应用于高密度多层光存储的聚合物基存储介质

摘要:飞秒微爆多层光存储是一种新型光存储技术,它通过在介质内部记录多层数据,成倍地扩充了光盘容量极限,有望解决传统光盘容量过低的问题。但由于飞秒微爆多层光存储信息记录过程受到多种材料因素的共同影响,导致长期缺乏介质材料选择的理论依据。文中选择误码率作为光存储性能的关键指标,测试对比了不同光学树脂的光存储性能。采用相关系数量化了材料的力学性质、热性质、光学性质、介电常数和高分子链结构与光存储性能之间的依赖关系,从而揭示出光学树脂的高分子链结构才是影响光存储性能的决定性影响因素。基于此发现,在聚甲基丙烯酸甲酯材料中实现了60层高密度多层光存储信息读写测试,容量密度达到1600 Gbits/cm3。

生物基导电水凝胶及其在柔性电子器件的应用

摘要:生物基导电水凝胶是将生物质材料和导电介质引入水凝胶中制备而成的导电材料,因其具有良好的生物相容性和亲肤性等优势,被广泛应用在柔性电子器件领域。本综述按照生物基体类别,分别介绍蛋白质基、多糖基、核酸基3 类常见的生物基导电水凝胶,分析了不同生物基材料的导电机制以及各自特有的功能,并介绍了生物基导电水凝胶在柔性传感器、柔性电化学储能器件、摩擦纳米发电机、仿生柔性电子设备等柔性电子器件中的应用,最后对生物基导电水凝胶的发展趋势进行了总结与展望。

铋烯材料生长控制及光电子器件应用研究进展

摘要:石墨烯和其他二维材料凭借其自身独特的物理和化学性能,引起了科学和工程领域的广泛关注。探索新型二维材料体系并扩展其应用范围是研究人员的热点研究内容。其中,第五主族单元素二维烯(二维磷烯、二维砷烯、二维锑烯、二维铋烯) 具有较窄的且可调节的能带宽度、高的载流子迁移率、良好的透光性和优异的光电子学性能,成为二维材料及其在光电子应用领域的新的研究对象。鉴于此方面,从基本物理结构、材料的制备方法和在光电子方面的应用深入分析二维铋烯的相关理论以及实验研究的工作进展。在材料的可控制备方面,重点围绕二维铋烯的电化学剥离法展开相应论述。最后讨论了二维铋烯在光电子学应用领域的现状,包括在超快光电子学器件的应用,并且对二维铋烯未来的发展进行了展望。

Mg掺杂氧化镓研究进展

摘要: 氧化镓( Ga2O3)材料具有超宽禁带宽度、高击穿电场强度,在电力电子器件和光电器件领域具有巨大应用前景。虽然氧化镓难以实现p型导电,但仍可以利用p型掺杂调控能带实现电学性能设计。实验上已验证的氧化镓p型掺杂杂质有Mg、Fe、N、Zn、Cu、Ni、Co 等,其中,Mg掺杂由于形成能最低、能级位置最靠近价带顶,以及掺入方法多而被大量研究。本文聚焦Mg掺杂,首先对Mg 掺杂氧化镓的受主能级的理论计算认识和实验测试结果进行综述; 接着总结了Mg掺杂氧化镓半绝缘单晶和外延层的各种掺杂方法、掺杂浓度,以及在热处理中Mg扩散等关键问题; 最后指出关于Mg掺入、激活及扩散机制还值得进一步研究,并对其未来进行了展望。

金刚石半导体及功率肖特基二极管研究进展和挑战

摘要:金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。其产业化仍需解决几个关键技术问题:大尺寸单晶外延生长、高质量晶圆制备技术、高效可控的掺杂技术及先进终端结构。首先,介绍了拼接生长以及异质外延获得大尺寸单晶衬底的研究进展。进而,综述了大尺寸单晶金刚石位错、缺陷调控技术及其加工技术的研究进展。最后,从功率器件设计及制备角度总结了金刚石掺杂及终端结构设计面临的挑战并提出了潜在的解决方案。

纳米二氧化铈的制备及其在光催化领域研究进展

摘要:综述了近年来纳米CeO2常规合成方法基础上改进的制备方法,重点介绍了近年来纳米CeO2在光催化领域的最新研究进展,认为采用控制形貌掺杂改性等方法,可有效提高纳米CeO2光催化的高效性和稳定性。纳米CeO2作为光催化剂,具有极好的光催化潜能,并对其未来的发展进行了展望。有助于进一步揭示纳米CeO2研究中所面临的主要科学技术问题以及今后的改进措施。

具有聚集诱导发光功能的圆偏振发光液晶材料

摘要:圆偏振光是光矢量端点轨迹为圆的光,它在传播时光矢量的大小不变而振动方向随相位而改变。通常,非偏振光首先通过偏振片转化为线偏振光,再通过λ/4 波片分解为左旋或右旋圆偏振光。这一物理过程所获得的圆偏振光能量损耗一般超过50%。而通过构筑聚集诱导发光手性液晶分子直接获得圆偏振光,可以获得高的荧光量子效率和大的不对称因子,有效降低了能量损耗。因此, 聚集诱导发光手性液晶受到了研究人员的广泛关注。本文基于聚集诱导发光基团修饰手性液晶分子的设计与合成,以及手性聚集诱导发光分子体系掺杂向列相液晶这两类方法,综述了本领域的研究进展,讨论了聚集诱导发光液晶分子结构设计和聚集态的形成对圆偏振发光和聚集诱导发光性能的影响,展望了这种新型光学材料所面临的机遇和挑战。

紫外氟化钙晶体的生长技术

摘要:氟化钙(CaF2)晶体具有极高的紫外光透过率(>90%@157 nm)、高的激光损伤阈值和低折射率,是实现深紫外光刻的关键材料。随着半导体行业对高精度和高分辨率光刻技术的不断追求,高品质氟化钙晶体及其生长成为人们关注的焦点。本文首先介绍了CaF2晶体的结构和性能特点,以及常见的晶体缺陷,列举了其在光刻系统中的应用要求;随后,介绍了紫外CaF2晶体的生长方法,包括提拉法、坩埚下降法、温度梯度法和平板法;基于现有研究进展,重点讨论了原料纯度和生长工艺在减少晶体缺陷、可定向生长高品质紫外CaF2晶体方面的影响;最后对晶体生长技术的未来进行了展望。

我国集成电路现代化产业体系构建的战略与路径思考

摘要:集成电路产业具有高度系统复杂性特征,其关键核心技术的突破高度依靠体系化能力支撑。美西方加速推进遏制中国崛起的“小院高墙”策略、“新华盛顿共识”和“去风险”等体系化政策,中国集成电路产业“阻链”“断链”等极端风险加剧;同时,面临中国式现代化和加快发展新质生产力的新使命新要求,亟须以新发展范式和战略逻辑加快推进集成电路产业现代化。文章基于新型国家创新体系、使命驱动型创新和场景驱动创新理论,探讨从“后发追赶”和“前瞻引领”双元整合视角,统筹“使命牵引”与“场景驱动”,重构集成电路技术创新体系,加快集成电路产业现代化;并进一步提出把握场景机遇、健全新型举国体制、统筹科技教育人才“三位一体”、建设国家级创新联合体、加强企业主导的产学研深度融合、构建全球本土化创新生态等对策思考,为加快以科技创新引领集成电路产业现代化、助力新质生产力培育提供理论与战略支撑。

金属与光子晶体组合型结构色颜料的制备及性能研究

摘要:[目的]基于干涉效应的法布里−珀罗(F-P)腔及介质层−吸收层−介质层−金属(DADM)结构的不透明结构色颜料由于包含一层很薄且对膜厚波动极其敏感的吸收层,在工业化生产中常常出现色相偏差大、工艺稳定性差、生产效率低等问题,亟需寻求一种更稳定高效且低成本的制备方式。[方法]设计了金属与一维光子晶体组合型(MPC)结构,其中不包含对膜厚波动敏感的薄吸收层,而是利用一个金属膜层来实现吸收和部分反射的作用,以实现在白色等浅色的底色上呈现颜色。采用物理气相沉积(PVD)工艺分别制备了 MPC和 DADM两种类型的结构色颜料 Pink 1和 Pink 2,分析了它们的光谱、物理性质及颜色。[结果]Pink 1、Pink 2 都是微米级片状不透明颜料,颜色随观察角度而异,在深色和浅色的底色上都可以呈现出颜色。与采用 DADM 结构的 Pink 2相比,采用 MPC结构的 Pink 1在饱和度及随观察角度不同而异色的能力稍弱,但其制备工艺和设备的容错率更高、稳定性更好。在保持颜料覆盖率和最高反射率等性能相近的情况下,Pink 1颜料的日均产能比 Pink 2 颜料高10% ~ 15%。通过改变 MPC膜层结构,还可以实现绿、蓝等新颜色,以及赋予结构色颜料磁性等其他功能。[结论]MPC结构有利于高效率、低成本地进行大规模生产,是一种获得中等饱和度及角度依赖性的不透明结构色颜料的可行方式。