电磁屏蔽导电涂料的研究与应用进展

摘要:为了深入了解电磁屏蔽导电涂料的制备与性能,促进高性能、低成本的电磁屏蔽导电涂料研究与应用发展,本文首先介绍了涂料的导电机制和电磁屏蔽基本原理。其次,以不同类别的导电填料和树脂基体为重点,系统介绍了各类材料结构、性能的差异对涂料整体性能的影响,综述了当前的研究进展及针对实际应用进行的多功能改良。最后,针对电磁屏蔽涂料目前在填料结构、填料合成、聚合物基体与填料的相容性的问题进行了总结及表达了对未来产业发展的展望。

离子束表面加工设备及工艺研究

摘要:本文介绍了一种用于红外芯片金属化与刻蚀工艺的离子束表面加工设备。通过实验探索不同工艺角度下薄膜沉积速率与均匀性及刻蚀速率与均匀性的影响,结果表明薄膜沉积均匀性与刻蚀均匀性均优于3%。同时经过产线流片,红外芯片表面薄膜均匀性良好、一致性高,芯片电路图案刻蚀陡直性高、损伤低,满足红外芯片金属化与刻蚀工艺需求。

SiC车用电机驱动研究发展与关键技术

摘要:碳化硅(SiC)器件具有低导通压降、可高速开关、可高温工作等优点,在车用电机驱动方面显示出巨大的技术优势和市场潜力。论述了SiC MOSFET器件实现高频、高温性能的难点,分别综述了模块、测试、电容、EMI 滤波器、系统集成等方面的技术重点和主要研究方向,介绍了提升电机驱动产品性能的关键。

柔性电化学传感器的材料选择研究进展

摘要:电化学传感器作为传统传感器的一种,具有效率高、响应性好和灵敏度高等优点。而柔性电化学传感器具有这些特点的同时,凭借其优异的柔韧性、拉伸性、可折叠性和电化学稳定性,被广泛应用于医疗卫生、环境监测和食品安全等方面。此外,该类传感器还具有方便携带、成本较低、灵敏度高和选择性好等特点。本文立足于柔性传感器活性材料的选择,从无机材料、有机材料、酶和天然材料入手,通过分析与总结近几年的研究成果,介绍材料的选择对电化学传感器性能的影响,重点阐述了不同材料在柔性电化学传感器方面的制备及应用,表明柔性电化学传感器在生产生活中发挥着不可替代的作用。最后对现阶段柔性传感器的研究应用存在的问题与挑战进行总结,并对其未来发展方向进行展望。

力致发光变色配合物材料的研究进展

摘要:力致发光变色材料作为一种智能光响应材料, 能够响应外力刺激作用, 表现出光物理信号的可逆转变.此类材料具备操作简便、响应灵敏、易于观测、可重复利用等优点, 被广泛应用于光学开关、安全密保、数据记录、安全防伪等诸多领域. 配合物材料将金属离子引入到有机分子堆积组装过程中, 可有效提升光热稳定性,配位驱动丰富分子间堆积模式, 为新型力致发光变色材料的设计提供突破口. 本综述对近五年力致发光变色配合物材料的研究进展进行了总结, 综合分析了此类材料的构筑策略、性能研究方法及潜在应用价值, 并从机理研究和实际应用两个方面提出亟待解决的问题, 以期早日实现工业化批量生产及实际应用.

超级电容器及其电极材料纳米三氧化钼的研究进展

摘 要:介绍了超级电容器的工作原理和应用现状,对其三大系列电极材料———炭材料、金属氧化物、导电聚合物的研究进展进行综述,并重点分析了纳米三氧化钼作为超级电容器电极材料的应用前景。  关键词:超级电容器;电极材料;纳米三氧化钼;工作原理;应用现状

电子封装铜互连线多场耦合可靠性及损伤机制的研究进展

摘要: 伴随着集成电路集成度的增加,芯片尺寸不断减小,铜互连线的尺寸也逐渐达到纳米级别,铜互连线在力、热、电多场耦合条件下的电迁移行为是影响小尺寸下其可靠性的重要因素。首先介绍了小尺寸铜互连面临的主要问题,如,电子散射及扩散阻挡层导致的电阻率的增加以及电迁移现象的加剧。其次,探讨了微观结构、宏观尺寸以及制作工艺等方面对铜互连线电迁移行为的影响,这些影响因素显著改变了铜互连线的电迁移行为及寿命; 介绍了对铜互连线进行电迁移行为及寿命预测的有限元法、相场法、熵损伤模型等模拟方法。最后,根据目前已知的影响电迁移的因素进一步指出了有望改善铜互连线的电迁移的发展策略以及研究方向,为高性能铜互连材料设计提供重要参考。

电缆屏蔽材料的种类及应用

摘要:介绍了金属丝编织防波套、金属复合带、半导电高分子材料、电化学镀屏蔽膜和导电涂料等电缆屏蔽材料的组成、结构、制造工艺、特点、应用及发展现状,有助于电缆制造厂商和用户根据实际工作条件,合理选择屏蔽材料及制造方法。

基于二维有机薄膜材料的忆阻器研究进展

摘要:忆阻器作为一种新型的电子元件,因具有存储与计算结合的潜力而受到广泛关注。二维有机薄膜(2D OTFs)材料具有原子级精确的层状结构、可调的电子特性和卓越的机械柔韧性,通过调控微观结构和表面化学特性,能够实现高效的电导率调控。近年来,基于2D OTFs的忆阻器因其超薄几何特性、优异的柔性和可调的电学性能,成为研究的热点。本文综述了2D OTFs在忆阻器中的应用研究进展,包括材料的可控制备方法、电阻切换机理及其在实际应用中的前景与挑战,并对未来的研究方向进行了展望。

铜基板面积、焊锡和导电铜箔厚度对高功率密度LED极限光电性能的影响

摘要:高功率密度LED器件能实现传统光源和普通 LED 器件无法实现的诸多功能,将半导体照明技术链推向了一个崭新的高度。在实际应用中,单颗 LED 器件需要在数百瓦及近100 A电流下工作,铜基板面积、焊锡和导电铜箔厚度均会对该类型 LED 器件的极限光电性能这一关键指标产生显著影响。本文将单颗极限电功率为300W和200 W的两种规格的LED蓝光和白光器件,分5μm、100μm 和200μm 三个焊锡厚度,分别贴片焊接在直径为 20 mm、25 mm和32 mm 三种不同面积的热电分离铜凸台基板上,测试了当散热器温度分别为25℃、50℃、75 ℃和100℃时蓝光LED 器件光功率、白光LED光通量及其灯板导线焊点间的电压随电流的变化。同时,还研究了铜基板的导电铜箔厚度分别为70μm 和140 μm 时,极限电功率为 150 W 的蓝光LED 器件的 I-L 特性和 I-V 特性,并对其极限发光进行了研究。研究结果表明,焊锡厚度、铜基板面积和导电铜箔厚度均会对 LED的极限发光强度和工作电压产生明显影响;减小焊锡厚度和增加铜基板面积能显著提高高功率 LED器件的极限光强,P110和 T90两种规格蓝光 LED 器件极限光功率的提升幅度高达16% 和19%,白光器件极限光通量的提升幅度均高达15%左右;当铜箔厚度由70μm增加到140μm、散热器温度为25℃时,P70蓝光 LED的极限光功率提升幅度为 9.2%,50 ℃和75℃时极限光功率提升幅度为12.9%,100℃时极限光功率提升幅度为16.4%。