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基于专利分析的钽粉制备技术现状研究与趋势分析

基于专利分析的钽粉制备技术现状研究与趋势分析

摘要：以德温特创新索引专利数据库中1992—2021年间的钽粉专利为研究对象，利用科学计量工具Citespace绘制了钽粉专利科学知识图谱，并对钽粉专利现状和发展趋势进行了分析。结果表明，全球钽粉专利申请量从2011年开始大幅增加，其中中国的专利申请占比最大。然而，以高被引专利为代表的高技术门槛和高利润钽粉制备专利主要被欧美企业所持有，显示出了欧美国家在钽粉研发实力上的领先优势。中国未来需在以高容化、高压和高可靠性电容器用钽粉为代表的产品方向进行突破。
稀有 2024年08月07日
镍基合金的高温腐蚀研究进展

镍基合金的高温腐蚀研究进展

摘要: 镍基合金广泛应用于航空航天、能源电力等行业中，然而在一些腐蚀性极其严苛的腐蚀环境中，镍基合金将遭到严重的腐蚀破坏。近些年，越来越多的国内外学者对不同类型的镍基合金在高温环境下的腐蚀行为进行了较为深入的研究，然而到目前为止，对镍基合金高温腐蚀的系统归纳和总结还较为缺乏。基于此，对镍基合金高温腐蚀研究工作进行了较为全面的梳理，从高温氧化、混合气体腐蚀、热腐蚀以及其它腐蚀4 个方面阐述了镍基合金在不同高温环境下的腐蚀行为，结果表明: ① 部分镍基合金在高温环境下合金表面形成致密氧化膜，起到一定的保护作用，但过高的温度可能会引起氧化膜破裂。② 相比高温氧化，混合气体腐蚀相对复杂，其危害性比单一气氛也更大。③ 因服役环境的不同，镍基合金热腐蚀种类较多。当合金中含有稀土元素时，耐热腐蚀性能更好，但含量不宜过高。④ 多孔镍基合金高温腐蚀呈现出不同特点，但目前其腐蚀机理尚不十分明晰。基于研究现状，提出了进一步提高镍基合金高温腐蚀性能的研究重点，以期为镍基合金的设计制备和长寿命服役提供科学参考。
稀有 2026年05月11日
WC基硬质合金腐蚀行为研究进展：机理、表征与应用

WC基硬质合金腐蚀行为研究进展：机理、表征与应用

摘要：本综述介绍了硬质合金在腐蚀环境当中的失效行为以及相应机理，分析了其电化学腐蚀的本质以及在不同环境之下的腐蚀特性，总结了近些年来在腐蚀表征方法以及应用方面的研究进展情况。研究显示，WC基硬质合金出现腐蚀的情况，主要是因为WC硬质相和黏结相之间存在电化学电位差，这种电位差引发了微电偶腐蚀。极化曲线、电化学阻抗谱等电化学方法能够有效地表征腐蚀动力学行为。基于腐蚀机理研究，对硬质合金成分进行优化、对微观结构加以调控以及采用表面工程技术，能够显著地提升合金的耐腐蚀性能。在未来的研究当中，应该着重关注多场耦合环境下的腐蚀机制解析以及原位微区表征技术，从而为实现硬质合金在苛刻环境中的长寿命可靠服役提供相应的支持。
稀有 2026年08月12日
贵金属Pt掺杂对MgH2/MoS2异质结脱氢性能的影响

贵金属Pt掺杂对MgH2/MoS2异质结脱氢性能的影响

摘要: 二维材料中二硫化钼(MoS2)被认为是一种很有前途的高效、低成本析氢反应(HER)催化剂,并且已经被证实能够增强氢化镁(MgH2)的脱氢性能,但是对其深层机理仍然缺少认识。在密度泛函理论(DFT)的基础上,通过第一性原理计算方法在理论上进行研究,构建了MgH2/MoS2的异质结模型,深入探究MoS2对MgH2脱氢性能的影响,并且引入贵金属Pt掺杂进一步改善复合结构的脱氢性能。研究表明,MoS2能够增强MgH2的脱氢热力学性能,MgH2/MoS2 异质结的脱氢性能增强是由于MoS2的引入导致MgH2表面发生大量电荷转移削弱了Mg—H键相互作用以及带隙明显变窄。此外在Pt原子的掺杂使得MgH2/MoS2异质结层间距增大利于H-的迁移,同时进一步的缩小带隙宽度,全面提升了脱氢热力学和动力学性能。
稀有 2025年05月06日
超细钼粉制备技术的研究现状与进展

超细钼粉制备技术的研究现状与进展

摘要：金属钼因低的热膨胀系数、高温强度、高弹性模量等特性，广泛用于航空航天、军工、石油化工以及核工业等尖端行业，是推动高科技领域发展不可或缺的材料。钼粉作为钼制品的基础原料，其物化性质与钼制品的性能密切相关。相比于普通钼粉，超细钼粉具有更大的比表面积、更高的活性以及更低的烧结温度。目前制备超细钼粉的方法主要有热还原法和热分解法，热还原法通过调整还原工艺达到阻止晶粒长大的目的；而热分解法的发展主要涉及到装备的升级改造与工艺的优化完善。本文着眼于超细钼粉的制备工艺、反应机理以及产物状态，重点分析了典型工艺的发展历程和技术特点，总结了超细钼粉制备技术的研究现状与进展，提出当前技术工艺所面临的问题以及未来的研究方向，以期为超细钼粉制备工艺的发展与工业化应用提供思路。
稀有 2024年06月13日
激光增材制造技术制备高熵合金的研究进展

激光增材制造技术制备高熵合金的研究进展

摘要：目前基于焓变的传统合金化材料设计理念趋于极限，而基于熵变设计的新型金属材料中高熵合金设计自由度大，弥补了亚稳态材料室温脆性以及亚稳晶化的不足，且在性能上不断取得突破。激光增材制造技术具有不同于传统的加工设计和制造理念，为推动先进合金材料的发展提供了新的可能，已经成为链接材料与产品的关键技术。本文基于不同维度的激光增材制造技术，从2D、3D和4D 这3种维度分别介绍了激光熔覆技术制备高熵合金涂层、3D打印技术制备高熵合金和4D打印技术制备高熵高温形状记忆合金的研究现状，并结合目前研究中所面临的关键技术问题及解决方案进行了讨论，最后对激光增材制造技术制备先进合金材料进行了总结和展望。
稀有 2024年06月13日
高熵非晶材料及其增材制造技术研究进展

高熵非晶材料及其增材制造技术研究进展

摘要：高熵非晶合金具有独特的物理、化学和力学性能以及更好的热稳定性，因而其制备技术成为国内外重要的研究热点之一. 然而利用传统技术制备高熵非晶材料时会产生晶粒粗大及材料浪费等缺点，难以满足工艺生产需要。而增材制造技术的精准制造和快速冷却等特点可以解决这一问题，制备出各项性能优越的高熵非晶合金。简要介绍了高熵非晶材料的研究体系和常用制造方法，着重阐述了高熵非晶材料的断裂强度、耐腐蚀性和热稳定性的研究，对增材制造技术的工艺特征和优势，以及利用增材制造技术制备高熵非晶合金的科学难点作出了总结。结果表明，利用增材制造技术有利于获得致密均匀的高熵非晶材料，但对于非晶相形成的解释仅限于高熵合金4大效应.最后阐述了近年来利用常用的两种增材制造手段制造高熵非晶合金的研究，并对增材制造技术制备高熵非晶材料的发展趋势提出了展望。创新点：(1) 阐明了高熵合金中非晶相的形成机理。(2) 阐述了常用于制造高熵非晶材料的两种增材制造方法。
稀有 2024年06月13日
氧化铪薄膜的制备、调控与应用研究进展

氧化铪薄膜的制备、调控与应用研究进展

摘要: 全面综述了氧化铪(HfO2)铁电薄膜的制备、性能调控及应用研究进展。HfO2 薄膜因独特的物理和化学性质,在电子器件领域展现出广阔的应用前景。文章详细介绍了多种制备方法,分析了各方法的特点及适用场景。进一步探讨了掺杂元素、薄膜厚度、制备工艺、氧空位等对HfO2 薄膜铁电性能的影响机制,阐述了通过调控这些因素实现性能优化的策略。最后,综述了HfO2 薄膜在微电子、光学、能源和生物等领域的广泛应用,展示了其在非易失性存储器、透明铁电材料、高性能传感器及生物医学器件等方面的潜力。
稀有 2026年07月20日
先进制程芯片用超高纯钽靶制备工艺研究进展

先进制程芯片用超高纯钽靶制备工艺研究进展

摘要：通过物理气相沉积（physical vapor deposition，PVD）制备的Ta/TaN层具有优异的抗Cu-Si扩散性与良好的接触电阻等特性，随着半导体先进制程芯片的发展，其成为了扩散阻挡层的最佳选择。然而，作为PVD的重要原料- 磁控溅射超高纯Ta靶往往会因晶粒尺寸、织构梯度均匀性的问题，极大地影响沉积薄膜厚度的均匀性，从而影响先进制程芯片良率。因此，结合先进制程芯片的特殊应用环境，本文简述了集成电路用PVD工艺过程与先进制程对Ta靶的应用需求，并综述了近些年集成电路用超高纯Ta常用提纯与晶粒、织构控制工艺的研究进展，包括Ta粉提纯、电子束熔炼、锻造、轧制、再结晶退火工艺以及加工对最终Ta靶溅射性能的影响，针对各类工艺对Ta晶粒、织构的影响进行了阐述。最后，对磁控溅射超高纯Ta靶在先进制程芯片的应用现状与制备工艺难点进行了总结和展望，指出领域内新出现的更具高经济性与材料利用率的超高寿命高厚度（0.65英寸，1英寸=25.4 mm）Ta靶，以及对超高纯Ta形变热处理工艺研发与优化的迫切需求。
稀有 2025年11月26日
我国关键金属矿产品储备体系建设研究

我国关键金属矿产品储备体系建设研究

摘要：关键金属矿产如稀土、钨、锑、钴、锂、钽等对确保国家经济发展和国防安全发挥着重要的支撑作用；随着全球对关键金属矿产需求的不断增长以及竞争的加剧，建立完善的关键金属矿产品储备体系以确保供应稳定成为我国维护国家资源安全和产业高质量发展的重要战略任务。本文在明晰关键金属矿产内涵的基础上，梳理了国外关键金属矿产品储备体系的相关政策和发展态势，剖析了我国关键金属矿产品储备体系的发展现状，包括顶层设计、运行机制、储量潜力、储备基地及社会存量等方面。研究认为，我国关键金属矿产品储备体系面临储备规模与资源安全形势不匹配、释储程序规范性较弱、承储企业权责未明晰、风险预警机制有待完善等挑战。进一步满足我国在关键金属矿产领域的战略需求，研究提出了完善关键金属矿产品储备立法、扩大紧缺关键金属矿产品储备规模、完善动态储备体系、建立全国关键金属矿产品监测预警和动态评估机制等优化关键金属矿产品储备体系的发展建议，为提升资源安全与产业链韧性、应对国际市场波动及突发供给风险提供坚实的战略保障。
稀有 2026年06月18日