基于弱取向外延生长多晶薄膜的OLED研究进展
摘要：有机晶体材料中分子排列规则，形成长程有序、缺陷态密度低的结构，相对于非晶态材料具有很好的热稳定性、化学稳定性以及高的载流子迁移率，使得有机晶体材料在发展高性能 OLED 方面具有巨大的潜力。本文总结了近期利用弱取向外延生长技术发展的多晶薄膜 OLED（C‐OLED）系列工作。
基于硅外延片用石墨基座的温度均匀性研究
摘 要：通过对电磁感应加热的硅外延化学气相沉积反应腔室建立理论分析模型，结合工程实验对比，研究了不同石墨材料和不同基座结构对基座表面温度均匀性的影响。结果显示，在工程中，选择合适的石墨材料、设计合适的基座结构对硅外延片电阻率均匀性有着很大的影响，但在提升产品质量的同时也要平衡经济效益。
硅含量对硅铝合金电子封装材料性能的影响
摘 要：以热等静压方法成形的 AlSi12、AlSi27、AlSi35、AlSi42、AlSi50、AlSi60、AlSi70、AlSi80系列的硅铝合金电子封装材料为研究对象，对 Si 含量对材料的金相组织、热物理性能、力学性能等的影响进行分析评估。
超级电容器及其电极材料纳米三氧化钼的研究进展
摘 要：介绍了超级电容器的工作原理和应用现状，对其三大系列电极材料———炭材料、金属氧化物、导电聚合物的研究进展进行综述，并重点分析了纳米三氧化钼作为超级电容器电极材料的应用前景。 关键词：超级电容器；电极材料；纳米三氧化钼；工作原理；应用现状
半导体光电阴极的研究进展
摘要：半导体光电阴极具有量子效率高、暗电流小的优点，被广泛应用于光电倍增管、像增强器等各类真空光电探测和成像器件，促进了极弱光的超快探测和成像技术的发展。另外作为能够产生高品质电子束的真空电子源，用于加速器光注入器、电子显微镜等科学装置。本文首先介绍了目前常用半导体光电阴极的分类以及在真空光电探测成像、真空电子源领域的具体应用。然后对碱金属碲化物光电阴极、碱金属锑化物光电阴极、GaAs光电阴极三类典型半导体光电阴极的制备技术进行了总结，并介绍了微纳结构、低维材料、单晶外延等新技术在半导体光电阴极研制中的应用。最后对半导体光电阴极的技术发展进行了展望。
LTCC 高精密封装基板工艺技术研究
摘 要：将激光修调、化学镀、光刻等技术与常规低温共烧陶瓷 （Low Temperature Co-Fired Ceramic,LTCC） 基板工艺技术相结合，对 LTCC 高精密封装基板的制作工艺进行开发和优化，并利用 9K7 材料进行了基板试制。
LED散热片合金材料的研究进展
摘要：综述了影响LED散热片合金材料散热性的主要因素，以及稀土元素改善合金散热性的作用和散热片挤压工艺中应注意的问题，并展望了轻质合金散热片的研究方向。
