硅基GaAs系材料异质外延与硅基激光器研究动态

摘要：随着近年来光通信、光计算和光传感等需求的爆发式增长，硅光子技术在芯片内（超短距离）和长距离两个尺度方向快速取代传统技术方案。作为硅光芯片核心技术的单片集成硅基光源（激光器）成为新一代大规模硅光集成芯片技术的关键。在简要回顾单片集成硅基GaAs 系激光器材料和器件的基础上，从硅基底GaAs/Si 材料、硅基GaAs 系量子阱激光器材料及器件、基于单片集成光源的硅光芯片级系统研究3 个层面，分别介绍和评析了相关主要节点研究工作情况，并着重介绍了面向实用化要求的无偏角硅基GaAs/Si 材料研究和更具挑战的高可靠性硅基量子阱激光器方面的研究进展。

光电 2026年09月28日 1 点赞 0 评论 13 浏览

环视动态全息三维显示技术进展

摘要：综述了环视动态全息三维显示技术的研究进展，回顾了其发展历程与基本架构，简述了360°三维信息的获取方法，阐述了针对视角全息图的生成算法和优化技术，分析了典型的环视动态全息三维显示系统，最后对环视动态全息三维显示技术的未来发展进行了总结与展望。

光电 2026年09月01日 1 点赞 0 评论 74 浏览

热管理用氮化硅陶瓷热导率影响因素及改善途径

摘要：随着电子功率器件向高电压、大电流、高功率密度发展，其在运行过程中会产生更多的热量，承受更大的热应力，这就对器件用陶瓷基板的散热性能及可靠性提出了更高的要求。传统陶瓷基板如氧化铝(热导率低)、氮化铝(力学性能差)已难以满足大功率器件要求。氮化硅陶瓷由于兼具较高的理论热导率与优异的力学性能而成为大功率器件用陶瓷基板的首选材料。但是氮化硅陶瓷的实际热导率与理论值尚存在较大差距，晶格氧含量是主要影响因素。另外，氮化硅陶瓷在制备过程中需要引入适宜的烧结助剂，由烧结助剂引入而引起氮化硅陶瓷显微结构（致密度、晶粒形貌、晶界相含量与分布及平均晶界薄膜厚度等)的变化也会影响其热导率。氮化硅陶瓷显微结构的演变又与其成型技术、烧结工艺密切相关。降低晶格氧含量，减少晶界相，获得具有由细小晶粒与大长柱状晶粒组成的双峰结构是获得高导热氮化硅陶瓷的关键。本文从氮化硅结构与热学性质入手，对晶格氧与显微结构对氮化硅陶瓷热导率的影响作用机制进行了讨论，从原料粉体、烧结助剂、烧结工艺、结构织构化4个方面对氮化硅陶瓷中晶格氧的调控作用、显微结构的演变过程及热导率的强化机理进行了阐述，对高导热氮化硅陶瓷发展现状及面临的挑战进行了探讨，最后对高导热氮化硅陶瓷未来发展前景进行了展望。

光电 2025年07月23日 1 点赞 0 评论 438 浏览

高温服役电子元器件的焊接工艺研究

摘要：在航空航天、钢铁冶金及地质勘探等领域，部分设备需要在高温环境下使用，目前常见装联结构的可耐受温度一般低于200℃，甚至低于150℃，严重制约了相关高温服役设备的电子化进程。为了探索元器件高温焊接的可行性，对高温焊接工艺开展深入分析。研究结果表明，铅基高温焊料（SnAg2.5Pb96.5）的固液相线温度均高于250℃，SnAg2.5Pb96.5焊点的拉伸力平均值为139N，剪切力平均值为237N。与常用的无铅焊料（SAC305）相比，SnAg2.5Pb96.5的固液相线温度较高，但其焊点的拉伸力及剪切力均有所降低。相较于直接焊接工艺，采用预热焊接工艺得到的焊点润湿性好，陶瓷电容本体无裂纹，因此预热焊接工艺更适用于高温服役元器件。

光电 2025年11月10日 1 点赞 0 评论 227 浏览

阿秒光源产生和发展趋势

摘要：极紫外阿秒光源具有极短的脉冲宽度和高光子能量，因此具有超高的时间和空间分辨能力，广泛应用于原子分子物理、凝聚态物理，乃至化学和生物学研究中。目前阿秒光源的脉冲宽度已经突破了50 as，最高光子能量也突破了水窗波段。介绍了阿秒光源的产生及产生过程中相位匹配的原理，论述了孤立阿秒脉冲产生和选通方法；回顾了阿秒光源的发展历程，梳理了阿秒光源在基础物理研究中的应用；展望了未来的阿秒光源将朝向具有更高光子能量、更短脉宽、更高单脉冲能量、更高光子通量和更高重复频率的方向发展；上述参数的不断提高在应用研究中具有重要意义。总结了目前国内外的阿秒光源装置，并指出建设大型阿秒装置，实现高性能的阿秒综合实验是未来重要的发展方向。

光电 2025年12月30日 1 点赞 0 评论 281 浏览

金刚石半导体器件研究概述

摘要：半个多世纪以来半导体基础材料经历了从锗、硅为代表的第一代，砷化镓、磷化铟为代表的第二代，碳化硅、氮化镓、氮化铝为代表的第三代的逐步演化。在演化过程中，更快响应，更高功率，更强稳定性始终是人们不断追求的目标。尽管现有半导体器件已经极大的推动了人类文明的进步且创造了巨大的价值，但是第四代半导体材料——金刚石展现出来的各种特性依旧使人欣喜和对未来充满信心。本文将概述现阶段金刚石半导体器件研究的进展，包括金刚石材料的制备，金刚石二极管、发光二极管、三极管、场效应管，金刚石传感器，金刚石微机械等等。

光电 2026年02月09日 1 点赞 0 评论 224 浏览

金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望

摘要：随着半导体电子器件的集成化与小型化发展，金刚石优异的热导性、电导性成为制备半导体衬底的理想材料。为了满足半导体行业对电子器件高精度和高可靠性能的要求，需对金刚石表面进行抛光处理。然而，金刚石高硬度、高耐磨性、高化学惰性的特点，使金刚石的加工面临诸多困难，现有的金刚石抛光技术都有一定的自身优势和不足，急需一种在保证效率的情况下，同时获得光滑、平整、低损伤的金刚石表面抛光技术。因此，本文对金刚石抛光技术的国内外相关文献进行了梳理，总结了机械抛光、热化学抛光、化学机械抛光、等离子体刻蚀抛光、激光抛光等技术的原理与优缺点，对未来金刚石抛光技术来说，应朝着多种技术相互搭配以及智能化、精密化、环保化的方向发展，进而拓展金刚石材料的应用范围。

光电 2026年06月09日 1 点赞 0 评论 121 浏览

我国集成电路现代化产业体系构建的战略与路径思考

摘要：集成电路产业具有高度系统复杂性特征，其关键核心技术的突破高度依靠体系化能力支撑。美西方加速推进遏制中国崛起的“小院高墙”策略、“新华盛顿共识”和“去风险”等体系化政策，中国集成电路产业“阻链”“断链”等极端风险加剧；同时，面临中国式现代化和加快发展新质生产力的新使命新要求，亟须以新发展范式和战略逻辑加快推进集成电路产业现代化。文章基于新型国家创新体系、使命驱动型创新和场景驱动创新理论，探讨从“后发追赶”和“前瞻引领”双元整合视角，统筹“使命牵引”与“场景驱动”，重构集成电路技术创新体系，加快集成电路产业现代化；并进一步提出把握场景机遇、健全新型举国体制、统筹科技教育人才“三位一体”、建设国家级创新联合体、加强企业主导的产学研深度融合、构建全球本土化创新生态等对策思考，为加快以科技创新引领集成电路产业现代化、助力新质生产力培育提供理论与战略支撑。

光电 2025年02月08日 1 点赞 0 评论 446 浏览

激光融合制造及在柔性微纳传感器的应用（特邀）

摘要:柔性微纳传感器的新兴发展对先进制造技术提出了更高要求。其中，激光融合制造充分集成激光增材、等材、减材加工形式，凭借高精度、非接触、机理丰富、灵活可控、高效环保、多材料兼容等特点突破了传统制造在多任务、多线程、多功能复合加工中的局限，通过激光与物质相互作用实现跨尺度“控形”与“控性”，为各类柔性微纳传感器的结构-材料-功能一体化制造开辟了新途径。本文首先分析激光增材、等材与减材制造的技术特点与典型目标材料，展示激光融合制造的技术优势，接着针对近年来激光融合制造在柔性物理、化学、电生理与多模态微纳传感器中的典型应用展开讨论，最后对该技术面临的挑战以及未来发展趋势进行了总结与展望，通过多学科交叉互融，开辟柔性微纳传感器制造新路径，拓展激光制造技术的应用场景。

光电 2024年10月22日 1 点赞 0 评论 660 浏览

界面多维光谱技术研究进展

摘要：近年来，具有表/界面选择性的二维光谱技术，包括二维振动光谱、二维电子和频光谱、二维电子-振动和频光谱、二维振动-电子和频光谱等技术得到了迅速发展，并在探测表/界面超快动力学方面，包括电荷转移、能量转移、质子转移以及质子耦合电荷转移等超快过程，展现出巨大潜力。表/界面的独特动力学在诸多能量转换技术中居于核心地位，这些新型光谱手段有望为基于表/界面电子结构的关键设计原理提供重要实验依据。

光电 2026年09月29日 1 点赞 0 评论 3 浏览