分析了其优势和潜力,同时提出了该技术面临的挑战和可能的解决方案,指出这种新型光刻技术有望在微纳制造领域扮演重要的角色。
关键词:芯片制造;光刻技术;双光束;超分辨

目录介绍

1 芯片制造面临的困境

1.1 摩尔定律的瓶颈

1.2 EUV 光刻机的制造极限及高昂造价

2 双光束超分辨光刻技术的技术原理及优势

3 双光束超分辨光刻技术的问题与挑战

4 双光束超分辨光刻设备研发进展

5 结论

 

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