轻质高熵合金的研究进展与展望
摘要：高熵合金是一种具有优异物理化学性能的新型合金，其中含有轻质元素的轻质高熵合金具有较高的比强度和比硬度及耐蚀性能等突出特点，其潜在的工程应用价值引起了人们的关注。因此，本文详细阐述了轻质高熵合金的研究现状，归纳了轻质高熵合金的组元设计规则与方法，分析了轻质高熵合金的微观相结构，总结了高熵合金的各种性能，探讨了轻质高熵合金目前存在的问题，并提出了轻质高熵合金的发展趋势。
粉末冶金多孔钨的研究现状与发展
摘要：多孔钨是由钨骨架及其内部的高比例孔隙构成，兼具了难熔金属钨和多孔材料的优良特性，因具有优异的耐高温、耐腐蚀、高比表面以及高渗透性等性能而被广泛应用于航空、电子、高温等领域。多孔钨在金属钨本征特性的基础上利用了孔隙的连通、填充、储存和过滤等功能，因此，得到稳定可控的孔隙是制备高性能多孔钨以及进一步拓宽其应用的关键。本文以制备过程中孔隙特性变化为主线，首先阐述了多孔钨孔隙特性在其主要应用中的关键作用，然后从粉末特性、成形方法、烧结工艺等方面对多孔钨孔隙特性的影响进行了总结，最后对多孔钨的研究方向和发展趋势提出了展望。
轻质高熵高温合金成分设计研究进展
摘要: 相比于传统镍基高温合金，轻质高熵高温合金可同时具有高强度、低密度等特点，受到了广泛关注。综述了轻质高熵高温合金的研究进展，并依据相结构将其划分为4类: 单相固溶强化合金、金属间化合物相强化合金、共晶组织强化合金和非金属元素强化合金。单相固溶强化合金通过元素调控实现性能优化，例如Al-Nb-V-Ti-Zr体系中Al元素的添加可显著提升其强度和硬度。金属间化合物相强化合金通过第二相的加入提升性能，但需注意某些金属间化合物可能导致脆化。共晶组织强化合金展现出良好的高温性能，但其室温塑性仍需改进。非金属元素强化合金通过多种机制进行强化，但元素添加量的精确控制至关重要。尽管在轻质高熵高温合金的成分设计和微观结构优化方面已取得一定成果，但仍面临成本高和工艺复杂等挑战。未来研究应聚焦于优化成分结构、深化理论研究、降低制备成本以及拓展应用与跨领域合作等方面，以促进轻质高熵高温合金的发展与广泛应用。
高纯钼粉的制备技术及研究进展
摘要：随着电子行业的精细化发展，高纯钼因其薄膜应力小、高温稳定性好，导电性能良好，比阻抗低广泛应用于电子行业。本文系统概述了高纯钼粉的制备技术，包括高纯钼原料（钼酸铵、MoO3、MoCl5、Mo（CO）6、MoS3等）清洁化还原分解技术和普通钼粉电子束熔炼及等离子球化提纯技术，重点讨论了沉淀法、溶剂萃取法、离子交换法、结晶法等提高钼酸铵纯度的方法，指出了不同提纯方法存在的优势与不足，并就高纯钼粉制备技术及应用前景进行了总结与讨论。
难熔金属表面抗氧化涂层研究进展
摘要:难熔金属由于优异的高温力学性能和可加工性能，被广泛应用于航空、航天以及核工业等领域，但其较差的抗氧化性严重阻碍了难熔金属在高温结构材料中的应用。在难熔金属表面开发涂层被认为是提高其抗氧化性最有效的方法。 本文综述了钼、铌、钽、铼等难熔金属合金抗氧化涂层的常用体系和制备方法，并对难熔金属表面抗氧化涂层未来的发展趋势进行了探讨。
锆基形状记忆合金的研究进展
摘要: Zr基形状记忆合金具有高的相变温度、大的形状记忆效应和低的磁化率等特点,逐渐受到研究者的关注,同时在航天、航空、能源和医疗等领域展现出良好的应用前景。Zr基形状记忆合金主要包括Zr-Cu基高温形状记忆合金和Zr-Nb 基生物医用形状记忆合金。Zr-Cu基合金相变温度最高可达1000 ℃ ,最大形状记忆效应为6.87%,具有价格较低和易加工成形的优点。Zr-Nb基合金相比奥氏体不锈钢、CoCr合金和钛合金等医用植入材料具有更低的磁化率,有效避免了对核磁共振成像(MRI)影响,可以提高检测准确度。本文对近年来国内外关于Zr-Cu 基和Zr-Nb基形状记忆合金的研究进展进行了综合评述,重点介绍了合金的微观结构、相变机制、形状记忆特性、力学性能、磁化特性和生物相容性,并提出了未来需要重点关注的研究方向。
高熵氧化物制备研究进展
摘要: 近年来,由五种或五种以上金属元素以等摩尔或近等摩尔比构成,具有各组元高度分散且混乱无序结构特征的高熵氧化物受到了研究人员的广泛关注。高熵氧化物主要有岩盐型、尖晶石型、钙钛矿型和萤石型等几种类型,在储能、催化、吸波及隔热领域均有很好的应用前景。综述了近年来固相反应法、喷雾热解法、共沉淀法、水热合成法、溶胶-凝胶法、溶液燃烧合成法和激光脉冲法等制备高熵氧化物的最新研究进展,详细比较了这些方法的优缺点。在此基础上,归纳总结了目前高熵氧化物的各类改性方法;提出了目前高熵氧化物的合成过程中出现的问题,并对高熵氧化物的未来发展趋势进行了展望。
半导体用难熔金属靶材研究现状与展望
摘要：半导体是国家的支柱产业和战略基础，随着第三代半导体技术的发展，芯片集成电路的制造与材料供应成为制约产业发展的关键。钨、钽等难熔金属靶材是制造半导体集成电路的关键材料，通过溅射制备的各种功能薄膜已应用到电子信息产业的各个领域。我国拥有丰富的难熔金属资源和较大的产业规模，但高端靶材仍然依赖进口。近年来，国内企事业单位从原材料提纯、制备加工以及性能调控等方面持续改进和提升难熔金属靶材质量，已突破高纯原料的制备和高性能靶材的加工，在高纯钨、钨钛合金靶材、钨硅合金靶材以及高纯钽靶等领域取得了显著的进步。本文分析了近年半导体用难熔金属靶材的研究现状，介绍了国内在高纯难熔金属靶材方面的技术进展，并对未来发展提出了建议。
高熵高温合金的研究进展
摘要:高熵高温合金作为金属结构材料领域的研究热点,因其在极端环境下的潜在应用价值受到广泛关注。系统阐述了高熵高温合金的组成特征与微观结构设计:在元素组成方面,采用等原子比或近等原子比的多元组分配比构建高熵体系;在组织结构方面,通过面心立方固溶体基体与有序析出相的协同作用实现性能优化。研究显示,HESA在宽温域(20~1200℃)内均能保持优异的强塑性匹配,其力学性能稳定性源于多尺度强化机制的协同作用,包括固溶原子引起的晶格畸变强化、纳米级有序析出相带来的第二相强化,以及晶界工程调控实现的晶界强化。最后对高熵高温合金的研究应用前景进行了展望。
高熵合金腐蚀行为研究进展
摘要: 高熵合金独特的成分设计和多组元间协同作用，赋予了其许多特殊的物理、化学和力学性能，如在多种腐蚀介质中展现出优于传统合金的耐腐蚀性，在现代工业和高技术领域展现出巨大的应用潜力。从高熵合金成分、制备方法和热机械处理工艺对其晶粒尺寸、元素分布、相结构、晶体缺陷的影响出发，阐明了在多种腐蚀介质中高熵合金表面钝化膜组成成分、形成过程和稳定性的差异化原因，进一步对腐蚀发生的具体形式、腐蚀产物和腐蚀机理进行梳理，准确评估了高熵合金的腐蚀性能。最后，对突破传统合金的应用限制，解决极端服役环境下的“卡脖子”难题，开发高强塑耐腐蚀高熵合金，推进高熵合金新材料工业化应用过程中面临的挑战进行了总结与展望。
