CVD金刚石膜应力的产生、抑制、应用及测量

摘要: 金刚石具有优异的性能, 在光学、电子器件热管理及宽禁带半导体领域有着广阔的应用前景, 被誉为终代半导体。作为光学窗口, 需要大尺寸、厚度2 mm 以上的CVD(Chemical Vapor Deposition, 化学气相沉积)金刚石自支撑厚膜; 在半导体散热中, 则需要4英寸(1英寸=2.54cm)以上、100μm厚的金刚石自支撑膜与GaN 等半导体材料进行键合。但由于技术限制, 大面积CVD金刚石膜的合成及应用依旧存在较大困难。一方面, 沉积过程中应力会导致金刚石膜发生破裂; 另一方面, 残余应力会导致金刚石膜发生翘曲, 键合质量变差。因此, 控制金刚石膜的应力成为目前金刚石膜规模化、大范围应用的一个关键问题。本文综述了CVD金刚石应力的分类、来源以及影响应力的各种因素, 详细介绍了抑制金刚石膜应力的措施。同时, 总结了通过人为施加应力来改善金刚石性能的研究, 包括应力改变金刚石带隙、应力提高金刚石热导率等。最后, 给出了评价金刚石应力大小的方法及理论计算公式, 并分析了未来金刚石膜应力研究的趋势。

大尺寸金刚石晶圆复制技术研究进展

摘要:半导体技术的发展离不开大尺寸晶圆的高效制备。在半导体领域,晶圆复制可以通过同质外延生长后进行切割或者基于异质衬底进行异质外延来实现,从而批量生产。金刚石作为新型超宽禁带半导体材料,在电真空器件、高频高功率固态电子器件方面具有良好的应用前景。而由于金刚石材料具有极高硬度,晶圆复制也面临诸多问题。传统的激光切割方法虽然可以实现对超硬特性金刚石进行加工,但其较高的加工损耗已经无法满足大尺寸晶圆的制备需求,呕需开发损耗小、效率高的金刚石晶圆复制技术。文章介绍了目前常见的半导体晶圆复制技术,总结了金刚石复制技术的研究进展及现阶段发展水平,并对未来大尺寸金刚石晶圆复制技术的发展方向进行了分析与展望。

基于神经网络的多朝向LED可见光定位

摘要:为改善基于传统定位算法的多朝向LED 可见光定位(MD-VLP)系统的定位性能,提出一种基于接收信号强度比率值(RSSR)的神经网络方法。此方法采用单个光电检测器(PD)接收来自同一位置的多个不同朝向的LED光强,继而将RSSR 代入人工神经网络模型来估计平面坐标。实验结果表明,所提方法在PD处于水平时平均定位误差为2.96 cm,在PD倾斜15°时平均定位误差为5.51 cm,其性能相比于基于RSSR的最小二乘法有显著提高。此外,为了验证所提方法的普适性,仿真分析了两种非朗伯辐射光源构成的多朝向LED集成灯具的定位性能,仿真结果显示,所提方法分别获得了3.70 cm和6.22 cm的平均定位误差,并支持PD适度倾斜。进一步地,设计了一款采用多朝向非朗伯辐射面状光源的VLP集成灯具,实验结果表明,所提方法在PD处于水平或适度倾斜状态时仍能有效工作。

基于有机半导体的感-存-算自旋器件研究

摘要:利用电子自旋属性进行信息存储、传输与处理, 是未来构建智能感知系统的全新途径. 在自旋电子学领域, 有机半导体材料凭借其极弱的自旋弛豫效应和超长的自旋寿命, 成为实现室温自旋信息应用的理想材料. 有机半导体独特的光电磁特性赋予自旋器件对外界刺激的高度敏感响应能力, 开发了系列功能性有机自旋器件, 为构建智能化的自旋感知系统提供了重要的研究基础. 本文综述了有机半导体材料在自旋输运、自旋界面以及光电磁特性方面的研究进展; 重点探讨了基于此类材料的自旋传感器件、存储器件及有望实现自旋运算的光控自旋态器件的最新成果, 并分析了当前研究中面临的挑战, 展望了面向智能信息系统的功能性有机自旋器件的未来发展方向.

磷酸银光催化剂:合成、改性及多功能应用综述

摘要:在光催化领域,磷酸银(Ag3PO4)作为一种备受瞩目的可见光驱动半导体光催化材料,因其适合的带隙特性与优异的量子效率使其能够在可见光照射下高效降解有机污染物、水分解产氢、展现出强效抗菌作用。当前,进一步提升其光吸收能力、优化载流子分离效率与改善光腐蚀问题是Ag3PO4基光催化剂的核心研究方向。依据Ag3PO4光催化剂的物理化学特性,详细分析了其光催化原理,揭示了光生载流子的动力学过程与复合抑制原理。通过对比沉淀法、胶体法、水热法、固相研磨法、化学氧化法等不同制备工艺,分析了其对形貌与性能的影响。针对现有材料存在的载流子迁移率低、光腐蚀等瓶颈问题提出了多维度改性策略,如形貌调控、离子掺杂、缺陷引入、构筑半导体异质结等,同时分析了各改性策略对Ag3PO4基光催化剂性能的影响机理。对Ag3PO4基光催化剂的应用领域进行总结,对其在环境治理、能源转换与杀菌消毒等领域的应用前景进行了展望。为该材料后续的深入研究与广泛应用提供关键参考与指引。

芯片化学机械抛光中磨料技术研究进展

摘要:芯片作为数字经济的基石,朝着集成化、低功耗化、智能化、功能化方向发展。化学机械抛光(Chemical mechanicalpolishing, CMP)是实现芯片表面超光滑、无缺陷的全局和局部平坦化制造的关键使能技术。抛光液中的磨料是化学和机械作用协同实施的“桥梁”,是CMP 实现多种材料高效率、原子级光滑制造的关键,成为抛光液研究的重要一环。人们致力于开发用于芯片制造的高性能磨料,并取得了长足的进步。首先介绍了磨料在CMP 材料去除中的作用机理和对抛光性能的影响,总结了典型磨料如SiO2、Al2O3、CeO2 和金刚石在芯片CMP 中的相关研究进展,重点介绍了不同种类磨料在CMP 中的应用和改性策略。此外,还讨论了新型磨料与能场辅助抛光技术的结合和纳米尺度下磨料的CMP 行为的研究新热点。同时对磨料在芯片CMP 中的应用进行了前瞻性展望,旨在为后续研究提供有力的理论支撑与指导方向。

面向神经电子接口器件的有机材料进展与展望

摘要:神经电子接口器件能够在生物体神经系统界面与数字世界之间创建直接连接, 实现信号的采集、操控与反馈,是实现神经系统与外界双向交互的桥梁. 有机分子具有多重弱相互作用, 是与生命体的分子结构和力学性质最相似的光电功能材料, 是用来构筑神经接口材料与器件的理想载体. 本文总结了面向神经电子接口器件的有机材料研究进展,汇总了有机材料在分子设计和聚集态结构调控方面的研究策略, 并展望了神经接口器件的有机材料发展方向.

MXene基材料的制备及其电磁波吸收应用进展

摘要:为了解决新型无线通信技术加剧的电磁污染问题,开发高效的电磁波(EMW)吸收材料至关重要。MXene作为一种典型的二维纳米材料,因其丰富的表面化学性质、大的比表面积、优异的电导率以及良好的机械性能等优势,被开发为高效的EMW吸收材料。然而,新型MXene的制备及其电磁波吸收机制的揭示有待进一步探索。本文首先对MXene材料的制备工艺进行了综述,重点探讨了传统的MXene制备方法,如HF刻蚀、HF原位刻蚀和熔盐刻蚀,展望了高质量MXene的制备和新型多元MXene 的制备前景。在电磁波吸收方面,重点关注MXene的形貌设计、缺陷工程(如掺杂、空位)以及异质结构(与磁性、介电以及聚合物材料复合)构建对EMW吸收性能的影响,从而提出MXene基EMW吸收材料的设计策略,并阐明MXene基材料的电磁波吸收机制,提出了MXene基材料多功能以及超宽频EMW吸收应用方面的展望。

金刚石半导体及功率肖特基二极管研究进展和挑战

摘要:金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。其产业化仍需解决几个关键技术问题:大尺寸单晶外延生长、高质量晶圆制备技术、高效可控的掺杂技术及先进终端结构。首先,介绍了拼接生长以及异质外延获得大尺寸单晶衬底的研究进展。进而,综述了大尺寸单晶金刚石位错、缺陷调控技术及其加工技术的研究进展。最后,从功率器件设计及制备角度总结了金刚石掺杂及终端结构设计面临的挑战并提出了潜在的解决方案。

混合颗粒吸热器的综合光学性能研究与优化

摘要:为降低高温吸热器太阳光反射和红外辐射散热损失,提高吸热温度和效率,设计并加工了一种石英玻璃切角拉西环颗粒。结合石英玻璃球和氮化硅球,通过分层堆叠,组建了R5B0、R4B1、R3B2、R2B3、R1B4、R0B5六种混合颗粒吸热器。采用颗粒尺度光线跟踪模型,结合实验测量验证,对混合颗粒吸热器的综合光学性能及其影响因素进行研究。结果表明,石英玻璃切角拉西环颗粒能显著降低聚集太阳光反射损失,而石英玻璃球能有效抑制红外辐射损失。R5B0的聚集太阳光反射损失较R0B5低10% 左右,而R0B5的红外发射率较R5B0低3.7%~9.7%(工作温度范围为800~2500 K)。在不同工作温度下,最高热效率对应的吸热器类型不同。在低温工作段,R5B0热效率最高,而在高温工作段(>2175 K),R0B5热效率最高。由于石英玻璃对太阳辐射吸收低,石英玻璃颗粒吸收的太阳能份额仅占3.0%~6.5%,对降低石英玻璃颗粒的工作温度、维持光学性能具有重要的现实意义。