OLED产业化历程与问题分析

摘要:OLED技术以其自发光性能被认为具有轻薄、可柔性、高对比度、快速响应、高色域、宽视角、低功耗、低成本等优势。在手机上开始大规模应用后,历经10 多年时间虽然规模大幅提升,但其他应用仍未有太多进展。本文通过对OLED已量产方案的性能分析以及与LCD的对比,发现一方面预期的OLED性能优势在产品上没有完全发挥,另一方面现有技术方案已经在设计和工艺上趋于极致。因此在向更大尺寸其他应用拓展方面,OLED必须在设计和工艺技术上有较大突破。

微细线材微型电阻焊技术研究进展

摘要:随着微机电系统、电子元件、医疗器件不断向小型化和高性能方向发展,微细线材的微型电阻焊工艺应用越来越广泛和重要。从微型电阻焊的原理和主要工艺参数出发,综述了近些年来国内外微细线材微型电阻焊技术的研究状况,重点总结了工艺、连接机理和焊接过程数值仿真方面的研究进展,同时介绍了该技术在电子封装和医疗器械领域的应用。最后展望了该领域未来的主要研究方向和发展前景。微型电阻焊设备的开发、焊接工艺机理的研究、异种金属材料的焊接、焊接仿真模型的构建和焊接过程的质量监控仍是当下及未来的研究热点。

微型陶瓷封装体电阻器电镀工艺

摘要:针对微型陶瓷封装体电阻器的特点和用户对零件的特殊性能要求,介绍了其电镀工艺实施过程的注意事项。探讨了各工序溶液体系、镀层厚度、电镀工艺条件、导电介质的形状及大小等因素对电阻器可焊性和耐焊接热性能的影响。最终确定对微型陶瓷封装体电阻器先电镀半光亮镍再电镀哑光锡,得到具有优良附着力、焊接性和耐焊接热性能的镀层。

磁耦数字隔离器陶瓷封装技术研究

摘要:研究磁耦数字隔离器的陶瓷封装技术,分析了金丝球焊、硅铝丝楔焊经高温贮存后键合强度和键合失效模式的变化对可靠性的影响以及微变压器线圈压焊点的距离、腔体的压力、腔体里的气体种类对隔离电压的影响。研究结果表明,硅铝丝楔焊的可靠性更高;微变压器线圈压焊点的距离越大,腔体的压力越大,隔离电压越大;腔体内为电负性气体的隔离电压大于惰性气体。

SiC车用电机驱动研究发展与关键技术

摘要:碳化硅(SiC)器件具有低导通压降、可高速开关、可高温工作等优点,在车用电机驱动方面显示出巨大的技术优势和市场潜力。论述了SiC MOSFET器件实现高频、高温性能的难点,分别综述了模块、测试、电容、EMI 滤波器、系统集成等方面的技术重点和主要研究方向,介绍了提升电机驱动产品性能的关键。

面向毫米波射频互联的超低弧金丝球焊工艺方法研究

摘要:引线键合工艺是实现毫米波射频(RF)组件互联的关键手段之一。随着毫米波子系统的快速发展,毫米波组件的工作频段越来越高,对射频通道互联金丝的拱高提出了新的要求。过高的引线弧度会使得系统驻波变大,严重影响电路的微波特性。球焊工艺由于引线热影响区的存在,难以满足射频互联中短跨距、低弧高的需求。采用弯折式超低弧弧形工艺,通过对25μm金丝热超声球焊成弧过程中各关键参数的优化试验,将热影响区折叠键合在第一焊点上,在保证引线强度的前提下,实现了300μm短跨距、80μm超低弧高的金丝互联,为球焊工艺在毫米波射频组件互联中的应用提供了实现思路。

微波等离子体化学气相沉积法制备大尺寸单晶金刚石的研究进展

摘要: 金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而,高品质、大面积(大于2 英寸)单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解决的问题。介绍了目前受到广泛关注的微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)获得大尺寸金刚石单晶衬底的技术方案,即单颗金刚石生长、拼接生长以及异质外延生长。综述了大尺寸单晶金刚石外延生长及其在电子器件领域应用的研究进展。总结了大尺寸单晶金刚石制备过程中面临的挑战并提出了潜在的解决方案。

第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状

摘要:近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展,已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点。抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期,实现半导体材料、器件、封装模块和系统开发的自主可控,对保障工业创新体系的可持续发展至关重要。在分析第三代宽禁带功率半导体重要战略意义的基础上,综述了其材料、器件研发和产业的发展现状,阐述了碳化硅及氮化镓器件在当前环境下的应用成果,剖析了第三代半导体行业存在的关键问题。建议在国家政策的进一步领导之下,发挥行业协会和产业联盟的桥梁和纽带作用,对衬底材料、外延材料、芯片与器件设计和制造工艺等产业链各环节进行整体支撑,引导各环节间实现资源共享、强强联合,上下游互相拉动和促进,形成一个布局合理、结构完整的产业链。

光电器件中的负光电导效应及应用

摘要:随着信息化时代的高速发展,对微电子器件中光电材料的选择、新功能的开发提出了更高的要求。传统光电器件大多利用半导体材料在光照下电导率增加的正光电导性效应进行功能化设计。近年来,研究发现还存在另一种反常的光电导效应——负光电导(Negative photoconductivity,NPC),即在光照条件下电导率降低,由于其在光电探测、逻辑器件、神经形态器件、低功耗非易失性存储器方面的潜在应用而备受关注。NPC的产生机制一般包括载流子的俘获效应、表面分子的吸附‐解吸、表面等离子体极化激元和局域表面等离子体共振、光辐射热效应等。本文详细讨论了不同光电器件中NPC产生的物理机制,分析了材料选择、器件结构设计、能带结构变化对不同异质结器件中NPC效应的影响,概括了光电器件中负光电导效应的实际应用,这为光电器件的性能优化和新型光电器件设计提供了重要参考,为未来异质结光电信息器件实现尺寸更小、光导增益更高、速率更快、功耗更低奠定了科学基础。

深度学习赋能微纳光子学材料设计研究进展

摘要:光子学结构设计是微纳光学器件和系统研究的核心。许多人工设计的光子学结构,比如超材料、光子晶体、等离激元纳米结构等,已经在高速可视通信、高灵敏度传感和高效能源收集及转换中得到了广泛的应用。然而,该领域中通用的设计方法是基于简化的物理解析模型及基于规则的数值模拟方法,属于反复试错的方法,效率低且很可能会错过最佳的设计参数。因此,快速得到设计参数和光谱响应信息之间的潜在关联性,是实现光子学器件高效设计的关键。在过去的几年里,深度学习在语言识别、机器视觉、自然语言处理等领域发展迅速。深度学习的独特优势在于其数据驱动的方法,可以让模型从海量数据中自动发现有用的信息,这为解决上述光子学结构设计问题提供了一种全新的方法。本篇综述从不同的微纳光子学结构设计的应用场景出发,介绍了不同的深度学习模型在光子学设计领域中的适用范围和选择依据,并对该领域未来的机遇与挑战进行了总结与展望。