热管理用氮化硅陶瓷热导率影响因素及改善途径

摘要:随着电子功率器件向高电压、大电流、高功率密度发展,其在运行过程中会产生更多的热量,承受更大的热应力,这就对器件用陶瓷基板的散热性能及可靠性提出了更高的要求。传统陶瓷基板如氧化铝(热导率低)、氮化铝(力学性能差)已难以满足大功率器件要求。氮化硅陶瓷由于兼具较高的理论热导率与优异的力学性能而成为大功率器件用陶瓷基板的首选材料。但是氮化硅陶瓷的实际热导率与理论值尚存在较大差距,晶格氧含量是主要影响因素。另外,氮化硅陶瓷在制备过程中需要引入适宜的烧结助剂,由烧结助剂引入而引起氮化硅陶瓷显微结构(致密度、晶粒形貌、晶界相含量与分布及平均晶界薄膜厚度等)的变化也会影响其热导率。氮化硅陶瓷显微结构的演变又与其成型技术、烧结工艺密切相关。降低晶格氧含量,减少晶界相,获得具有由细小晶粒与大长柱状晶粒组成的双峰结构是获得高导热氮化硅陶瓷的关键。本文从氮化硅结构与热学性质入手,对晶格氧与显微结构对氮化硅陶瓷热导率的影响作用机制进行了讨论,从原料粉体、烧结助剂、烧结工艺、结构织构化4个方面对氮化硅陶瓷中晶格氧的调控作用、显微结构的演变过程及热导率的强化机理进行了阐述,对高导热氮化硅陶瓷发展现状及面临的挑战进行了探讨,最后对高导热氮化硅陶瓷未来发展前景进行了展望。

微细线材微型电阻焊技术研究进展

摘要:随着微机电系统、电子元件、医疗器件不断向小型化和高性能方向发展,微细线材的微型电阻焊工艺应用越来越广泛和重要。从微型电阻焊的原理和主要工艺参数出发,综述了近些年来国内外微细线材微型电阻焊技术的研究状况,重点总结了工艺、连接机理和焊接过程数值仿真方面的研究进展,同时介绍了该技术在电子封装和医疗器械领域的应用。最后展望了该领域未来的主要研究方向和发展前景。微型电阻焊设备的开发、焊接工艺机理的研究、异种金属材料的焊接、焊接仿真模型的构建和焊接过程的质量监控仍是当下及未来的研究热点。

微型陶瓷封装体电阻器电镀工艺

摘要:针对微型陶瓷封装体电阻器的特点和用户对零件的特殊性能要求,介绍了其电镀工艺实施过程的注意事项。探讨了各工序溶液体系、镀层厚度、电镀工艺条件、导电介质的形状及大小等因素对电阻器可焊性和耐焊接热性能的影响。最终确定对微型陶瓷封装体电阻器先电镀半光亮镍再电镀哑光锡,得到具有优良附着力、焊接性和耐焊接热性能的镀层。

Micro-LED新型显示技术的现状、挑战及展望

摘要:微型发光二极管(Micro-LED)具有较好的稳定性,是当前高亮显示应用的最佳选择,其具有高对比度、低响应时间、宽工作温区、低能耗和广视角等优势,成为当前产业界和学术界比较看好的新型显示技术。综述了Micro-LED 新型显示技术的原理,对比其与现有技术的性能,从材料、器件、集成和成本良率等几个角度探讨了Micro-LED 新型显示技术的关键技术挑战。未来3~5 年内,Micro-LED 显示技术仍然会在材料、器件、集成等技术方面存在技术创新和重大突破的关键机会,该技术支撑着未来显示产业的发展,也是中国科技创新引领全球的一次重要科技革命。建议鼓励创新,营造良好的科技创新环境,通过产学研合作解决当前Micro-LED 新型显示技术的关键问题。同时发挥市场和社会资本的作用,引导产业遵循技术发展和商业发展规律。Micro-LED 显示产业尽管仍面临技术挑战,但增强现实等近眼显示设备的推出,可能彻底革新现有的显示产品形态,Micro-LED显示产业市场将可能迎来爆发式增长。

磁耦数字隔离器陶瓷封装技术研究

摘要:研究磁耦数字隔离器的陶瓷封装技术,分析了金丝球焊、硅铝丝楔焊经高温贮存后键合强度和键合失效模式的变化对可靠性的影响以及微变压器线圈压焊点的距离、腔体的压力、腔体里的气体种类对隔离电压的影响。研究结果表明,硅铝丝楔焊的可靠性更高;微变压器线圈压焊点的距离越大,腔体的压力越大,隔离电压越大;腔体内为电负性气体的隔离电压大于惰性气体。

中国先进半导体材料及辅助材料发展战略研究

摘要:目前,以SiC、GaN 为代表的第三代半导体材料快速发展,我国亟需抓住战略机遇期,实现先进半导体材料、辅助材料的自主可控,保障相关工业体系安全。本文在分析全球半导体材料及辅助材料研发与产业发展现状的基础上,寻找差距,结合我国现实情况,提出了构建半导体材料及辅助材料体系化发展、上下游协同发展和可持续发展的发展思路,制定了面向2025 年和2035 年的发展目标。为推动我国先进半导体材料及辅助材料产业发展,提出了建设集成电路关键材料及装备自主可控工程,SiC 和GaN 半导体材料、辅助材料、工艺及装备验证平台,先进半导体材料在第五代移动通信技术、能源互联网及新能源汽车领域的应用示范工程,并对如何开展三项工程进行了需求分析,设置了具体的工程目标和工程任务。最后,为推动半导体产业的创新发展,从坚持政策推动,企业和机构主导,整合国内优势资源;把握“超越摩尔”的历史机遇,布局下一代集成电路技术;构建创新链,进行创新生态建设等方面提出了对策建议。

新时期我国信息与电子领域工程科技发展研究

摘要:信息与电子领域作为国家高科技领域之一,已成为各国战略必争之要地。为更好推动我国信息与电子领域发展,本文通过文献分析及访谈调研等研究方法,梳理总结了我国信息与电子领域的发展优势及短板,分析研判了新形势下我国建设世界科技强国对信息与电子领域提出的关键要求,面向我国重大发展战略需求,研究提出了我国信息与电子领域发展战略构想,并从战略谋划、体系发展、双链融合、人才发展四个层面研究提出了推进我国信息与电子领域工程科技发展的对策建议,即实施系统性战略规划,强化信息与电子领域体系化布局发展;夯实基础、超前谋划,提升信息与电子领域底层支撑与前沿引领能力;聚焦网络强国、数字中国建设,加速推进产业链和创新链双链融合;重视信息与电子领域工程科技人才培养和基础研究人才队伍建设,以期助力我国信息与电子领域高质量发展。

碳材料复合金属氧化物在柔性超级电容器的研究进展

摘要:柔性超级电容器因电容量大、可快速充放电、长寿命等优点,在轻便、多功能可穿戴柔性电子产品中具有重要地位。其中,基于碳材料的超级电容器,在导电性、循环稳定性以及机械柔韧性等方面表现优异。然而,由于有限的比表面积,碳材料的双电层比电容提升空间非常有限。金属氧化物,因具有高的理论赝电容,是超级电容器另一类重要的电极材料;但是金属氧化物也面临着导电性差、循环不稳定等缺点。将金属氧化物与碳材料复合,通过充分利用二者各自的优势,来协同提高超级电容器的综合性能是近年来超级电容器研究的一个重要方向。本文综述了碳量子点、一维碳纳米管、石墨烯、三维生物碳等多种形式的碳材料与金属氧化物的复合,以及复合电极材料在柔性超级电容器上应用的最新进展。着重从材料的制备、复合方式到柔性超级电容器储能性能等角度来介绍不同形式的碳材料在复合金属氧化物上各自的特点和优势。最后,对碳基复合材料柔性超级电容器的发展前景进行展望。

光电功能晶体材料研究进展

摘要: 光电功能晶体, 包括激光晶体、非线性光学晶体、电光晶体、介电体超晶格、闪烁晶体和PMN-PT 驰豫电单晶等,在高技术发展中具有不可替代的重要作用。近年来, 我国在这些重要晶体材料的生长、基础研究和应用方面都获得了很大成绩。综述了光电功能晶体材料研究和应用的部分进展。在此基础上, 提出进一步发展晶体理论, 扩大理论的应用范围, 注重晶体生长基本理论研究, 发展新的晶体生长方法和技术, 加强晶体生长设备研制, 加强晶体从原料到加工、后处理、检测及镀膜等全过程的结合等建议, 以全面提高我国光电功能晶体研究发展及其产业化水平。

过渡金属纳米异质材料在超级电容器中的应用

摘要:超级电容器因其具有高功率密度、快速充放电性能、超长的循环寿命的优点被广泛应用。过渡金属磷化物(TMPs)和层状双金属氢氧化物(LDHs)作为电极材料,具有大比表面积和良好的电化学活性等优点,但TMPs的倍率性能和LDHs导电性较差。将TMPs和LDHs复合形成异质结构来实现二者的协同效应,从而能够提高电容器的功率密度和循环寿命。综述了TMPs、LDHs及其构建的异质结电极材料的制备方法,与其在超级电容器方面的应用,并展望了其今后的研究发展方向和未来的应用前景。