半导体光催化过氧化氢合成研究进展

摘要:近年来, 半导体光催化过氧化氢(H2O2)合成因其相较于传统化学合成方法在能耗和环保方面具有显著优势而受到了广泛关注, 在污染物处理、化学品合成、生物医疗等领域展现出良好的应用前景. 然而, 由于半导体光催化H2O2合成涉及复杂的反应机制以及产物相对较高的化学活性, 其在催化体系的设计、性能评估及优化方面呈现出一定的特殊性, 这也成为了当前研究的重点与难点. 本文聚焦半导体光催化H2O2合成, 对近期该领域的研究进展进行了综述. 在简要介绍H2O2产生机制基础上, 从催化体系筛选、催化反应器设计、性能评估、优化策略开发、应用场景拓展等方面对相关研究进行总结、归纳; 讨论了半导体光催化H2O2合成研究面临的挑战, 展望了该领域未来的研究方向及可能的突破点.

后摩尔时代中国集成电路产业生态发展进路

摘要:后摩尔时代是指微处理器性能约每两年就能翻一番的“摩尔定律”失效之后的时代,主要表现为集成电路的材料密度和工艺技术逼近物理极限,以及能耗成本的大幅上升。面对后摩尔时代引发的技术变局和产业变局,以及数字经济时代来临所创造的新赛道新机遇,本文基于More Moore、More than Moore、BeyondCMOS 三种主流技术路线,提出后摩尔时代中国集成电路产业发展的生态战略,包括成熟生态、场景驱动生态、未来产业生态、国际化生态四种类型。为破解后摩尔时代集成电路产业发展难题,应把握中国超大规模市场和新型举国体制的优势,坚持构建自主可控、兼容已有成熟生态的第二生态,充分利用丰富应用场景拓展产业生态边界,主动围绕未来产业布局优势产业生态,积极融入全球创新生态和国际化产业生态。

微纳电子静电打印:原理、工艺及应用

摘要:随着电子器件向小型化、集成化、多功能化方向发展,传统电子制造技术在制造精度、材料适应性、工艺灵活性等方面暴露出局限性,而静电打印技术已发展为微纳电子增材制造的一种新手段,故综述了微纳电子静电打印的技术原理、材料工艺及潜在应用。首先,阐述该技术的基本原理,着重介绍了微滴喷射、泰勒锥射流两种打印模式;接着,探讨金属纳米材料油墨、金属前驱体油墨和液态金属等不同电子材料的静电打印工艺特点和适用范围;最后,总结该技术在微纳电路、柔性电子、曲面电子及生物传感等领域的最新应用研究,并展望其未来研究方向,以促进静电打印技术在微纳电子领域的技术发展。

石墨烯复合材料在超级电容器中的研究进展

摘要:超级电容器因其体积比传统电容器更小、更快的充放电过程以及更长的循环使用寿命而受到了储能行业的普遍重视.超级电容器是一种高级的能量储能装置,它利用电极和电解质之间的双层电荷分布来储存能量,具有无污染、可持续发展等的优势.其中最熟悉的石墨烯材料应用最广泛,并发挥重要作用.概述了石墨烯的历史、制造技术,并对最近几年石墨烯与其他材料在超级电容器中的应用进行了回顾和展望.

多元素协同晶界扩散:现状与发展

摘要:航空航天、新能源、轨道交通等领域的发展对高性能高温度稳定性钕铁硼永磁提出了紧迫的需求。高性能磁体对战略重稀土Dy、Tb的依赖导致了中国稀土资源应用不平衡的现状,而晶界扩散技术可通过在晶粒表面形成重稀土壳层大幅提升矫顽力,是目前重稀土利用最高效的技术,近年来在国内外引起了广泛关注和大范围产业化推广。然而,目前产业普遍采用纯重稀土及其化合物作为扩散源,存在重稀土容易在表层堆积、扩散深度浅和利用效率低等问题。基于国内外最新进展和作者团队的研究工作,本文讨论了不同元素在钕铁硼中的冶金行为和扩散特性,提出利用轻稀土和非稀土元素部分替代重稀土形成合金扩散源的思路,通过多元素协同作用实现重稀土壳层局域化,大幅提升重稀土扩散效率,降低扩散成本。同时对不同元素在扩散过程中对磁体矫顽力、温度稳定性、力学性能和耐蚀性等方面的作用进行了阐述,并对未来发展方向进行了展望。

人工智能芯片先进封装技术

摘要:随着人工智能(AI)和集成电路的飞速发展,人工智能芯片逐渐成为全球科技竞争的焦点。在后摩尔时代,AI芯片的算力提升和功耗降低越来越依靠具有硅通孔、微凸点、异构集成、Chiplet等技术特点的先进封装技术。从AI芯片的分类与特点出发,对国内外典型先进封装技术进行分类与总结,在此基础上,对先进封装结构可靠性以及封装散热等方面面临的挑战进行总结并提出相应解决措施。面向AI应用,对先进封装技术的未来发展进行展望。

大尺寸有机基板的材料设计与封装翘曲控制

摘要:倒装芯片球栅阵列(FCBGA) 基板具有尺寸大、层数多等特点,可以满足大尺寸芯片超高速运算的需求。随着芯片尺寸的增大,有机基板的翘曲问题变得更加突出,因此,需要对有机基板材料在热膨胀系数(CTE)、模量、树脂收缩率、应力控制等方面进行升级。对FCBGA基板使用的大尺寸有机基板材料进行研究,重点研究其关键性能参数,如CTE、模量和树脂收缩率等,进一步探讨了对树脂基体、无机填料和玻璃纤维布等材料的选择以及生产制造过程中的应力控制,并对大尺寸有机基板材料技术的发展趋势进行了展望。

有机封装基板的芯片埋置技术研究进展

摘要:有机封装基板为IC提供支持、保护和电互联,是IC封装最关键的材料之一。系统级、微型化和低成本是IC封装的趋势,将有源、无源元件埋入封装基板,可以充分利用基板内部空间,释放更多表面空间,是减小系统封装体积的重要途径,因此有机封装基板的芯片埋置技术发展迅速。主要介绍有机封装基板的埋置技术发展过程,归纳了有机基板芯片埋置工艺路线类型,着重介绍了近十年不同的芯片埋置技术方案及其应用领域。在此基础上,对有机封装基板的埋置技术研究前景进行了展望。

晶圆键合设备对准和传送机构研究综述

摘要:随着微机电系统和3D集成封装的快速发展,多功能高性能器件、小体积低功耗器件、耐高温耐高压器件以及小型化高集成度器件是目前封装领域研究的重点。晶圆键合设备对于这些高性能、多功能、小型化、耐高温、耐高压、低功耗的集成封装器件的量产起着至关重要的作用,因此对晶圆键合设备及其对准机构和传送机构的研究也十分重要。介绍了常用的晶圆键合设备与晶圆键合工艺、对准机构和传送机构的工作原理以及主要的晶圆键合设备厂商现状,同时对晶圆键合设备对准和传送机构的发展趋势进行展望,其未来将朝着高精度、高对准速度、高吸附度和高可靠性的方向发展。

射频组件用键合金带的研究进展

摘要:射频组件的飞速发展促进了5G通信技术的推广应用。金带作为射频组件封装用关键键合材料,将板级系统集成于1 个完整的组件电路系统中,对组件尺寸和性能起着至关重要的作用。目前键合金带的研究与开发已经成为学术界和产业界的研究热点,对近年来射频组件用键合金带在工业应用中的研究进展进行论述和分析,归纳了微量元素对金带的强化机理和对键合性能的影响。重点介绍了键合金带与键合金丝的微波特性,在相同条件下,键合金带的信号传输能力优于金丝,尤其是在高频段(20 GHz以上)键合金带信号传输能力更加显著。对键合金带的制备工艺和工程应用中遇到的问题进行了梳理,总结了键合金带未来的发展趋势。