电磁屏蔽导电涂料的研究与应用进展
摘要：为了深入了解电磁屏蔽导电涂料的制备与性能，促进高性能、低成本的电磁屏蔽导电涂料研究与应用发展，本文首先介绍了涂料的导电机制和电磁屏蔽基本原理。其次，以不同类别的导电填料和树脂基体为重点，系统介绍了各类材料结构、性能的差异对涂料整体性能的影响，综述了当前的研究进展及针对实际应用进行的多功能改良。最后，针对电磁屏蔽涂料目前在填料结构、填料合成、聚合物基体与填料的相容性的问题进行了总结及表达了对未来产业发展的展望。
离子束表面加工设备及工艺研究
摘要：本文介绍了一种用于红外芯片金属化与刻蚀工艺的离子束表面加工设备。通过实验探索不同工艺角度下薄膜沉积速率与均匀性及刻蚀速率与均匀性的影响，结果表明薄膜沉积均匀性与刻蚀均匀性均优于3%。同时经过产线流片，红外芯片表面薄膜均匀性良好、一致性高，芯片电路图案刻蚀陡直性高、损伤低，满足红外芯片金属化与刻蚀工艺需求。
SiC车用电机驱动研究发展与关键技术
摘要：碳化硅（SiC）器件具有低导通压降、可高速开关、可高温工作等优点，在车用电机驱动方面显示出巨大的技术优势和市场潜力。论述了SiC MOSFET器件实现高频、高温性能的难点，分别综述了模块、测试、电容、EMI 滤波器、系统集成等方面的技术重点和主要研究方向，介绍了提升电机驱动产品性能的关键。
柔性电化学传感器的材料选择研究进展
摘要：电化学传感器作为传统传感器的一种，具有效率高、响应性好和灵敏度高等优点。而柔性电化学传感器具有这些特点的同时，凭借其优异的柔韧性、拉伸性、可折叠性和电化学稳定性，被广泛应用于医疗卫生、环境监测和食品安全等方面。此外，该类传感器还具有方便携带、成本较低、灵敏度高和选择性好等特点。本文立足于柔性传感器活性材料的选择，从无机材料、有机材料、酶和天然材料入手，通过分析与总结近几年的研究成果，介绍材料的选择对电化学传感器性能的影响，重点阐述了不同材料在柔性电化学传感器方面的制备及应用，表明柔性电化学传感器在生产生活中发挥着不可替代的作用。最后对现阶段柔性传感器的研究应用存在的问题与挑战进行总结，并对其未来发展方向进行展望。
力致发光变色配合物材料的研究进展
摘要：力致发光变色材料作为一种智能光响应材料, 能够响应外力刺激作用, 表现出光物理信号的可逆转变.此类材料具备操作简便、响应灵敏、易于观测、可重复利用等优点, 被广泛应用于光学开关、安全密保、数据记录、安全防伪等诸多领域. 配合物材料将金属离子引入到有机分子堆积组装过程中, 可有效提升光热稳定性,配位驱动丰富分子间堆积模式, 为新型力致发光变色材料的设计提供突破口. 本综述对近五年力致发光变色配合物材料的研究进展进行了总结, 综合分析了此类材料的构筑策略、性能研究方法及潜在应用价值, 并从机理研究和实际应用两个方面提出亟待解决的问题, 以期早日实现工业化批量生产及实际应用.
面向毫米波射频互联的超低弧金丝球焊工艺方法研究
摘要：引线键合工艺是实现毫米波射频（RF）组件互联的关键手段之一。随着毫米波子系统的快速发展，毫米波组件的工作频段越来越高，对射频通道互联金丝的拱高提出了新的要求。过高的引线弧度会使得系统驻波变大，严重影响电路的微波特性。球焊工艺由于引线热影响区的存在，难以满足射频互联中短跨距、低弧高的需求。采用弯折式超低弧弧形工艺，通过对25μm金丝热超声球焊成弧过程中各关键参数的优化试验，将热影响区折叠键合在第一焊点上，在保证引线强度的前提下，实现了300μm短跨距、80μm超低弧高的金丝互联，为球焊工艺在毫米波射频组件互联中的应用提供了实现思路。
胶体光子晶体制备和应用研究进展
摘要：光子晶体是通过不同折光指数的物质在空间中周期性排列来实现对光的选择性反射，从而产生结构色. 胶体光子晶体因其构筑单元易于制备，成本低廉和应用广泛而备受关注. 本文综述了胶体光子晶体的组装技术及其应用的最新进展和面临的挑战. 胶体光子晶体的组装主要采用自下而上法，包括基于物理力场的组装(如重力、离心力、电/磁场诱导组装)和流体动力学的组装(如毛细管力、剪切诱导组装).特别地，剪切诱导组装法因其在快速制备大尺寸光子晶体膜方面的潜力而受到关注. 此外，还分析了不同组装技术的优缺点，并讨论了胶体光子晶体在传感器、防伪和信息显示等主要应用场景中的应用潜力及面临的机遇和挑战. 最后，对光子晶体组装技术的发展趋势进行了展望，以期推动光子晶体材料的进一步发展和应用.
微波等离子体化学气相沉积法制备大尺寸单晶金刚石的研究进展
摘要： 金刚石作为一种超宽禁带半导体，是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而，高品质、大面积（大于2 英寸）单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解决的问题。介绍了目前受到广泛关注的微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）获得大尺寸金刚石单晶衬底的技术方案，即单颗金刚石生长、拼接生长以及异质外延生长。综述了大尺寸单晶金刚石外延生长及其在电子器件领域应用的研究进展。总结了大尺寸单晶金刚石制备过程中面临的挑战并提出了潜在的解决方案。
第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状
摘要：近年来，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展，已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点。抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期，实现半导体材料、器件、封装模块和系统开发的自主可控，对保障工业创新体系的可持续发展至关重要。在分析第三代宽禁带功率半导体重要战略意义的基础上，综述了其材料、器件研发和产业的发展现状，阐述了碳化硅及氮化镓器件在当前环境下的应用成果，剖析了第三代半导体行业存在的关键问题。建议在国家政策的进一步领导之下，发挥行业协会和产业联盟的桥梁和纽带作用，对衬底材料、外延材料、芯片与器件设计和制造工艺等产业链各环节进行整体支撑，引导各环节间实现资源共享、强强联合，上下游互相拉动和促进，形成一个布局合理、结构完整的产业链。
基于神经网络的多朝向LED可见光定位
摘要：为改善基于传统定位算法的多朝向LED 可见光定位（MD-VLP）系统的定位性能，提出一种基于接收信号强度比率值（RSSR）的神经网络方法。此方法采用单个光电检测器（PD）接收来自同一位置的多个不同朝向的LED光强，继而将RSSR 代入人工神经网络模型来估计平面坐标。实验结果表明，所提方法在PD处于水平时平均定位误差为2.96 cm，在PD倾斜15°时平均定位误差为5.51 cm，其性能相比于基于RSSR的最小二乘法有显著提高。此外，为了验证所提方法的普适性，仿真分析了两种非朗伯辐射光源构成的多朝向LED集成灯具的定位性能，仿真结果显示，所提方法分别获得了3.70 cm和6.22 cm的平均定位误差，并支持PD适度倾斜。进一步地，设计了一款采用多朝向非朗伯辐射面状光源的VLP集成灯具，实验结果表明，所提方法在PD处于水平或适度倾斜状态时仍能有效工作。
