碳化硅原料粉体制备的研究进展

冯东1，刘悦1，丁国强1，茹红强2，罗旭东1，3，游杰刚1 （1.辽宁科技大学；2.东北大学；3.辽宁科技学院）

摘要：碳化硅（SiC）材料因具有优异的物理化学性能，已被广泛应用于航空航天、工程陶瓷和半导体等领域。目前，SiC 粉体的合成方法众多，其中碳热还原法是工业生产SiC 粉体的主要方法，但在生产过程中，SiC 粉体的颗粒度和杂质含量均会影响最终产物的各项性能。因此，如何对SiC 粉体进行细化和纯化处理成为制备高性能SiC 材料需要探索的问题。本文首先介绍了SiC 粉体合成技术的种类、原理和特点；然后，详细阐述了近年来SiC 粉体细化技术的研究进展，并对SiC 粉体中无定形碳和金属及金属氧化物的纯化技术进行重点介绍；最后分析了目前制备SiC 粉体需要解决的问题，并对其发展前景进行展望。

关键词：碳化硅（SiC）粉体；SiC合成；碳热还原法；粉体细化；粉体纯化