高性能固态超级电容器:钴镍双金属硫化物负载的石墨烯气凝胶电极

摘要:固态超级电容器具有比液体电解质基的超级电容器安全性高,易于集成的优势,但它在实际应用中仍受到电极结构不稳定和高电容存储能力的限制。本文设计以三聚氰胺泡沫(MF) 作为氧化石墨烯(GO) 和Co2+、Ni2+离子浸渍的载体,利用MF 多孔网络骨架、GO 中含氧官能团负电荷与带正电金属离子产生的静电相互作用,经水热反应制得被褶皱GO 包覆“类海胆状”Ni−Co 前驱体负载的MF 泡沫,后经碳化和硫化过程产生了纳米NiCo2S4 颗粒均匀分散的多孔NiCo2S4/石墨烯气凝胶/三聚氰胺泡沫(GM) 气凝胶材料。得益于NiCo2S4 丰富的电化学位点、石墨烯较大比表面积和优异导电性的协同作用,加速了电解质的快速渗透,加快了OH−扩散和Ni2+/Co2+离子与OH−之间氧化还原反应过程中的电子/离子转移速率,使得所制备NiCo2S4/GM电极在电流密度为0.5 A·g−1 时,比电容高达2 515.3 F·g−1 且具有较高的倍率和循环稳定性能。用KOH/聚乙烯醇凝胶电解质构建的NiCo2S4/GM//活性炭(AC) 固态超级电容器功率密度为14.9 W· kg−1 时能量密度可达51.6 W·h·kg−1,循环10 000 次后其比电容保持率为93.5%。该研究制备的石墨烯气凝胶均匀负载纳米NiCo2S4颗粒是一种性能优异电极材料,且具有良好的实际应用前景。

纳米压印二维空气柱柔性光子晶体力致变色性能与应用

摘要:针对柔性光子晶体结构变色范围小、柔性不足的问题,基于纳米压印技术设计制备了一种具有三角形排布二维空气柱纳米结构的柔性光子晶体。通过多种试验手段分析了柔性光子晶体的力致变色性能和工作稳定性,并对其在应变感知及动态显示领域的应用进行了研究。结果表明:当对柔性光子晶体进行单轴拉伸时,随着拉伸应变的不断增大,样品颜色逐渐蓝移,反射光谱带隙中心波长变化量达到了180 nm,颜色可以覆盖整个可见光范围。同时,样品在2 000 次循环拉伸试验下表现出很好的性能稳定性。本文制备的柔性光子晶体兼具变色范围大与应变小的特征,可以弥补传统柔性应变传感器对小应变灵敏度不足的缺陷,同时可以用于实现可见光动态显示。

我国新一代信息技术产业发展回顾与展望

摘要:新一代信息技术产业是国民经济的战略性、基础性和先导性产业,是建设制造强国、实现高质量发展的重要支撑。本文基于详实的数据,从产业规模、产业结构、创新能力和融合应用四方面,全面梳理了2015—2025 年我国新一代信息技术产业的总体进展和成绩。与此同时,结合制造强国战略中确定的重点发展领域,细化分析了我国在通过应用牵引、产业协同等方式加快新一代信息技术产业发展的具体实践,着重对核心零部件自给不足、集成电路先进工艺滞后、高端软件受制于人等短板问题进行了分析。展望未来十年,我国新一代信息技术产业将以支撑新型工业化为核心目标,聚焦创新引领、供应链韧性、全域渗透、开放共赢四大方向,采取重大战略部署、多策并举推进等方式,重点突破第六代移动通信、人工智能、量子信息等前沿技术,全力攻克高端芯片、核心软件、关键装备等“卡脖子”环节,加快推进新一代信息技术向经济社会全域渗透,深化数实融合,为中国式现代化提供强劲动能。

AI浪潮下的信息技术光电融合

摘要:人工智能(AI)有望催生第四次工业革命,凸显我国信息技术自主发展的紧迫性和重要性。光电融合为AI 发展提升硬件支撑能力,是领域内需要重点发展的新质生产力技术。本文分析了光电融合的重要意义,总结了光电融合的内涵、演进路径,并介绍了相关技术的研究进展,剖析了AI 浪潮下信息技术光电融合发展面临的机遇和挑战。光电融合是AI 基础设施发展的内在要求,AI 赋能可有效促进光电融合技术进步与突破。研究建议,善用AI 促进光电融合技术攻关、实施光电融合重大创新工程、营造充满活力的光电融合创新生态、培育和壮大有国际竞争力的光电融合创新主体,多措并举协同发力,把握住AI浪潮下信息硬件技术变轨机遇,有效提升我国信息科技自主发展能力。

磁场和超声波在沉铜技术中的应用研究进展

摘要:[目的]电子器件微型化与高性能化对铜镀层提出了严苛要求,传统电镀铜与化学镀铜工艺在沉积效率、镀层均匀性及综合性能方面都面临挑战。[方法]综述了磁场与超声波这两种物理场辅助技术在沉铜技术中的应用研究进展。探讨了两种物理场对离子传输、界面反应、结晶过程及镀层微观结构的调控机制。[结果]磁场主要通过磁流体动力学(MHD)效应有效强化传质、细化晶粒并改善镀层均匀性,甚至可实现微观结构的定向生长。超声波则凭借其空化效应与微射流作用,显著提高沉积速率、镀层致密性与结合力,并有效促进复合镀层中纳米颗粒的均匀分散。两种方法都能克服传统工艺的某些固有缺点。[结论]磁场与超声波辅助技术是提升沉铜镀层性能的有效途径,具有绿色、高效的特点,应用前景广阔。

集成电路化学机械抛光终点检测技术研究进展

摘要:化学机械抛光(CMP)是集成电路制造中实现晶圆表面平坦化的关键工艺。CMP 终点检测技术通过实时测量晶圆表面薄膜的厚度以实现抛光压力的动态分区调节,从而精确控制晶圆表面形貌及材料去除率,对于确保抛光质量和均匀性至关重要。系统综述了CMP 终点检测技术的研究现状,重点分析了离线检测方法(时间法)与在线检测方法(摩擦力法、光学法、电涡流法)的基本原理、技术特点及前沿进展。根据检测精度、多材料适用性和成本等指标对不同终点检测技术进行了综合评价,揭示了其在CMP 工艺中的适用性及局限性。最后,为了满足先进制程对检测精度和可靠性的苛刻需求,探讨了终点检测技术在多物理信号融合、智能监测算法、设备集成化和低成本设计等方面的发展方向。

高端芯片用半导体基片原子级磨削技术的研究现状与发展趋势

摘要:随着集成电路、功率器件等高端半导体器件向微型化与高性能化发展,单晶硅、碳化硅、氮化铝、氧化镓、氮化镓等半导体材料的超精密加工面临原子级精度需求。作为半导体基片平整化与减薄加工的核心工艺,原子级磨削技术直接决定了器件的使役性能,成为制约芯片制造精度的关键技术瓶颈。为了实现半导体基片的原子级磨削加工,需要对半导体基片超精密磨削理论和工艺全面深入的理解。围绕半导体基片原子级磨削加工的表面材料去除机理和加工工艺两个方面,对国内外研究现状进行了系统的论述与总结,分析了目前半导体基片原子级磨削技术面临的难题及未来的发展趋势,以期为后续相关技术的深入研究提供理论支撑。

芯片化学机械抛光中磨料技术研究进展

摘要:芯片作为数字经济的基石,朝着集成化、低功耗化、智能化、功能化方向发展。化学机械抛光(Chemical mechanicalpolishing, CMP)是实现芯片表面超光滑、无缺陷的全局和局部平坦化制造的关键使能技术。抛光液中的磨料是化学和机械作用协同实施的“桥梁”,是CMP 实现多种材料高效率、原子级光滑制造的关键,成为抛光液研究的重要一环。人们致力于开发用于芯片制造的高性能磨料,并取得了长足的进步。首先介绍了磨料在CMP 材料去除中的作用机理和对抛光性能的影响,总结了典型磨料如SiO2、Al2O3、CeO2 和金刚石在芯片CMP 中的相关研究进展,重点介绍了不同种类磨料在CMP 中的应用和改性策略。此外,还讨论了新型磨料与能场辅助抛光技术的结合和纳米尺度下磨料的CMP 行为的研究新热点。同时对磨料在芯片CMP 中的应用进行了前瞻性展望,旨在为后续研究提供有力的理论支撑与指导方向。

单晶金刚石表面平坦化技术的发展与挑战

摘要:作为新一代超宽禁带半导体材料,单晶金刚石(SCD)凭借其优异的物理特性(禁带宽度5.5 eV,击穿场强9.9 MV/cm,热导率22 W/(cm·K)),被视为突破硅基集成电路性能极限的理想材料。然而,其极高硬度(莫氏硬度10)和极强化学惰性使其表面加工面临重大挑战,特别是晶圆级平坦化技术已成为制约金刚石集成电路发展的关键瓶颈。聚焦集成电路制造需求,系统评述了单晶金刚石抛光技术的最新进展,重点分析了机械类、高能束和多场耦合三大类抛光方法的材料去除机理、影响因素及局限性。机械类抛光(如机械抛光和超声波辅助抛光等)工艺过程简单,但硬对硬摩擦易引入表面损伤,难以实现亚纳米级抛光;高能束抛光(如激光抛光、离子束抛光和等离子体抛光等)利用高能粒子代替磨粒来抛光,这类抛光存在选择性差、热影响区深、高能粒子注入等问题,难以实现低亚表面损伤及亚纳米级平坦化;多场耦合抛光(如化学机械抛光和等离子体辅助抛光等)通过场间耦合效应实现表面平坦化,但抛光工艺复杂且速率较低。尽管现有技术在不同应用场景中取得了一定进展,但仍无法完全满足亚纳米级精度、低损伤、高速率的抛光需求。未来的研究应致力于开发新型抛光技术,结合多种抛光方法的优势,推动单晶金刚石在高端芯片制造领域的广泛应用。

金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望

摘要:随着半导体电子器件的集成化与小型化发展,金刚石优异的热导性、电导性成为制备半导体衬底的理想材料。为了满足半导体行业对电子器件高精度和高可靠性能的要求,需对金刚石表面进行抛光处理。然而,金刚石高硬度、高耐磨性、高化学惰性的特点,使金刚石的加工面临诸多困难,现有的金刚石抛光技术都有一定的自身优势和不足,急需一种在保证效率的情况下,同时获得光滑、平整、低损伤的金刚石表面抛光技术。因此,本文对金刚石抛光技术的国内外相关文献进行了梳理,总结了机械抛光、热化学抛光、化学机械抛光、等离子体刻蚀抛光、激光抛光等技术的原理与优缺点,对未来金刚石抛光技术来说,应朝着多种技术相互搭配以及智能化、精密化、环保化的方向发展,进而拓展金刚石材料的应用范围。