集成电路用高纯金属溅射靶材发展研究

何金江,吕保国,贾倩,丁照崇,刘书芹,罗俊锋,王兴权
摘要:高纯金属溅射靶材是集成电路用关键基础材料,对实现集成电路用靶材的全面自主可控,推动集成电路产业高质量发展具有基础性价值。本文分析了集成电路用高纯金属溅射靶材的应用需求,梳理了相应高纯金属溅射靶材的研制现状,涵盖高纯铝及铝合金、高纯铜及铜合金、高纯钛、高纯钽、高纯钴和镍铂、高纯钨及钨合金等细分类别。在凝练我国高端靶材制备关键技术及工程化方面存在问题的基础上,着眼领域2030 年发展目标,提出了集成电路用高纯金属溅射靶材产业的重点发展方向:提升材料制备技术水平,攻克高性能靶材制备关键技术,把握前沿需求开发高端新材料,提升材料分析检测和应用评价能力。研究建议,开展“产学研用”体系建设,解决关键设备国产化问题,加强人才队伍建设力度,掌握自主知识产权体系,拓展国际合作交流,以此提升高纯金属溅射靶材的发展质量和水平。
关键词:高纯金属;溅射靶材;集成电路;薄膜;金属化

目录介绍

一、前言

二、集成电路用高纯金属溅射靶材应用需求分析

(一)材料功能需求

(二)产业发展需求

三、集成电路用高纯金属溅射靶材的发展现状

(一)集成电路用高纯金属溅射靶材行业的整体情况

1. 国际情况

2. 国内情况

(二)集成电路用高纯金属溅射靶材的细分方向研制情况

1. 高纯铝及铝合金靶材

2. 高纯铜及铜合金靶材

3. 高纯钛靶材

4. 高纯钽靶材

5. 高纯钴和镍铂靶材

6. 高纯钨及钨合金靶材

7. 其他高纯金属及合金靶材

四、我国集成电路用高纯金属溅射靶材发展挑战分析

(一)部分靶材产品和关键原材料依赖进口

(二)材料性能一致性和稳定性不高、智能化制造水平待提升

(三)面向前沿的新材料验证机会少、验证周期长

(四)加工和检测环节的关键设备不满足需求

五、我国集成电路用高纯金属溅射靶材的重点发展方向

(一)提升高纯金属材料制备技术水平,实现批量稳定生产

(二)攻克高性能靶材制备关键技术,驱动靶材智能化生产

(三)瞄准电子信息技术前沿需求,开发高端新材料

(四)提升分析检测与应用评价能力,完善材料标准及评价体系建设

六、集成电路用高纯金属溅射靶材发展建议

(一)以应用为牵引,加强“产学研用”体系建设

(二)解决关键设备国产化问题,实现智能化生产

(三)加大优势团队支持力度,加强人才队伍建设

(四)掌握自主知识产权,开展标准体系建设

(五)加强国际合作交流,做好全球化布局

 

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