碳化硅辅助增效化学机械抛光材料去除机理研究进展

摘要：碳化硅具有优异的物理和化学特性，是典型的第三代半导体材料。但碳化硅具有高硬度和化学惰性，导致其精密抛光加工面临材料难去除、表面易损伤和加工成本高等问题，无法满足高效低损伤平坦化加工的迫切需求。目前，化学机械抛光是实现碳化硅衬底全局平坦化的关键技术，但碳化硅化学机械抛光及其辅助增效的研究主要注重实验和技术方法开发，而在其化学反应和机械去除过程中材料去除机理的深层次研究方面存在一定的不足。针对碳化硅典型的晶型结构特点，简述了不同晶型结构的碳化硅材料性能差异，以及材料特性对抛光去除的影响；综述了碳化硅化学机械抛光的原理、材料去除机理及其微观去除机制；分析了几种较为典型的辅助增效化学机械抛光技术，揭示了碳化硅在多能量场耦合作用下的材料去除机理，以及多能量场的耦合效应对其抛光过程中机械作用和化学反应的促进作用。并展望了提高碳化硅抛光材料去除率和表面质量的未来发展方向，以期为碳化硅的高效高质量、低损伤、低成本加工提供新的研究方法和思路。

光电 2026年04月22日 1 点赞 0 评论 82 浏览

CVD多晶金刚石膜的生长技术与热导率优化研究进展

摘要：系统综述了化学气相沉积（CVD）技术在多晶金刚石膜生长与热导率优化领域的研究进展，聚焦大尺寸制备技术突破及热性能调控机制。通过对比热丝化学气相沉积（HFCVD）、微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）、直流热阴极化学气相沉积（DC-HC CVD）及直流电弧等离子体喷射化学气相沉积（DC arc jet CVD）等主流方法的工艺特点，揭示了各类技术在大尺寸金刚石膜制备中的优势与局限性。研究指出，大尺寸金刚石膜的制备需结合反应器设计创新、等离子体激发模式优化及多参数协同调控，以实现高效、均匀的规模化生产。在热导率优化方面，研究系统分析了晶粒尺寸、膜厚、晶面取向及残余应力等多因素的协同作用。通过优化晶粒尺寸与膜厚的匹配关系，显著降低了晶界密度对声子传输的散射效应，从而提升整体热输运效率。工艺参数中，碳源浓度、温度与功率的精准调控对晶粒形貌与结晶质量具有决定性影响，晶面取向的择优生长可进一步强化热导率优势。动态磁场辅助、基团比例调控等创新方法为晶面定向生长提供了新路径。残余应力问题则需通过衬底选择、界面预处理及结构设计等策略综合缓解，以降低晶格畸变对热性能的负面影响。为高性能金刚石热管理材料的开发及高功率电子器件的散热应用提供了理论框架与技术参考。

光电 2026年04月22日 1 点赞 0 评论 89 浏览

集成电路芯片锡基微凸点电迁移：从物理本质到可靠性提升

摘要：随着先进封装技术向微型化、高性能方向发展，集成电路芯片锡基微凸点的直径持续减小至微米尺度，通过单个凸点的电流密度随直径减小呈平方增加，其电迁移行为与机理研究对集成电路芯片互连可靠性评估与设计具有重要价值。本文归纳分析了芯片互连微凸点(焊点)电迁移现象的物理本质、主要影响因素和研究方法；系统综述了微焊点固-固电迁移过程中的极性效应、反极性效应和两相分离等电迁移行为特征与液-固电迁移过程中原子迁移、相析出和相溶解等电迁移行为特征；梳理评价了电迁移寿命的评估模型及修正模型；最后阐明了微焊点电迁移可靠性提升的方法，并展望了集成电路芯片互连锡基微凸点电迁移未来的研究方向和可靠性分析方法。

光电 2026年04月21日 1 点赞 0 评论 91 浏览

准晶体基固态热二极管及其热管理应用研究

摘要：作为一种具有单向传热特性的材料，热二极管在新能源汽车整车热管理系统中具有广阔的应用前景。本研究基于大型材料物性数据库，筛选并优化材料组合，以构建高性能复合固态热二极管。通过一维模型分析与有限元模拟结果表明，优化后的准晶体基固态热二极管可实现3. 2的热整流比，显著提升热管理效率。该研究为固态热二极管在新能源汽车热管理领域的应用提供了重要的理论支撑与实践指导。

光电 2026年04月16日 1 点赞 0 评论 73 浏览

低维有机-无机杂化金属卤化物光电材料的研究进展

摘要：有机-无机杂化金属卤化物因其光电特性可调、荧光量子产率高以及易于制备等特点引起了研究者的广泛关注。通过选择不同的有机阳离子模板剂可以得到结构、维度多变且性能优异的有机-无机杂化金属卤化物。近年来，尤其是关于低维有机-无机杂化金属卤化物光电材料的研究取得了显著进展。本文深入分析了此类材料的晶体结构、合成方法，归纳了其光学性能、发光特性和机理，总结了低维有机-无机杂化金属卤化物在白光发光二极管(WLEDs)、X射线探测器、传感器、太阳能电池等方面的应用现状。最后，分析了该类材料当前存在的问题，并对其未来发展进行了展望，旨在为低维有机-无机杂化金属卤化物的研究与进一步发展提供参考。

光电 2026年04月15日 1 点赞 0 评论 112 浏览

基于二维有机薄膜材料的忆阻器研究进展

摘要：忆阻器作为一种新型的电子元件，因具有存储与计算结合的潜力而受到广泛关注。二维有机薄膜(2D OTFs)材料具有原子级精确的层状结构、可调的电子特性和卓越的机械柔韧性，通过调控微观结构和表面化学特性，能够实现高效的电导率调控。近年来，基于2D OTFs的忆阻器因其超薄几何特性、优异的柔性和可调的电学性能，成为研究的热点。本文综述了2D OTFs在忆阻器中的应用研究进展，包括材料的可控制备方法、电阻切换机理及其在实际应用中的前景与挑战，并对未来的研究方向进行了展望。

光电 2026年04月14日 1 点赞 0 评论 86 浏览

液晶单体的聚合诱导自组装研究进展

摘要：聚合诱导自组装（PISA）是一种简便、高效的两亲性聚合物组装体的制备策略，能够一步实现两亲性聚合物的合成及其原位自组装。本文系统综述了常规液晶单体（如偶氮苯、多氟烷基、二苯乙烯、联苯等）及手性液晶单体（如胆固醇、手性偶氮苯、手性联苯等）在PISA 中的最新研究进展。重点介绍了不同结构及功能的液晶单体对聚合物组装体的形貌、液晶相行为以及手性光学活性的影响规律，并对该领域面临的核心挑战与未来发展方向进行了展望。

光电 2026年04月10日 1 点赞 0 评论 93 浏览

大尺寸CsPbBr3晶体的熔体法生长研究进展

摘要:由于出色的高能射线解析能力和优秀的环境适应性,全无机卤化物CsPbBr3吸引了众多研究者的关注。然而由于结构相变和热应力的存在,大尺寸CsPbBr3晶体生长过程中容易产生应力,从而导致晶体表面出现裂纹、亚晶界或孪晶等缺陷,严重影响其性能。目前大尺寸高质量CsPbBr3晶体仍然无法通过有效的手段进行批量化生产,因此开展大尺寸CsPbBr3晶体的生长与性能研究具有重大理论意义和实际价值。本文简要综述了CsPbBr3晶体的基本性质、制备方法及研究进展,主要讨论了垂直布里奇曼法生长CsPbBr3晶体的影响因素,并对高质量CsPbBr3晶体的生长提出了新的思路。

光电 2026年04月09日 1 点赞 0 评论 84 浏览

超宽带隙氧化镓功率器件热管理的研究进展

摘要:氧化镓的低热导率是其功率器件发展的最大瓶颈,使其在高功率密度下产热时面临高效散热的巨大挑战。因此,开发全新的热管理和封装技术迫在眉睫。通过材料、器件和封装多层面的热管理来缓解自热引发的性能与可靠性问题成为关键。本文综述了超宽带隙(UWBG)氧化镓(β-Ga2 O3)功率器件的热管理,针对相关挑战、潜在解决方案和研究机遇提出了观点。论文首先介绍了超宽带隙氧化镓的特性及其在电子器件领域的重要性,详细阐述了热管理在氧化镓器件中的关键意义。随后,从不同的热管理技术方面,包括衬底相关技术和结侧热管理技术等进行深入探讨,并分析了热管理对氧化镓器件电学性能的影响。最后,对氧化镓器件热管理的未来发展趋势进行展望,提出了“材料-器件-封装”电热协同设计、近结异质集成和新型外部封装等多维度的热管理策略,旨在唤起相关研究,加快超宽带隙氧化镓功率器件的开发和产业化进程。

光电 2026年04月08日 1 点赞 0 评论 155 浏览

β相氧化镓p型导电研究进展

摘要:β相氧化镓(β-Ga2 O3 )具有超宽带隙、高击穿电场和容易制备等优势,是功率器件的理想半导体材料。但由于β-Ga2 O3价带顶能级位置低、能带色散关系平坦,其p型掺杂目前仍具有挑战性,限制了p-n结及双极性晶体管的开发。利用尺寸效应、缺陷调控、非平衡动力学及固溶提升价带顶能级等方案是目前实现β-Ga2 O3 p型掺杂的主要策略。对于β-Ga2 O3 p-n同质结和异质结,提高晶体质量、减少界面缺陷态是优化器件性能的关键问题。本文针对β-Ga2 O3的p 型导电问题,系统阐述了β-Ga2 O3 电子结构,实验表征及理论计算掺杂能级方法,p型掺杂困难原因,以及改进p型掺杂的突破性研究进展。最后简单介绍了β-Ga2 O3 p-n同质结和异质结器件的相关工作。利用复合缺陷调控、非平衡动力学、固溶等方案,以及不同方案的协同实现体相β-Ga2 O3 的p型掺杂仍需要深入探索,p-n同质及异质结的器件性能需要进一步优化。

光电 2026年04月03日 1 点赞 0 评论 130 浏览