存储技术的发展态势与中国发展对策
摘要：在全球数据快速增长与高性能计算需求持续攀升的背景下，存储技术作为信息基础设施的核心组成部分，正处于持续演进与创新的关键阶段。首先，梳理了磁存储、半导体存储和光存储等成熟存储技术的发展脉络与关键突破，深入探讨了相变存储器、阻变存储器、铁电存储器、磁随机存储器以及DNA 存储等新兴存储技术的潜力、发展路径与面临的挑战。其次，总结了中国存储产业面临的关键问题，包括投资风险高、市场竞争激烈、关键材料和装备依赖外部供应，以及新型存储器件受“性能—成本—生态”三重制约等现实挑战。最后，提出了增强战略定力、培育本土化材料与设备供应链、强化核心技术攻关等发展对策，以期为推动中国存储行业的技术创新与战略布局提供决策参考。
LED散热片合金材料的研究进展
摘要：综述了影响LED散热片合金材料散热性的主要因素，以及稀土元素改善合金散热性的作用和散热片挤压工艺中应注意的问题，并展望了轻质合金散热片的研究方向。
LTCC 高精密封装基板工艺技术研究
摘 要：将激光修调、化学镀、光刻等技术与常规低温共烧陶瓷 （Low Temperature Co-Fired Ceramic,LTCC） 基板工艺技术相结合，对 LTCC 高精密封装基板的制作工艺进行开发和优化，并利用 9K7 材料进行了基板试制。
半导体光电阴极的研究进展
摘要：半导体光电阴极具有量子效率高、暗电流小的优点，被广泛应用于光电倍增管、像增强器等各类真空光电探测和成像器件，促进了极弱光的超快探测和成像技术的发展。另外作为能够产生高品质电子束的真空电子源，用于加速器光注入器、电子显微镜等科学装置。本文首先介绍了目前常用半导体光电阴极的分类以及在真空光电探测成像、真空电子源领域的具体应用。然后对碱金属碲化物光电阴极、碱金属锑化物光电阴极、GaAs光电阴极三类典型半导体光电阴极的制备技术进行了总结，并介绍了微纳结构、低维材料、单晶外延等新技术在半导体光电阴极研制中的应用。最后对半导体光电阴极的技术发展进行了展望。
超级电容器及其电极材料纳米三氧化钼的研究进展
摘 要：介绍了超级电容器的工作原理和应用现状，对其三大系列电极材料———炭材料、金属氧化物、导电聚合物的研究进展进行综述，并重点分析了纳米三氧化钼作为超级电容器电极材料的应用前景。 关键词：超级电容器；电极材料；纳米三氧化钼；工作原理；应用现状
硅含量对硅铝合金电子封装材料性能的影响
摘 要：以热等静压方法成形的 AlSi12、AlSi27、AlSi35、AlSi42、AlSi50、AlSi60、AlSi70、AlSi80系列的硅铝合金电子封装材料为研究对象，对 Si 含量对材料的金相组织、热物理性能、力学性能等的影响进行分析评估。
基于硅外延片用石墨基座的温度均匀性研究
摘 要：通过对电磁感应加热的硅外延化学气相沉积反应腔室建立理论分析模型，结合工程实验对比，研究了不同石墨材料和不同基座结构对基座表面温度均匀性的影响。结果显示，在工程中，选择合适的石墨材料、设计合适的基座结构对硅外延片电阻率均匀性有着很大的影响，但在提升产品质量的同时也要平衡经济效益。
基于弱取向外延生长多晶薄膜的OLED研究进展
摘要：有机晶体材料中分子排列规则，形成长程有序、缺陷态密度低的结构，相对于非晶态材料具有很好的热稳定性、化学稳定性以及高的载流子迁移率，使得有机晶体材料在发展高性能 OLED 方面具有巨大的潜力。本文总结了近期利用弱取向外延生长技术发展的多晶薄膜 OLED（C‐OLED）系列工作。
碳材料复合金属氧化物在柔性超级电容器的研究进展
摘要：柔性超级电容器因电容量大、可快速充放电、长寿命等优点，在轻便、多功能可穿戴柔性电子产品中具有重要地位。其中，基于碳材料的超级电容器，在导电性、循环稳定性以及机械柔韧性等方面表现优异。然而，由于有限的比表面积，碳材料的双电层比电容提升空间非常有限。金属氧化物，因具有高的理论赝电容，是超级电容器另一类重要的电极材料；但是金属氧化物也面临着导电性差、循环不稳定等缺点。将金属氧化物与碳材料复合，通过充分利用二者各自的优势，来协同提高超级电容器的综合性能是近年来超级电容器研究的一个重要方向。本文综述了碳量子点、一维碳纳米管、石墨烯、三维生物碳等多种形式的碳材料与金属氧化物的复合，以及复合电极材料在柔性超级电容器上应用的最新进展。着重从材料的制备、复合方式到柔性超级电容器储能性能等角度来介绍不同形式的碳材料在复合金属氧化物上各自的特点和优势。最后，对碳基复合材料柔性超级电容器的发展前景进行展望。
