光电化学金属催化研究进展

摘要:光电化学金属催化融合了光化学、电化学以及金属催化的特性, 为高活性自由基的可控产生及选择性转化提供了新的研究思路. 光催化剂可以在电极表面得失电子形成相应的光敏剂, 避免传统光化学合成中等物质的量的氧化还原试剂的使用; 体系中的金属催化剂既可以作为电化学催化剂在电极表面上传递电子, 还可以和反应底物相互作用,控制反应的路径. 这种新型的催化策略同时利用光能和电能作为反应的驱动力, 极大地降低了反应的电极电势, 从而在温和的条件下完成常规方法难以实现的电子转移活化过程. 总结了过去几年光电化学金属催化领域取得的重要研究进展, 通过选取的典型示例以及相关的反应机理解读展示该方法的合成特点及优势.

集成电光频率梳研究进展

摘要:光学频率梳是由一系列离散且等间隔分布的频率成分所组成的光谱结构,作为光谱分析的天然刻度尺,其已广泛应用于光谱学、精密测量、光通信、传感等多个领域。光学频率梳根据其产生技术可分为基于锁模激光器的光学频率梳、克尔微腔光学频率梳、电光频率梳。电光频率梳由于其频率间隔可调、梳齿功率较高、可实现微波到光波的转换等优势,得到了充分发展。但传统电光频率梳的产生器件存在体积大、功耗高的缺点,限制了其进一步应用。随着微纳加工技术的不断发展,越来越多的材料应用于片上集成光学器件,包括硅、氮化硅、氮化铝、磷化铟、铌酸锂、砷化铝镓等。集成电光频率梳器件具有体积小、功耗低等优势,是构建光电集成芯片的重要器件。文中旨在对集成电光频率梳的研究现状进行综述,首先介绍光学频率梳的类型,并详细论述电光频率梳的产生机制;其次介绍产生集成电光频率梳的材料平台、相应的光梳性能指标及其应用;最后基于目前集成电光频率梳领域存在的问题,对未来的研究趋势做出展望。

金刚石半导体器件研究概述

摘要:半个多世纪以来半导体基础材料经历了从锗、硅为代表的第一代,砷化镓、磷化铟为代表的第二代,碳化硅、氮化镓、氮化铝为代表的第三代的逐步演化。在演化过程中,更快响应,更高功率,更强稳定性始终是人们不断追求的目标。尽管现有半导体器件已经极大的推动了人类文明的进步且创造了巨大的价值,但是第四代半导体材料——金刚石展现出来的各种特性依旧使人欣喜和对未来充满信心。本文将概述现阶段金刚石半导体器件研究的进展,包括金刚石材料的制备,金刚石二极管、发光二极管、三极管、场效应管,金刚石传感器,金刚石微机械等等。

从制备到应用:InP量子点的发展与应用前景

摘要:量子点材料具有与尺寸相关的优异光学性能,如发光波长可谐调、发射半峰宽窄、激发范围宽等,应用领域广泛。然而目前主流的量子点普遍含有镉、铅等元素,不利于商业化产品发展。磷化铟(InP)量子点无重金属毒性,光谱范围可覆盖整个可见光区,具有与镉基量子点相媲美的发光和光电性能,逐渐得到关注。本文综述了近年来InP量子点的合成方法和应用方面的研究进展,首先探讨了热注入、加热、晶核生长、阳离子交换等InP量子点合成方法的优势与缺陷,然后重点介绍了目前InP量子点在照明显示、光伏、光催化和光学标记成像等领域取得的应用成果。最后,从材料合成和器件应用2个角度提出了InP量子点发展面临的挑战及可能的解决方案,以期推动InP量子点的研究和应用,为光电领域的发展提供新的思路。

InP量子点发光材料:从合成到器件应用的研究进展

摘要:量子点(Quantum Dots, QDs) 作为一种新型纳米材料,具有优异的光学性质。随着研究的深入,量子点已在光电器件、生物成像、太阳能电池、显示技术等领域发挥重要作用。磷化铟(InP) 量子点因其低毒性、高光效,被视为镉基量子点的潜在替代品而受到广泛关注,其发光光谱覆盖整个可见光区域,光致发光量子产率(PLQY)、光电性能上与镉基量子点相当。然而,InP 量子点在前驱体材料、生长机制、核壳晶格匹配性等方面与镉基量子点相比存在显著差异,这些差异在一定程度上影响了其光学性能,从而制约了在显示器件中的应用。综述了InP 量子点材料及其量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes, QLED) 的发展现状。首先,系统地介绍了InP 量子点的基本特性,重点从色纯度提升和缺陷态消除等角度深入探讨了其光学性能的优化与改进。随后,详细分析了量子点结构设计(电荷传输层和界面工程) 对InP QLED 器件性能的影响,并综述了近年来InP QLED 的研究进展及其在相关领域的应用成果。最后,概述了InP 量子点体系的发展以及面临的主要挑战,并提出了对InP 量子点体系未来发展的期望,旨在为InP 量子点体系的进一步研究和应用提供启示与方向。

银纳米线柔性透明天线及其智能可穿戴应用

摘要:第五代移动通信技术的快速发展,使透明天线成为新型无线传输技术的研究热点。透明导电材料的选取对透明天线的设计至关重要。银纳米线材料具有导电性能优异、尺寸可调和稳定性好等特点,因而备受关注。文章综述了银纳米线透明天线及其在智能可穿戴领域的应用;介绍了银纳米线常用的化学合成方法,对各自的特点和所生长的银线的基材适配性进行了讨论;阐述了银纳米线透明天线的关键性能参数,指出在天线设计时应平衡透光性与导电性这对矛盾关系;提出了银纳米线透明印制天线的制作流程,涉及银纳米线材料的油墨化、图案化和后处理等;最后总结了银纳米线透明天线的应用,并进行了展望。

电子封装铜键合丝的研究进展

摘要:无论是先进封装还是功率封装,高电流密度和更高服役温度将是电子封装的主要趋势。本文综述了当前主流的纯铜、铜合金及镀钯铜键合丝的研究进展,提出利用金、银固有的键合优势开发金包铜、银包铜新型双金属或多金属键合丝材料;通过键合丝进给系统辅热,可以在软化键合丝的同时降低键合的下压力;开发飞秒激光−热声键合新装备,以实现键合丝快速、微区加热,从而降低铜键合丝氧化和硬度。键合丝是集成电路等半导体封装的关键性材料,低成本、高导热的铜键合丝具有明显的优势,势必继续抢占键合丝的市场份额,需加强对大电流、高温及多物理场等极端条件下铜键合丝电迁移、热迁移的可靠性研究,多方协同推动国产化铜键合丝的研究与应用。

纳米导电填料在导电胶中的应用研究进展

摘要:导电胶是一种由树脂基体和导电填料复合而成的先进微电子连接材料,因其环保、低固化温度和简便的应用工艺,在液晶面板、芯片组件、印刷电路和薄膜晶体管等微电子领域得到广泛应用。然而,传统导电胶存在电阻率较高的问题,限制了其性能的进一步提升。纳米导电填料利用它独特的尺寸效应和表面效应,有效降低了导电胶的电阻率,同时增强了其力学性能,成为提升导电胶性能的关键技术。本文深入探讨了碳系、银基、导电聚合物和复合型纳米填料在导电胶中的应用进展,分析了填料种类、形态和表面性质对导电胶性能的影响,并阐释了其导电机理。同时,还展望了导电胶及其填料的未来发展方向,旨在为导电胶的技术创新和工业应用提供理论指导和实践参考。

面向自主计算的存算传融合架构及技术挑战

摘要:传统云或边缘计算模式下, 数据的存储、计算和传输分离: 终端负责指定具体的计算和关联存储节点, 网络仅在这些节点间提供传输路径而并不感知所承载的计算任务. 这种模式不仅导致海量异构存算平台难以感知识别彼此的可用资源并形成协同合力、数据存储与计算孤岛化现象严重, 还面临拓扑时变、计算节点失效等不确定性导致的任务执行时间长甚至中断等挑战. 为此, 本文提出一种面向自主计算的存算传融合网络架构, 通过构建耦合但差异化管理存算传多维资源的控制面, 以及支持形式化计算任务路由和调度的数据面, 赋能自主计算的全流程实现. 基于所提架构, 提出了多维资源状态探测、任务联合调度与服务协同部署方法, 实现任务需求拟合与环境适变的高效自主计算. 此外,本文还探讨了该架构下的挑战以及可能的未来研究方向.

数据流芯片的发展现状、趋势与挑战

摘要:本文聚焦于新型数据流架构在多领域融合计算中的应用潜力与发展趋势. 随着人工智能、图计算和大数据等新兴技术的发展, 传统冯· 诺依曼(von Neumann) 架构和领域专用架构的性能瓶颈愈加显著, 难以满足未来计算系统对高性能和高灵活性的需求. 本文首先梳理了现有数据流芯片的设计方法, 基于专用性与通用性、执行粒度等维度探讨了数据流架构的不同实现方式及其应用现状. 在此基础上, 提出了一种基于并发代码块的数据流抽象机模型, 并设计了完整的指令集和微体系结构, 进一步实现了跨领域的统一中间表示和多种算子融合策略, 优化了数据流在图神经网络、大模型计算和实时信号处理等任务中的执行效率. 实验结果表明, 基于该抽象机模型的处理器在性能与功耗方面优于现有的通用处理器架构. 最终, 本文展望了数据流架构在未来计算系统中的广泛应用前景及其对高效能计算的深远影响.