硅基GaAs系材料异质外延与硅基激光器研究动态

王俊, 翟浩, 王琦, 刘昊, 刘凯, 张翼东, 杨一粟, 黄永清, 任晓敏, 刘帅呈, 狄雨童(北京邮电大学信息光子学与光通信全国重点实验室)
摘要:随着近年来光通信、光计算和光传感等需求的爆发式增长,硅光子技术在芯片内(超短距离)和长距离两个尺度方向快速取代传统技术方案。作为硅光芯片核心技术的单片集成硅基光源(激光器)成为新一代大规模硅光集成芯片技术的关键。在简要回顾单片集成硅基GaAs 系激光器材料和器件的基础上,从硅基底GaAs/Si 材料、硅基GaAs 系量子阱激光器材料及器件、基于单片集成光源的硅光芯片级系统研究3 个层面,分别介绍和评析了相关主要节点研究工作情况,并着重介绍了面向实用化要求的无偏角硅基GaAs/Si 材料研究和更具挑战的高可靠性硅基量子阱激光器方面的研究进展。
关键词:硅基光电子;硅基外延激光器;量子阱激光器;量子点激光器;单片集成

目录介绍

1 引言

2 高质量GaAs/S(i 001)材料制备

3 高可靠性硅基GaAs系量子阱激光器

4 高性能硅基GaAs系量子点激光器

5 直接外延Ⅲ -Ⅴ族光学器件的单片集成

6 总结与展望


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