硅化钛薄膜的制备与应用
徐向勤1，杜军2 （1.江铃汽车集团；2.南昌大学环境科学与工程学院化工系）
摘要：金属硅化物因其薄膜电阻率低, 熔点高，化学性质稳定，在微电子领域具有广阔的使用前景。本文系统地阐述了硅化钛的性质、制备方法（包括自对准硅化物技术及CVD技术）及其应用。对硅化钛在集成电路中的应用进行了重点介绍。
关键词：硅化钛；薄膜；微电子；集成电路
目录介绍
1 前言
2 硅化钛的制备
2.1 自对准硅化物技术
2.2 CVD技术
2.2.1 常压化学气相沉积（APCVD）
2.2.2 低压化学气相沉积（LPCVD）
2.2.3 等离子激发化学气相沉积（PECVD）
2.2.4 激光诱导化学气相沉积
3 TiSi2 薄膜的应用
3.1 作为ULSI中MOS、CMOS、MOSFET、DRAM的门、互联、源/漏极、欧姆接触的连接材料
3.2 用于高压和大功率的设备中
3.3 作为微电极或微传感器材料
3.4 作为调光隔热材料
4 结论
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