基于氧化镓微纳米结构的探测器研究进展

目录介绍

0 引言

1 光电探测器的基本参数与器件类型

1.1 光电探测器的基本参数

1.1.1 响应度(Ｒ)

1.1.2 探测率(D*)

1.1.3 光电流、暗电流、光暗电流比(PDCＲ)

1.1.4 响应时间(τ)

1.1.5 量子效率(quantum efficiency，QE)

1.1.6 抑制比

1.2 光电探测器的类型

1.2.1 两端探测器

1.2.2 SBD

1.2.3 p-n 异质结探测器

1.2.4 光电化学(PEC)光电探测器

2 Ga2O3微纳米结构与探测器

2.1 纳米片的制备

2.1.1 机械剥离

2.1.2 热氧化方法(TO)

2.2 纳米线(NW)的制备

2.2.1 化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)

2.2.2 热氧化法

2.3 核壳纳米结构及纳米管结构的制备

2.3.1 以Ga2O3为壳的纳米核壳结构

2.3.2 以Ga2O3为核的纳米核壳结构

2.3.3 纳米管结构

2.4 纳米棒的制备

2.4.1 电沉积

2.4.2 水热法

2.4.3 以纳米棒结构为基础制作的核壳结构

3 结语与展望