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构建自主可控的集成电路产业体系—“十五五”期间对中国集成电路产业发展的思考与建议

构建自主可控的集成电路产业体系—“十五五”期间对中国集成电路产业发展的思考与建议

摘要：本文立足世界经济50年长波周期演进规律，聚焦第5 个长波周期核心引擎——集成电路产业，系统梳理了中国集成电路产业从“六五”至“十四五”的发展历程、产业体系现状及全球竞争格局。通过分析电子设计自动化（electronic design automation，EDA）、设计、制造、封测、设备、材料、存储器等关键环节的发展成果，明确中国在国家安全领域芯片自主化等方面的突破，以及多家企业跻身全球相关领域前10 位的阶段性成就。同时，深入剖析了产业存在的“小散弱”同质化内卷、上下游容错试错机制缺失、数据统计与产业标准不健全、“举国之力”转化不足等问题，并结合后摩尔时代集成电路向延续摩尔、拓展摩尔、超越摩尔、丰富摩尔的发展趋势，提出“十五五”期间要打造头部企业、完善协同机制、加大精准投资、强化基础研究、深化国际合作、优化人才培养。
光电 2026年03月18日
砷化镓衬底加工技术研究及其新发展

砷化镓衬底加工技术研究及其新发展

摘要：第二代半导体砷化镓（ＧａＡｓ）材料是衬底外延生长和器件制备的基础材料，其晶片表面要求超光滑、无表面／亚表面损伤和低的残余应力等，且其表面平坦化质量决定了后续外延层的质量，并最终影响相关器件的性能。通过归纳分析砷化镓单晶材料的本征特性及其切割、磨边、研磨、抛光等技术的研究进展，对砷化镓超光滑平坦化加工技术未来的研究方向进行展望。
光电 2024年04月28日
力致发光变色配合物材料的研究进展

力致发光变色配合物材料的研究进展

摘要：力致发光变色材料作为一种智能光响应材料, 能够响应外力刺激作用, 表现出光物理信号的可逆转变.此类材料具备操作简便、响应灵敏、易于观测、可重复利用等优点, 被广泛应用于光学开关、安全密保、数据记录、安全防伪等诸多领域. 配合物材料将金属离子引入到有机分子堆积组装过程中, 可有效提升光热稳定性,配位驱动丰富分子间堆积模式, 为新型力致发光变色材料的设计提供突破口. 本综述对近五年力致发光变色配合物材料的研究进展进行了总结, 综合分析了此类材料的构筑策略、性能研究方法及潜在应用价值, 并从机理研究和实际应用两个方面提出亟待解决的问题, 以期早日实现工业化批量生产及实际应用.
光电 2025年08月27日
超薄晶圆减薄工艺研究

超薄晶圆减薄工艺研究

摘要：主要研究了超薄晶圆减薄工艺和设备。从设备结构、晶圆传输、晶圆加工工艺、晶圆测量等方面，介绍了先进封装用减薄机如何解决超薄晶圆易碎问题，以及设备的国内外现状。
光电 2024年04月28日
基于二维材料的压电光电子学器件

基于二维材料的压电光电子学器件

摘要：二维(2D)材料由于原子级超薄、可调带隙和优异的光电性质, 在柔性光电子学领域有着巨大的潜力. 利用应变诱导的压电势或压电极化电荷可以调控二维材料界面载流子的传输和光电过程, 这种将压电、半导体特性、光激发三者耦合产生的压电光电子学效应推动了新型二维材料光电器件的开发, 特别是压电光电子学增强的光电探测、光电化学、气体传感和太阳能电池等方向. 本文简要综述了近年来二维材料在压电光电子学领域取得的研究进展, 并对这一新兴领域未来的挑战和科学突破进行了展望.
光电 2024年08月28日
纳米二氧化铈的制备及其在光催化领域研究进展

纳米二氧化铈的制备及其在光催化领域研究进展

摘要：综述了近年来纳米CeO2常规合成方法基础上改进的制备方法，重点介绍了近年来纳米CeO2在光催化领域的最新研究进展，认为采用控制形貌掺杂改性等方法，可有效提高纳米CeO2光催化的高效性和稳定性。纳米CeO2作为光催化剂,具有极好的光催化潜能，并对其未来的发展进行了展望。有助于进一步揭示纳米CeO2研究中所面临的主要科学技术问题以及今后的改进措施。
光电 2025年05月12日
射频组件用键合金带的研究进展

射频组件用键合金带的研究进展

摘要：射频组件的飞速发展促进了5G通信技术的推广应用。金带作为射频组件封装用关键键合材料，将板级系统集成于1 个完整的组件电路系统中，对组件尺寸和性能起着至关重要的作用。目前键合金带的研究与开发已经成为学术界和产业界的研究热点，对近年来射频组件用键合金带在工业应用中的研究进展进行论述和分析，归纳了微量元素对金带的强化机理和对键合性能的影响。重点介绍了键合金带与键合金丝的微波特性，在相同条件下，键合金带的信号传输能力优于金丝，尤其是在高频段（20 GHz以上）键合金带信号传输能力更加显著。对键合金带的制备工艺和工程应用中遇到的问题进行了梳理，总结了键合金带未来的发展趋势。
光电 2025年11月29日
AI驱动的6G空口: 技术应用场景与均衡设计方法

AI驱动的6G空口: 技术应用场景与均衡设计方法

摘要：为应对6G 系统在容量、频谱效率、能量效率等关键性能指标上面临的严峻挑战, 将人工智能(articial intelligence, AI) 技术引入空口传输已成为重要的技术突破方向. 然而, 当前6G 空口AI 研究主要聚焦于设计高精度AI 模型以提升通信能力, 普遍忽视了工程实践中所需的算力、复杂度和空口资源等AI 代价, 对模型泛化能力和推理时延等关键AI 质量指标也缺乏系统性考量. 这种过度依赖算力资源追求通信能力提升的研究范式, 难以支撑智能化网络的可持续发展. 本文系统分析了AI 在6G空口传输中的典型应用场景与关键技术挑战, 涵盖单功能模块性能增强、多功能模块联合优化以及复杂数学问题低复杂度求解等重要领域; 创新性地提出了综合考虑空口AI 能力、质量和代价的三维联合优化设计准则, 通过最大化多场景通信能力与综合代价的比值实现三角均衡, 有效弥补了现有设计准则中质量和代价维度缺失的不足. 此外, 通过多个设计示例验证了所提方法的有效性, 并深入探讨了空口AI 标准化面临的技术路径与挑战. 本文为6G 空口AI 技术的理论研究、标准化与工程实践提供了参考.
光电 2026年01月21日
全球量子计算技术研究进展与发展建议

全球量子计算技术研究进展与发展建议

摘要:量子计算是引领新一轮科技革命与产业变革的战略性前沿领域，厘清我国在该领域的技术态势并制定精准发展路径，对赢得全球科技竞争主动权至关重要。文章通过对国际量子计算技术发展格局的深度剖析，系统评估了我国量子计算技术的发展情况。研究表明，我国经过近10 年的快速发展，量子计算整体技术水平跻身全球第一方阵，在光量子等技术路线上领先，但在多数细分方向上与美国仍有差距，在基础原理与原始创新层面有待提高。研究进一步揭示了我国在核心材料、关键设备领域面临的外部制约，以及高端人才储备短缺的严峻挑战。基于此，提出了一系列旨在强化自主创新、优化人才战略的对策，为我国在量子领域抢占未来制高点提供决策参考。
光电 2026年02月24日
聚焦产业关键技术，把握第三代半导体发展机遇——第三代半导体材料产业技术分析报告

聚焦产业关键技术，把握第三代半导体发展机遇——第三代半导体材料产业技术分析报告

摘要：5G 通信技术、新能源汽车推广以及光电应用推动第三代半导体产业蓬勃发展。2017 年，中国GaN 和SiC 器件市场规模达30.8 亿元。目前， 在应用结构方面，GaN 基LED 占比高达70.0%，射频通信和功率器件领域合计占比不足30% ；SiC 器件市场上，功率因数校正电路占比超过50%，光伏逆变器占比约为23.8%，其他应用包括不间断电源、纯电动汽车/ 混合动力汽车及轨道交通等。2017 年国内投资热情高涨，投产GaN 材料和SiC 材料相关的项目共6 个，涉及金额超过84 亿元，占当年总投资金额的12%。
光电 2024年04月28日