宽禁带半导体碳化硅IGBT器件研究进展与前瞻

张峰，张国良 （厦门大学物理科学与技术学院）

摘要：碳化硅（SiC）宽禁带半导体材料是目前电力电子领域发展最快的半导体材料之一。绝缘栅双极晶体管（IGBT）是全控型的复合器件，具有工作频率高、开关损耗低、电流密度大等优点，是高压大功率变换器中的关键器件之一。但SiC IGBT 存在导通电阻高、关断损耗大等缺点。针对上述挑战，对国内外现有的新型SiC IGBT 结构进行了总结。分析了现有的结构特点，结合新能源电力系统的发展趋势，对SiC IGBT的结构改进进行了归纳和展望。

关键词：碳化硅；双极型；导通电阻；关断损耗