车用SiC-MOSFET的应用与技术发展综述

李尊,张政,吴毅卓,王学耀(陕西法士特齿轮有限责任公司)
摘要:针对硅基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)难以进一步满足电动汽车高功率密度、低导通损耗、高散热能力等需求的不足,综述了车用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC-MOSFET)的最新研究进展。通过总结SiCMOSFET在电动汽车牵引逆变器、DC/DC电源变换器和车载充电机(OBC)应用场景下的特点,分析了目前车用SiCMOSFET在成本、可靠性及散热方面的技术挑战,并探讨了其在微型化、先进封装、多芯片集成和成本方面的发展趋势。
关键词:电动汽车碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管;功率半导体芯片;导通损耗;转换效率

目录介绍

1 前言

2 SiC-MOSFET在电动汽车上的应用优势

2.1 SiC-MOSFET在牵引逆变器上的应用优势

2.2 SiC-MOSFET在车载DC/DC电源变换器中的应用优势

2.3 SiC-MOSFET在OBC中的应用优势

3 车用SiC-MOSFET 技术面临的挑战

3.1 成本问题

3.2 可靠性问题

3.2.1 栅氧问题

3.2.2 体二极管可靠性问题

3.2.3 短路问题

3.3 散热问题

4 车用SiC-MOSFET发展趋势

4.1 微型化

4.2 先进封装技术

4.3 多芯片集成

4.4 未来成本趋势

5 结束语

 

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