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集成电路化学机械抛光终点检测技术研究进展

集成电路化学机械抛光终点检测技术研究进展

摘要：化学机械抛光（CMP）是集成电路制造中实现晶圆表面平坦化的关键工艺。CMP 终点检测技术通过实时测量晶圆表面薄膜的厚度以实现抛光压力的动态分区调节，从而精确控制晶圆表面形貌及材料去除率，对于确保抛光质量和均匀性至关重要。系统综述了CMP 终点检测技术的研究现状，重点分析了离线检测方法（时间法）与在线检测方法（摩擦力法、光学法、电涡流法）的基本原理、技术特点及前沿进展。根据检测精度、多材料适用性和成本等指标对不同终点检测技术进行了综合评价，揭示了其在CMP 工艺中的适用性及局限性。最后，为了满足先进制程对检测精度和可靠性的苛刻需求，探讨了终点检测技术在多物理信号融合、智能监测算法、设备集成化和低成本设计等方面的发展方向。
光电 2026年06月17日
磁场和超声波在沉铜技术中的应用研究进展

磁场和超声波在沉铜技术中的应用研究进展

摘要：[目的]电子器件微型化与高性能化对铜镀层提出了严苛要求，传统电镀铜与化学镀铜工艺在沉积效率、镀层均匀性及综合性能方面都面临挑战。[方法]综述了磁场与超声波这两种物理场辅助技术在沉铜技术中的应用研究进展。探讨了两种物理场对离子传输、界面反应、结晶过程及镀层微观结构的调控机制。[结果]磁场主要通过磁流体动力学(MHD)效应有效强化传质、细化晶粒并改善镀层均匀性，甚至可实现微观结构的定向生长。超声波则凭借其空化效应与微射流作用，显著提高沉积速率、镀层致密性与结合力，并有效促进复合镀层中纳米颗粒的均匀分散。两种方法都能克服传统工艺的某些固有缺点。[结论]磁场与超声波辅助技术是提升沉铜镀层性能的有效途径，具有绿色、高效的特点，应用前景广阔。
光电 2026年06月18日
AI浪潮下的信息技术光电融合

AI浪潮下的信息技术光电融合

摘要：人工智能（AI）有望催生第四次工业革命，凸显我国信息技术自主发展的紧迫性和重要性。光电融合为AI 发展提升硬件支撑能力，是领域内需要重点发展的新质生产力技术。本文分析了光电融合的重要意义，总结了光电融合的内涵、演进路径，并介绍了相关技术的研究进展，剖析了AI 浪潮下信息技术光电融合发展面临的机遇和挑战。光电融合是AI 基础设施发展的内在要求，AI 赋能可有效促进光电融合技术进步与突破。研究建议，善用AI 促进光电融合技术攻关、实施光电融合重大创新工程、营造充满活力的光电融合创新生态、培育和壮大有国际竞争力的光电融合创新主体，多措并举协同发力，把握住AI浪潮下信息硬件技术变轨机遇，有效提升我国信息科技自主发展能力。
光电 2026年06月18日
我国新一代信息技术产业发展回顾与展望

我国新一代信息技术产业发展回顾与展望

摘要：新一代信息技术产业是国民经济的战略性、基础性和先导性产业，是建设制造强国、实现高质量发展的重要支撑。本文基于详实的数据，从产业规模、产业结构、创新能力和融合应用四方面，全面梳理了2015—2025 年我国新一代信息技术产业的总体进展和成绩。与此同时，结合制造强国战略中确定的重点发展领域，细化分析了我国在通过应用牵引、产业协同等方式加快新一代信息技术产业发展的具体实践，着重对核心零部件自给不足、集成电路先进工艺滞后、高端软件受制于人等短板问题进行了分析。展望未来十年，我国新一代信息技术产业将以支撑新型工业化为核心目标，聚焦创新引领、供应链韧性、全域渗透、开放共赢四大方向，采取重大战略部署、多策并举推进等方式，重点突破第六代移动通信、人工智能、量子信息等前沿技术，全力攻克高端芯片、核心软件、关键装备等“卡脖子”环节，加快推进新一代信息技术向经济社会全域渗透，深化数实融合，为中国式现代化提供强劲动能。
光电 2026年06月22日
纳米压印二维空气柱柔性光子晶体力致变色性能与应用

纳米压印二维空气柱柔性光子晶体力致变色性能与应用

摘要：针对柔性光子晶体结构变色范围小、柔性不足的问题，基于纳米压印技术设计制备了一种具有三角形排布二维空气柱纳米结构的柔性光子晶体。通过多种试验手段分析了柔性光子晶体的力致变色性能和工作稳定性，并对其在应变感知及动态显示领域的应用进行了研究。结果表明：当对柔性光子晶体进行单轴拉伸时，随着拉伸应变的不断增大，样品颜色逐渐蓝移，反射光谱带隙中心波长变化量达到了180 nm，颜色可以覆盖整个可见光范围。同时，样品在2 000 次循环拉伸试验下表现出很好的性能稳定性。本文制备的柔性光子晶体兼具变色范围大与应变小的特征，可以弥补传统柔性应变传感器对小应变灵敏度不足的缺陷，同时可以用于实现可见光动态显示。
光电 2026年06月24日
高性能固态超级电容器：钴镍双金属硫化物负载的石墨烯气凝胶电极

高性能固态超级电容器：钴镍双金属硫化物负载的石墨烯气凝胶电极

摘要：固态超级电容器具有比液体电解质基的超级电容器安全性高，易于集成的优势，但它在实际应用中仍受到电极结构不稳定和高电容存储能力的限制。本文设计以三聚氰胺泡沫(MF) 作为氧化石墨烯(GO) 和Co2+、Ni2+离子浸渍的载体，利用MF 多孔网络骨架、GO 中含氧官能团负电荷与带正电金属离子产生的静电相互作用，经水热反应制得被褶皱GO 包覆“类海胆状”Ni−Co 前驱体负载的MF 泡沫，后经碳化和硫化过程产生了纳米NiCo2S4 颗粒均匀分散的多孔NiCo2S4/石墨烯气凝胶/三聚氰胺泡沫(GM) 气凝胶材料。得益于NiCo2S4 丰富的电化学位点、石墨烯较大比表面积和优异导电性的协同作用，加速了电解质的快速渗透，加快了OH−扩散和Ni2+/Co2+离子与OH−之间氧化还原反应过程中的电子/离子转移速率，使得所制备NiCo2S4/GM电极在电流密度为0.5 A·g−1 时，比电容高达2 515.3 F·g−1 且具有较高的倍率和循环稳定性能。用KOH/聚乙烯醇凝胶电解质构建的NiCo2S4/GM//活性炭(AC) 固态超级电容器功率密度为14.9 W· kg−1 时能量密度可达51.6 W·h·kg−1，循环10 000 次后其比电容保持率为93.5%。该研究制备的石墨烯气凝胶均匀负载纳米NiCo2S4颗粒是一种性能优异电极材料，且具有良好的实际应用前景。
光电 2026年06月26日
铋基光催化材料压电性能的研究进展

铋基光催化材料压电性能的研究进展

摘要：光催化作为一种绿色、有效的高级氧化技术，在有机污染物的降解中得到了广泛研究。大多光催化材料由于其光生载流子的快速复合限制了其光催化性能的有效发挥。为了提高催化效率，催化材料的压电性受到越来越多的关注。其中铋（Ｂｉ）基材料作为一种新型的半导体催化材料，同时具有光催化活性和压电催化活性，可以将太阳能和机械能进行耦合，促进有机污染物的降解。然而，在Ｂｉ基压电光催化材料的设计和应用方面仍存在许多空白。综述了压电－光催化系统的组成和提高催化性能的基本机理，研究了增强Ｂｉ基压电－光催化材料的性能策略（元素掺杂、形貌调控、构建异质结等）。针对目前压电－光催化技术存在的挑战和发展前景，对Ｂｉ基光催化材料在环境及能源领域的发展前景进行了展望。
光电 2026年06月29日
微电子封装用芯片散热界面材料研究进展

微电子封装用芯片散热界面材料研究进展

摘要：热界面材料是保证芯片正常工作必须采用的关键材料，其目的是高效导出芯片服役过程中不断产生的大量热量。本文详细介绍了热界面材料的分类和组成；分别归纳和评述了两类热界面材料的制备技术、核心性能和最新研究成果；针对热界面材料服役过程中出现的问题，阐述了热界面材料的导热机理和芯片散热效率测量方法。移动端电子产品的芯片散热界面材料正朝着高热导率、轻量化、制造与使用全程环保等方向发展。
光电 2026年06月30日
氢气传感器的研究进展与智能应用展望

氢气传感器的研究进展与智能应用展望

摘要：氢能技术的发展和应用对于改善未来能源结构、促进环境保护、实现“碳达峰”和“碳中和”的目标、努力兼顾经济发展和绿色转型同步进行意义重大。氢气是一种高效但危险的气体，其安全使用的问题一直是研究的热点。为了感知氢气，氢气传感器被广泛应用于各种氢能的生产、存储、运输和使用过程中。氢气传感器按照其工作原理可以分为催化型、电阻型、电化学型、光学型、声表面波型、热导型和磁性型。近年来，随着物联网技术、人工智能技术的发展以及“智能制造”“工业4.0”概念的深入人心，亟需在氢能应用的各个过程中引入更加智能化的传感器系统。本文综述了各类型氢气传感器的工作原理和研究现状，分析对比文献报道的和商用的氢气传感器，探究现有氢气传感器的智能应用场景和实例，并对氢气传感器及其智能应用进行展望。
光电 2026年07月01日
碳化硅单晶制备方法及缺陷控制研究进展

碳化硅单晶制备方法及缺陷控制研究进展

摘要：碳化硅（SiC）作为第三代半导体具有禁带宽度大、载流子迁移率高、热导率高和稳定性良好等优异特性，在电力电子器件领域尤其是高温、高频、高功率等应用场景下有着巨大潜力。目前用于SiC晶体生长的主要技术包括物理气相传输（PVT）法、高温化学气相沉积（HTCVD）法和顶部籽晶溶液生长（TSSG）法。在SiC单晶生长和外延过程中，不可避免地会产生各种类型的缺陷，这些缺陷对半导体器件的性能会产生显著影响，具体表现为击穿电压降低、漏电流增加以及导通电阻变化等，这些性能的变化不仅会降低器件的效率和可靠性，还可能导致器件完全失效。因此，为了提高SiC半导体器件的良率和性能，在器件制造之前降低和控制SiC晶体生长过程中产生的各种缺陷变得非常重要。本文对当前SiC单晶的制备方法、SiC晶体生长过程中产生的缺陷及其检测技术进行了归纳总结，分析研究了SiC晶体生长过程中产生的缺陷之间的转化及影响因素，并讨论了降低SiC单晶缺陷密度的方法，最后对SiC单晶生长过程中缺陷的控制技术发展方向进行了展望。
光电 2026年07月03日