金刚石半导体器件研究概述

杜昊临1,李卓然1,陈喆2(1.无锡市临碳电子科技有限公司;2.北京遥测技术研究所)
摘要:半个多世纪以来半导体基础材料经历了从锗、硅为代表的第一代,砷化镓、磷化铟为代表的第二代,碳化硅、氮化镓、氮化铝为代表的第三代的逐步演化。在演化过程中,更快响应,更高功率,更强稳定性始终是人们不断追求的目标。尽管现有半导体器件已经极大的推动了人类文明的进步且创造了巨大的价值,但是第四代半导体材料——金刚石展现出来的各种特性依旧使人欣喜和对未来充满信心。本文将概述现阶段金刚石半导体器件研究的进展,包括金刚石材料的制备,金刚石二极管、发光二极管、三极管、场效应管,金刚石传感器,金刚石微机械等等。
关键词:金刚石;CVD ;金刚石半导体;金刚石功率器件;金刚石传感器

目录介绍

0 引言

1 金刚石的物理特性

2 金刚石的制备

2.1 高温高压法的具体工艺流程

2.2 微波等离子化学气相沉积

3 金刚石半导体器件

3.1 金刚石半导体功率器件

3.1.1 肖特基二极管

3.1.2 PiN二极管

3.1.3 金属氧化物场效应管(MOSFET)

3.2 金刚石深紫外传感器和发光器件

3.2.1 深紫外传感器

3.2.2 金刚石发光器件

3.3 金刚石微机电系统(MEMS)

4 总结

 

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