一片晶圆到底能造出来多少芯片

某DRAM厂商说LPDR4他们有5万片 Wafer的产能...

那问题来了，5万片Wafer 到底能造出来多少DRAM呢？

要得出答案，我们需要几个最重要的信息：

1，晶圆的半径：

最常见尺寸：

150mm (6英寸)： R=75mm (老工艺或特殊应用)

200mm (8英寸)： R=100mm (成熟工艺，模拟、功率、MEMS等)

300mm (12英寸)：R=150mm (当前主流工艺，逻辑、存储等)

2，单个晶粒（Die）的面积

芯片设计完成后，在晶圆上占据的实际物理面积，是一个矩形。

3，边缘排除宽度

晶圆边缘区域（通常5-10mm）由于制造均匀性问题、夹具接触、划片损耗等原因，无法用于生产合格芯片。这部分区域需要被排除。

典型值：3mm, 5mm, 8mm, 10mm。具体值取决于晶圆厂和工艺要求。

4，良率

晶圆制造过程会存在各种缺陷（颗粒、工艺波动等），并非所有制造出来的晶粒都是功能完好、符合规格的。

良率是一个关键的指标，通常在60%到95%甚至更高之间波动，具体取决于工艺复杂度、成熟度、设计规则、晶圆厂能力等因素。

良率需要实际生产数据统计得出，在初步估算时可能需要假设一个经验值（例如80%或90%）。

新工艺的早期良率可能很低。良率损失会显著减少最终可用的芯片数量。

有了以上信息，可以做一个大概的估算，假设：

晶圆半径：12英寸=300mm

边缘排除宽度：5mm

单个Die面积：长5mm，宽5mm，则单Die 面积=5*5=25mm²

良率：80%

因此：

晶圆的实际可用面积S=π*（300-5）*（300-5）=273258.5mm²

可产出良品Die数=273258.5/25*80%≈8744pcs

以上为大概的理论数值，实际上：

1，单die的尺寸很难获得，通常规格书只会标识封装后的尺寸，这部分有没有业内人士指教下？

2，切割道空间：晶粒通常是矩形，排列时晶粒之间需要留出切割道的空间，用于后期用锯片或激光将晶圆切割成单个晶粒。切割道宽度通常在50μm到150μm (0.05mm到0.15mm) 左右。

3，边缘区域无法利用：由于晶圆是圆形的，边缘区域的晶粒排列会有浪费，无法完全利用所有空间。

4，测试结构： 晶圆上除了产品晶粒和切割道，还会放置一些用于工艺监控和测试的专用结构（Process Control Monitor, PCM），这些结构也会占用少量面积，减少可用晶粒数。

5，设计规则和冗余： 某些设计（如高可靠性或存储器）可能包含冗余单元，实际有效面积利用率会降低。

来源：懂点技术的采购YJ