增强型GaN HEMT器件的实现方法与研究进展

穆昌根1，党睿2，袁鹏1，陈大正1 （1.西安电子科技大学微电子学院；2. 西安航天精密机电研究所）

摘要：考虑到实际应用对可靠性、设计成本及能耗的要求，增强型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件比传统耗尽型GaN HEMT器件优势更显著。目前有许多方法可以实现增强型GaNHEMT 器件，如使用p 型栅技术、凹栅结构、共源共栅（Cascode） 结构、氟离子处理法、薄势垒AlGaN层以及它们的改进结构等。分别对使用以上方法制备的增强型GaN HEMT器件进行了综述，并对增强型GaN HEMT器件的最新研究进展进行了总结，探索未来增强型GaN HEMT器件的发展方向。

关键词：GaN HEMT器件；凹栅结构；p-GaN；薄势垒