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构建自主可控的集成电路产业体系—“十五五”期间对中国集成电路产业发展的思考与建议

构建自主可控的集成电路产业体系—“十五五”期间对中国集成电路产业发展的思考与建议

摘要：本文立足世界经济50年长波周期演进规律，聚焦第5 个长波周期核心引擎——集成电路产业，系统梳理了中国集成电路产业从“六五”至“十四五”的发展历程、产业体系现状及全球竞争格局。通过分析电子设计自动化（electronic design automation，EDA）、设计、制造、封测、设备、材料、存储器等关键环节的发展成果，明确中国在国家安全领域芯片自主化等方面的突破，以及多家企业跻身全球相关领域前10 位的阶段性成就。同时，深入剖析了产业存在的“小散弱”同质化内卷、上下游容错试错机制缺失、数据统计与产业标准不健全、“举国之力”转化不足等问题，并结合后摩尔时代集成电路向延续摩尔、拓展摩尔、超越摩尔、丰富摩尔的发展趋势，提出“十五五”期间要打造头部企业、完善协同机制、加大精准投资、强化基础研究、深化国际合作、优化人才培养。
光电 2026年03月18日
集成电路用高纯金属溅射靶材发展研究

集成电路用高纯金属溅射靶材发展研究

摘要：高纯金属溅射靶材是集成电路用关键基础材料，对实现集成电路用靶材的全面自主可控，推动集成电路产业高质量发展具有基础性价值。本文分析了集成电路用高纯金属溅射靶材的应用需求，梳理了相应高纯金属溅射靶材的研制现状，涵盖高纯铝及铝合金、高纯铜及铜合金、高纯钛、高纯钽、高纯钴和镍铂、高纯钨及钨合金等细分类别。在凝练我国高端靶材制备关键技术及工程化方面存在问题的基础上，着眼领域2030 年发展目标，提出了集成电路用高纯金属溅射靶材产业的重点发展方向：提升材料制备技术水平，攻克高性能靶材制备关键技术，把握前沿需求开发高端新材料，提升材料分析检测和应用评价能力。研究建议，开展“产学研用”体系建设，解决关键设备国产化问题，加强人才队伍建设力度，掌握自主知识产权体系，拓展国际合作交流，以此提升高纯金属溅射靶材的发展质量和水平。
光电 2024年03月05日
HBM制造技术演进与今后的发展趋势

HBM制造技术演进与今后的发展趋势

摘要：随着智能数据应用的飞速发展，内存带宽限制导致的算力瓶颈日益明显。面对市场对高性能计算和数据处理能力不断攀升的需求，解决这一瓶颈问题正变得越来越具有挑战性。在这一背景下，高带宽内存（High Bandwidth Memory，HBM）被视为突破算力瓶颈的关键方案之一，并且已经成为当前先进封装技术领域的研发热点。本文将回顾HBM 制造工艺的发展历程，分析其技术优势，并对其未来的发展方向进行展望。
光电 2025年09月04日