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基于纳米铜膏的导电结构激光并行扫描烧结成型技术

基于纳米铜膏的导电结构激光并行扫描烧结成型技术

摘要：针对柔性基板中导电结构的快速成型，对纳米铜膏的多道激光并行扫描烧结技术进行了优化。探究了不同功率和填充间距对激光烧结过程中的纳米铜膏烧结形貌和电阻率的影响，得出最佳的工艺参数。适当缩小间距可提高烧结程度和导电性，但间距过小易导致基板过热。实验结果表明，最佳工艺参数组合为功率170 mW、间距10 μm、光斑直径15 μm，此时烧结线路呈现金属铜色，并形成网状烧结结构，测得电阻率为5.32×10－6 Ω·cm。对比聚酰亚胺（PI） 和聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET） 薄膜在激光烧结过程中的效果，分析了基板的耐热性和透光性对烧结效果的影响机理，为后续清洗工艺提供可行性参考。
光电 2025年10月09日
微纳铜材料的制备及其在封装互连中的应用

微纳铜材料的制备及其在封装互连中的应用

摘要：半导体器件的快速发展对封装互连材料提出了更高的要求。微纳铜材料具有良好的导电、导热和机械性能。与常用的微纳银相比，微纳铜具有更强的抗电迁移能力和更低的成本，在封装互连领域被广泛应用。微纳铜材料的制备方法可分为化学法、物理法、生物法3 类，其中化学液相还原法以低成本、高可控、工艺简单等优势占据重要地位。不同的封装互连工艺步骤需要不同形貌的微纳铜颗粒。微纳铜材料在封装互连中主要应用于芯片固晶、Cu-Cu键合、细节距互连等工艺，探讨了微纳铜材料在以上工艺中的应用，并对微纳铜材料在封装互连中的应用进行了展望。
光电 2025年09月18日
CVD金刚石膜研究进展

CVD金刚石膜研究进展

摘要:金刚石由于其优异的声、光、电、热和力学性能，是重要的功能材料之一。金刚石的制备方法主要有高温高压方法和低压化学气相沉积方法。化学气相沉积法因制备得到的样品质量高、面积大，设备简单、可规模化等特性，是合成金刚石膜的重要方法。为了实现低合成压力条件下的金刚石膜的均匀、快速、大尺寸、高质量生长，目前研究人员在金刚石低压生长的控制方面做出了深入的研究。文章综述了近年来化学气相沉积法（包括热丝CVD 法、离子体增强CVD 法、燃烧火焰CVD 法）生长金刚石膜的研究进展，包括金刚石膜的生长机理、关键设备、关键工艺参数等。此外，还详细讨论了生长过程中的关键工艺参数与金刚石膜生长速率和质量的关系，这些对化学气相沉积制备金刚石膜的研究、生产至关重要。
光电 2025年09月16日
遥感大模型：综述与未来设想

遥感大模型：综述与未来设想

摘要：深度学习极大地推动了遥感图像处理技术的发展，在精度和速度方面展现了显著优势。然而，深度学习模型在实际应用中通常需要大量人工标注的训练样本，且其泛化性能相对较弱。近年来，视觉基础模型和大语言模型的发展为遥感图像处理的大模型研究引入了新的范式。遥感大模型也称为遥感基础模型，基础模型因其在下游任务中的卓越迁移性能而备受瞩目，这些模型首先在大型数据集上进行与具体任务无关的预训练，然后通过微调适应各种下游应用。基础模型在语言和视觉及其他领域已经得到了广泛应用，其在遥感领域的潜力也正逐渐引起学术界的重视。然而，目前针对这些模型在遥感任务中的全面调查和性能比较仍然缺乏。由于自然图像与遥感图像之间存在固有差异，这些差异限制了基础模型的直接应用。在此背景下，本文从多个角度对常见的基础模型以及专门针对遥感领域的大模型进行了全面回顾，概述了最新进展，突出了面临的挑战，并探讨了未来发展的潜在方向。
光电 2025年09月15日
微电子封装用Cu键合丝研究进展

微电子封装用Cu键合丝研究进展

摘要: 引线键合仍然是微电子封装中最流行的芯片互连技术,在未来很长一段时间内都不会被其他互连方法所取代。Au键合丝由于其独特的化学稳定性、可靠的制造和操作性能,几十年来一直是主流半导体封装材料。然而,Au键合丝价格的急剧上涨促使业界寻找用于微电子封装的替代键合材料,如Cu键合丝。与Au键合丝相比,使用Cu键合丝的主要优势是更低的材料成本、更高的电导率和热导率,使更小直径的Cu键合丝能够承受与Au键合丝相同的电流而不会过热,以及更低的Cu和Al之间的反应速率,这有助于提高长期高温存储条件下的键合可靠性。文章首先简要介绍了键合丝的发展历史。其次,介绍了Cu键合丝的可制造性和可靠性。最后,提出了键合丝的发展趋势。
光电 2025年09月13日
面向超高频植入式RFID芯片的温度传感器研制

面向超高频植入式RFID芯片的温度传感器研制

摘要：基于0.18μｍ工艺设计并实现了一款用于超高频植入式RFID芯片的温度传感器。该温度传感器将MOS管作为感温元件，采用基于亚阈值MOS管的低功耗感温核心。传感器利用PTAT和CTAT两种电压延时器构成脉宽产生电路，从而生成脉宽信号，并与时间数字转换器（TDC）一起构成温度量化电路。核心电路的版图面积为298μｍ×261μｍ，测温范围为35～45℃。流片测试结果表明，三颗芯片在两点校准后的测温最大误差为±0.4℃，关键温区的最大误差为±0.2℃，实测功耗为623ｎＷ。基于流片实测结果，发现了当前芯片的局限性，并提出了未来芯片结构的改进方向。
光电 2025年09月11日
基于专利数据的中国AI 芯片创新态势研究

基于专利数据的中国AI 芯片创新态势研究

摘要：以大模型为核心的新一代人工智能生成内容（AIGC）技术（以下简称生成式人工智能技术）正代表着AI 技术新的发展方向，而当前对于大模型的发展共识（即堆积算力和高质量数据可以继续创造“奇迹”）同时也促使人工智能科技创新转入“万卡”时代。由AI 芯片所构筑的算力“护城河”成为支撑AI 迈向通用人工智能（AGI）的必备需求。为研判我国AI 芯片技术创新的发展态势，本文对我国专利数据进行了检索和分析，梳理和描绘了AI 芯片技术的创新现状与趋势，并探索构建了代表性创新主体的创新潜力专利评估因子，以期形成对未来发展势能的理解与判断。最后，基于专利数据解读和分析，形成了助推我国AI 芯片创新发展的有关建议。
光电 2025年09月10日
全球专用集成电路发展现状及趋势

全球专用集成电路发展现状及趋势

摘要：2023年专用集成电路（ASIC）的市场规模和比重均达历史新高，持续增长的动力强劲。本文面向专用集成电路需求，从销售额、比重、细分应用领域发展分化等方面分析了ASIC的市场规模与分布，从终端需求、能源约束、供应链和价格等方面总结了ASIC兴起的主要驱动力。同时，提出ASIC发展的几个趋势：新一轮半导体上行周期将推动ASIC比重首次过半，领域专用架构、开源处理器指令集架构、芯粒成为半导体产业成长的主要技术驱动力，半导体产品“通久必专”推动产业模式“分久必合”。
光电 2025年09月09日
离子束表面加工设备及工艺研究

离子束表面加工设备及工艺研究

摘要：本文介绍了一种用于红外芯片金属化与刻蚀工艺的离子束表面加工设备。通过实验探索不同工艺角度下薄膜沉积速率与均匀性及刻蚀速率与均匀性的影响，结果表明薄膜沉积均匀性与刻蚀均匀性均优于3%。同时经过产线流片，红外芯片表面薄膜均匀性良好、一致性高，芯片电路图案刻蚀陡直性高、损伤低，满足红外芯片金属化与刻蚀工艺需求。
光电 2025年09月08日