低功率受激辐射损耗超分辨显微成像技术研究进展及展望

周浩贤，王璐玮，张仁龙，林方睿，刘丽炜，屈军乐 （深圳大学物理与光电工程学院，光电子器件与系统教育部/广东省重点实验室）

摘要：受激辐射损耗（STED）是一种功能强大的远场超分辨显微成像技术，已被广泛用于细胞和组织切片等生物样品的超分辨成像。通过增加损耗激光的功率可以显著提高STED 超分辨成像的空间分辨率和成像深度，然而，过高的激光功率会引起严重的光漂白及光毒性。因此，如何在保证成像质量的同时有效降低STED 超分辨成像所需的损耗激光强度，是目前STED 技术在生物成像领域面临的关键挑战。本文从STED 成像的基本原理出发，分别从STED 探针、单分子定位、图像处理和时间分辨探测等4 个方面探讨了实现低功率STED 超分辨成像的策略。针对以上4 种策略及其优缺点的深入分析，为STED 技术在生物学领域的应用提供了有价值的参考和指导。

关键词：超分辨成像；受激辐射损耗；损耗光功率；纳米探针；荧光寿命