石墨烯压力传感器Au-Si共晶键合的气密性封装
摘 要: 针对石墨烯压力传感器的高气密性封装要求, 设计了一种应用于石墨烯压力传感器的Au-Si 键合工艺。采用Au-Si 键合工艺只需要在传感器的密封基板表面生长一层100 nm 的SiO2 , 并在生长的SiO2表面溅射金属密封环,密封环金属采用50 nm / 300 nm 的Ti / Au。使用倒装焊机在380 ℃ 以及16 kN 的压力环境下保持20 min 完成传感器芯片与基板的键合, 实现石墨烯压力传感器的气密性封装。关键词: Au-Si 键合; 石墨烯; 压力传感器; 气密封装
目录介绍
1 实验
1. 1 传感器设计
1. 2 传感器制作工艺流程
1. 3 石墨烯压力传感器Au-Si 键合工艺流程
2 结果与讨论
2. 1 键合界面分析
2. 2 剪切力测试
2. 3 气密性检测
2. 4 电学性能分析
3 结论
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