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电喷印刷柔性传感器

电喷印刷柔性传感器

摘要：柔性传感器因其在弯折、扭曲、拉伸等大变形条件下具有稳定的传感性能,所以在软体机器人、可穿戴电子和生物医疗等领域具有潜在的应用前景,受到了国内外研究者的广泛关注。与传统光刻技术相比,印刷技术制造作为增材制造,具有绿色、低成本和可大面积制造的优势,被广泛应用于柔性电子器件制备。其中,电流体动力喷墨打印(电喷印) 技术因其具有多种功能材料的兼容性,被认为最有可能替代传统的光刻技术,实现柔性传感器高分辨率和跨规模制造。近年来,电喷印技术在微型化柔性传感器制造领域显示出广泛的应用潜力。本综述重点介绍了电喷印刷柔性传感器的工艺、材料和应用的最新研究进展。首先,详细介绍了电流体动力喷墨打印技术的工作原理,总结了用于电喷印的各种功能性墨水材料,然后,介绍了电喷印刷中墨水和柔性基底间表界面调控的问题。随后,综述了电喷印方法在柔性压力传感器、柔性气体传感器和柔性电化学传感器等柔性传感器制造的应用进展。最后,总结讨论了下一代电喷印刷技术在柔性传感器领域的机遇与挑战。
光电 2024年05月07日
柔性电致变色材料的研究与发展

柔性电致变色材料的研究与发展

摘要：随着可穿戴电子器件的应用普及，柔性电子器件已经成为当前研究的热点。柔性电致变色器件因具有绿色环保、低成本、可大面积、适应性强和生产运输方便等优良特性，在新型智能显示、建筑智能窗、汽车后视镜、智能眼镜、可穿戴设备和军事伪装等众多领域得到广泛应用。从柔性电致变色结构出发，讨论了柔性衬底、电极材料、电致变色材料和电解质材料等功能层，指出了提升柔性电致变色器件性能的关键，明确了器件材料与结构的关系，指出其当前存在的问题并对未来的发展趋势做出展望。
光电 2024年04月30日
线锯切片技术及其在碳化硅晶圆加工中的应用

线锯切片技术及其在碳化硅晶圆加工中的应用

摘要：作为制备半导体晶圆的重要工序，线锯切片对半导体晶圆的质量具有至关重要的影响。本文以发展最成熟的硅材料为例，介绍了线锯切片技术的基本理论，特别介绍了线锯切片技术的力学模型和材料去除机理，并讨论了线锯制造技术及切片工艺对材料的影响。在此基础上，综述了线锯切片技术在碳化硅晶圆加工中的应用和技术进展，并分析了线锯切片技术对碳化硅晶体表面质量和损伤层的影响。最后，本文指出了线锯切片技术在碳化硅晶圆加工领域面临的挑战与未来的发展方向。
光电 2024年04月30日
微型陶瓷封装体电阻器电镀工艺

微型陶瓷封装体电阻器电镀工艺

摘要：针对微型陶瓷封装体电阻器的特点和用户对零件的特殊性能要求，介绍了其电镀工艺实施过程的注意事项。探讨了各工序溶液体系、镀层厚度、电镀工艺条件、导电介质的形状及大小等因素对电阻器可焊性和耐焊接热性能的影响。最终确定对微型陶瓷封装体电阻器先电镀半光亮镍再电镀哑光锡，得到具有优良附着力、焊接性和耐焊接热性能的镀层。
光电 2024年04月30日
电镀铜技术在电子材料中的应用

电镀铜技术在电子材料中的应用

摘要：电镀铜层具有良好的导电、导热、延展性等优点，因此，电镀铜技术被广泛应用于电子材料制造领域。本文概括了几种常用电镀铜体系的特点，重点介绍了在电子制造中应用较广的酸性硫酸盐电镀铜镀液的组成和各成分作用。简述了电镀铜在铜箔粗化、印制电路制作、电子封装、超大规模集成电路（ULSI）铜互连领域的应用，并对近年来电子工业中应用的几种先进电镀铜技术，包括脉冲电镀铜技术、水平直接电镀铜技术、超声波电镀铜技术、激光电镀铜技术等进行了评述。
光电 2024年04月29日
蓝宝石化学机械抛光液的研究进展

蓝宝石化学机械抛光液的研究进展

摘要：简介了蓝宝石化学机械抛光(CMP)的基本原理，从磨料、pH 调节剂、表面活性剂、配位剂和其他添加剂方面概述了近年来蓝宝石CMP 体系的研究进展，展望了蓝宝石CMP 体系未来的研究方向。
光电 2024年04月29日
电子封装陶瓷基板表面镀金修饰与腐蚀机理

电子封装陶瓷基板表面镀金修饰与腐蚀机理

摘要：高可靠电子封装基板多通过镀Au进行表面修饰，形成保护层，从而避免表面导体的氧化和腐蚀。介绍了化学镀镍/浸金(ENIG)和化学镀镍/钯/浸金(ENEPIG)这两个主流镀金工艺，探讨了相应镀Au基板变色、氧化、腐蚀等问题的特征、过程和机理。Ni/Au 镀层腐蚀主要与Ni–Au扩散、Ni–P腐蚀、杂质腐蚀等因素有关；Ni/Pd/Au镀层的腐蚀主要由Au层缺陷、镀层剥离、有机污染等原因导致。归纳了镀Au基板的两类腐蚀模型：一类是干热条件下即可完成的氧化腐蚀，另一类是电解质溶液环境中发生的原电池腐蚀。
光电 2024年04月29日
磁耦数字隔离器陶瓷封装技术研究

磁耦数字隔离器陶瓷封装技术研究

摘要：研究磁耦数字隔离器的陶瓷封装技术，分析了金丝球焊、硅铝丝楔焊经高温贮存后键合强度和键合失效模式的变化对可靠性的影响以及微变压器线圈压焊点的距离、腔体的压力、腔体里的气体种类对隔离电压的影响。研究结果表明，硅铝丝楔焊的可靠性更高；微变压器线圈压焊点的距离越大，腔体的压力越大，隔离电压越大；腔体内为电负性气体的隔离电压大于惰性气体。
光电 2024年04月29日
碳化硅器件挑战现有封装技术

碳化硅器件挑战现有封装技术

摘要：碳化硅（SiC）器件的新特性和移动应用的功率密度要求给功率器件的封装技术提出了新的挑战。现有功率器件的封装技术主要是在硅基的绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）等基础上发展起来的，并一直都在演进，但这些渐进改良尚不足以充分发挥SiC器件的性能，因而封装技术需要革命性的进步。在简述现有封装技术及其演进的基础上，主要从功率模块的角度讨论了封装技术的发展方向。同时讨论了功率模块的新型叠层结构以及封装技术的离散化、高温化趋势，并对SiC器件封装技术的发展方向做出了综合评估。
光电 2024年04月29日
LTCC封装技术研究现状与发展趋势

LTCC封装技术研究现状与发展趋势

摘要：低温共烧陶瓷（Low Temperature Co-Fired Ceramics, LTCC）封装能将不同种类的芯片等元器件组装集成于同一封装体内以实现系统的某些功能，是实现系统小型化、集成化、多功能化和高可靠性的重要手段。总结了LTCC基板所采用的封装方式，阐述了LTCC基板的金属外壳封装、针栅阵列（Pin Grid Array, PGA）封装、焊球阵列（Ball Grid Array, BGA）封装、穿墙无引脚封装、四面引脚扁平（Quad Flat Package, QFP） 封装、无引脚片式载体（Leadless Chip Carrier, LCC）封装和三维多芯片模块（Three-Dimensional Multichip Module, 3D-MCM）封装技术的特点及研究现状。分析了LTCC基板不同类型封装中影响封装气密性和可靠性的一些关键技术因素，并对LTCC封装技术的发展趋势进行了展望。
光电 2024年04月29日