HBM制造技术演进与今后的发展趋势
摘要：随着智能数据应用的飞速发展，内存带宽限制导致的算力瓶颈日益明显。面对市场对高性能计算和数据处理能力不断攀升的需求，解决这一瓶颈问题正变得越来越具有挑战性。在这一背景下，高带宽内存（High Bandwidth Memory，HBM）被视为突破算力瓶颈的关键方案之一，并且已经成为当前先进封装技术领域的研发热点。本文将回顾HBM 制造工艺的发展历程，分析其技术优势，并对其未来的发展方向进行展望。
增强型GaN HEMT器件的实现方法与研究进展
摘要：考虑到实际应用对可靠性、设计成本及能耗的要求，增强型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件比传统耗尽型GaN HEMT器件优势更显著。目前有许多方法可以实现增强型GaNHEMT 器件，如使用p 型栅技术、凹栅结构、共源共栅（Cascode） 结构、氟离子处理法、薄势垒AlGaN层以及它们的改进结构等。分别对使用以上方法制备的增强型GaN HEMT器件进行了综述，并对增强型GaN HEMT器件的最新研究进展进行了总结，探索未来增强型GaN HEMT器件的发展方向。
引线框架用高性能铜合金板带材及制备工艺
摘要：电子信息产业的飞速发展， 对铜及铜合金产品性能提出了更高的要求， 其中集成电路封装用引线框架材料代表了铜合金板带材发展的较高水平。本文对近年来引线框架用高性能铜合金板带材及制备工艺进行了综述，介绍了国内外高性能铜合金板带材料的成分和制备加工技术及发展过程，并对其未来发展趋势进行了展望，提出未来高性能铜板带材性能将朝着抗拉强度为700MPa、 导电率为70% IACS的目标发展，其制备工艺将向着智能化、绿色化、高效化等方向发展。
有机封装基板的芯片埋置技术研究进展
摘要：有机封装基板为IC提供支持、保护和电互联，是IC封装最关键的材料之一。系统级、微型化和低成本是IC封装的趋势，将有源、无源元件埋入封装基板，可以充分利用基板内部空间，释放更多表面空间，是减小系统封装体积的重要途径，因此有机封装基板的芯片埋置技术发展迅速。主要介绍有机封装基板的埋置技术发展过程，归纳了有机基板芯片埋置工艺路线类型，着重介绍了近十年不同的芯片埋置技术方案及其应用领域。在此基础上，对有机封装基板的埋置技术研究前景进行了展望。
电子元器件低温焊接技术的研究进展
摘要：低温焊接技术是实现电子元器件多级封装和高温服役的关键技术之一。针对高可靠电子元器件封装对于低温连接、高温服役的焊接技术的需求，从材料制备工艺、焊料熔点变化和焊接工艺技术等方面对纳米金属颗粒低温烧结、瞬时液相低温烧结和颗粒增强低温焊接（烧结） 工艺进行了综述。纳米金属颗粒低温烧结工艺形成的焊点稳定服役温度高于300℃，其制备复杂，烧结工艺对焊膏的依赖性较强，进一步优化焊料配方及其烧结工艺为其主流研究方向。瞬时液相低温烧结工艺，通过形成高熔点金属间化合物焊点提高其耐高温性能，其内部组分及耐高温性能对焊接工艺依赖性较强，明确焊点组分以及耐高温性能、焊接工艺为其主流研究方向。颗粒增强低温焊接（烧结） 工艺，通过形成高温富集相与金属间化合物提升熔点，回流焊后熔点提升较小，明确其熔点与组分的变化规律为其研究重点。
基于TSV倒装焊与芯片叠层的高密度组装及封装技术
摘要：系统级封装（SiP）及微系统技术能够在有限空间内实现更高密度、更多功能集成，是满足宇航、武器装备等高端领域电子器件小型化、高性能、高可靠需求的关键技术。重点阐述了基于硅通孔（TSV）转接板的倒装焊立体组装及其过程质量控制、基于键合工艺的芯片叠层、基于倒装焊的双通道散热封装等高密度模块涉及的组装及封装技术，同时对利用TSV 转接板实现多芯片倒装焊的模组化、一体化集成方案进行了研究。基于以上技术实现了信息处理SiP模块的高密度、气密性封装，以及满足多倒装芯片散热与CMOS图像传感器（CIS）采光需求的双面三腔体微系统模块封装。
直立石墨烯柔性导热材料制备技术现状与进展
摘要: 近年来电子元器件朝着高密度、高集成和微型化的方向发展,可以快速转移多余热量的热界面材料随之成为研究热点,石墨烯因其优良的导热性能成为制备热界面材料的理想选择之一。为了将发热源产生的热量迅速传递到散热板上,诱导石墨烯在竖直方向上的排列成为值得关注的研究方向。本文根据材料中石墨烯的来源及导热薄膜成型方式,主要介绍两类直立排列的石墨烯柔性导热材料制备工艺,分别为自下而上法和自上而下法。自上而下法包括介电泳法、机械组装法、定向冷冻法、水热还原法和蒸发诱导自组装法等,自下而上法主要指利用化学气相沉积法直接生长石墨烯。
Ag-Pd合金电子结构和电导率的第一性原理计算
摘要：针对微电子封装领域引线键合材料中常用的Ag-Pd这一合金体系,本实验使用第一性原理计算方法研究了钯掺杂含量对银合金电学性能的影响。使用VASP软件,基于108原子的面心立方超晶胞模型研究了Ag-Pd固溶体的基态电子结构,计算了包括态密度和超晶胞的有效能带。结果表明,Pd掺杂引入的态密度主要分布在-6 eV 到-3 eV 和-1.8 eV 左右两个区间,这两组态密度均在倒易空间第一布里渊区内均匀分布。针对超晶胞模型和基态计算的局限性使用SPR-KKR 软件,以KKR-GF-CPA 方法结合德拜模型和Kubo线性响应理论计算了不同温度下不同Pd含量的Ag-Pd合金电导率数据。在有实验值覆盖的范围,计算结果同实验值符合良好,变化趋势符合物理规律。
SiC车用电机驱动研究发展与关键技术
摘要：碳化硅（SiC）器件具有低导通压降、可高速开关、可高温工作等优点，在车用电机驱动方面显示出巨大的技术优势和市场潜力。论述了SiC MOSFET器件实现高频、高温性能的难点，分别综述了模块、测试、电容、EMI 滤波器、系统集成等方面的技术重点和主要研究方向，介绍了提升电机驱动产品性能的关键。
单晶CVD金刚石的制备方法及提高其生长速度的新思路
摘要:化学气相沉积（CVD）金刚石是一种人造碳功能材料，不仅具有优异的综合性能，还可以被制作成二维或三维的形态，在电子/电力、量子信息等领域有着巨大的应用价值和广阔的应用前景，被认为是21世纪重要的材料之一。为促进CVD金刚石这种新型材料产业化制备大幅度发展，尽快满足新兴领域和社会生活进步的需求，本文围绕提高该类材料的生长速度这一工程核心问题，通过对CVD金刚石制备原理和现有技术特点的总结，分析出目前CVD金刚石制备效率低下的原因不仅在于现有技术制备工艺的低效，更为重要的是解决问题的研究思路存在着局限性。因此，提出了将研究思路从“探寻关键激元”转移到“遵从晶体生长控制规律”来提高金刚石生长速度的建议，并着重探讨了温度梯度对决定晶体生长速度起关键作用的传质效率的影响。
