金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望
刘帅伟1,2,关春龙1,鲁云祥2,王祥兵2,吕昱翰2,赵磊2,易剑2,江南2 (1.河南工业大学材料科学与工程学院;2.中国科学院宁波材料技术与工程研究所,海洋关键材料重点实验室,浙江省海洋材料与防护技术重点实验室)
摘要:随着半导体电子器件的集成化与小型化发展,金刚石优异的热导性、电导性成为制备半导体衬底的理想材料。为了满足半导体行业对电子器件高精度和高可靠性能的要求,需对金刚石表面进行抛光处理。然而,金刚石高硬度、高耐磨性、高化学惰性的特点,使金刚石的加工面临诸多困难,现有的金刚石抛光技术都有一定的自身优势和不足,急需一种在保证效率的情况下,同时获得光滑、平整、低损伤的金刚石表面抛光技术。因此,本文对金刚石抛光技术的国内外相关文献进行了梳理,总结了机械抛光、热化学抛光、化学机械抛光、等离子体刻蚀抛光、激光抛光等技术的原理与优缺点,对未来金刚石抛光技术来说,应朝着多种技术相互搭配以及智能化、精密化、环保化的方向发展,进而拓展金刚石材料的应用范围。
关键词:金刚石;半导体;抛光技术;表面粗糙度;材料去除率;平整度
目录介绍
1 机械抛光(MP)
1.1 MP的优点
1.2 MP的缺点
2 热化学抛光(TCP)
2.1 TCP的优点
2.2 TCP的缺点
3 化学机械抛光(CMP)
3.1 CMP的优点
3.2 CMP的缺点
4 等离子体刻蚀抛光(PEP)
4.1 PEP的优点
4.2 PEP的缺点
5 激光抛光(LP)
5.1 LP的优点
5.2 LP的缺点
6 结束语
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