应用于高密度多层光存储的聚合物基存储介质

摘要:飞秒微爆多层光存储是一种新型光存储技术,它通过在介质内部记录多层数据,成倍地扩充了光盘容量极限,有望解决传统光盘容量过低的问题。但由于飞秒微爆多层光存储信息记录过程受到多种材料因素的共同影响,导致长期缺乏介质材料选择的理论依据。文中选择误码率作为光存储性能的关键指标,测试对比了不同光学树脂的光存储性能。采用相关系数量化了材料的力学性质、热性质、光学性质、介电常数和高分子链结构与光存储性能之间的依赖关系,从而揭示出光学树脂的高分子链结构才是影响光存储性能的决定性影响因素。基于此发现,在聚甲基丙烯酸甲酯材料中实现了60层高密度多层光存储信息读写测试,容量密度达到1600 Gbits/cm3。

SiC基复合陶瓷力学性能和电磁性能及其一体化改性研究进展

摘要:碳化硅(SiC)作为一种介电性能优秀的电磁吸波材料,在通信、雷达、医疗等领域具有重要应用价值,尤其在国防领域对于隐身技术至关重要。SiC 虽然具有高稳定性、高强度、耐腐蚀、耐高温等优点,但也有着阻抗匹配不佳、吸波机制单一的缺点。随着科技的不断进步,对SiC 基陶瓷的性能提出了更高要求。本文综述了SiC 基陶瓷在电磁性能和力学性能改性方面的最新研究进展。特别关注了通过材料组分的精确调控、烧结工艺的优化、添加剂种类与比例的调整以及温度控制等手段,以提升SiC 基陶瓷的力学性能。本文从涂覆型和结构型陶瓷两个维度,详细介绍了SiC 基陶瓷电磁性能改性的方法,并深入探讨了合成纳米复合材料、添加多功能填料、纳米结构控制以及纳米粒子改性等策略在电磁性能和力学性能协同优化中的关键作用。这些策略不仅显著增强了材料的弯曲强度和断裂韧性,还通过电磁参数的优化,有效提高了电磁波的吸收和屏蔽效能,为电磁吸波材料在极端环境下的应用提供了新的可能性,为开发多功能一体化的SiC 基陶瓷材料提供了丰富的技术路线和应用前景。本综述旨在为SiC 基陶瓷在高性能电磁吸波材料领域的研究和应用提供坚实的理论基础和实践指导,以期推动相关材料技术的快速发展和广泛应用,有助于提升产业竞争力、国家安全和经济社会的可持续发展。

我国半导体硅片发展现状与展望

摘要:硅片是半导体关键的基础材料,我国半导体硅片对外依存度较高,增强硅片的自主保障能力,对提升我国半导体产业整体水平至关重要。本文重点围绕市场主流的8in、12in硅片,分析了全球半导体硅片的技术和产业发展现状,研判了全球半导体硅片产业未来的发展趋势,重点分析了我国半导体硅片的发展现状,指出我国半导体硅片在当前市场需求、宏观政策、配套能力、研发投入等利好因素下迎来难得的发展机遇,同时提出我国半导体硅片产业发展面临挑战,在此基础上,从进一步加强顶层设计和宏观规划、强化政策落实和政策持续性、协调支持产业链协同发展、布局研发集成电路先进制程用半导体硅片等方面提出对策建议,以期为推动我国半导体硅片向更高质量发展提供参考。

晶圆级Micro-LED芯片检测技术研究进展

摘要:随着微型氮化镓(GaN)发光二极管(LED)制造工艺的不断进步,Micro-LED 显示有望成为新一代显示技术并在近眼显示、大尺寸高清显示器件、柔性屏幕等领域大放异彩。在Micro-LED显示众多技术环节中,晶圆级Micro-LED芯片的检测是实现坏点拦截,提升显示屏良品率、降低整机制造成本的关键环节。针对大数量(百万数量级)、小尺寸(

集成电路互连微纳米尺度硅通孔技术进展

摘要:集成电路互连微纳米尺度硅通孔(TSV) 技术已成为推动芯片在“后摩尔时代”持续向高算力发展的关键。通过引入微纳米尺度高深宽比TSV 结构,2.5D/3D 集成技术得以实现更高密度、更高性能的三维互连。同时,采用纳米TSV 技术实现集成电路背面供电,可有效解决当前信号网络与供电网络之间布线资源冲突的瓶颈问题,提高供电效率和整体性能。随着材料工艺和设备技术的不断创新,微纳米尺度TSV 技术在一些领域取得了显著进展,为未来高性能、低功耗集成电路的发展提供了重要支持。综述了目前业界主流的微纳米尺度TSV 技术,并对其结构特点和关键技术进行了分析和总结,同时探讨了TSV技术的发展趋势及挑战。

摩擦纳米发电机输出性能提升策略的研究进展

摘要:摩擦纳米发电机(TENG) 是一类能将机械能转换为电能的电子设备,具有材料种类丰富、器件结构简单以及易于集成等特点,在蓝色能源收集、微/纳能源、自驱动传感等方面展示出广泛的应用前景。然而,如何提高TENG 的输出性能一直是科学界关注的焦点。基于此,本文在查阅大量文献的基础上,从TENG 的工作原理出发,分析了摩擦电材料、摩擦层结构和器件结构对TENG 输出性能的影响,并总结了提升TENG输出性能的有效策略,最后对TENG 今后的发展趋势进行了展望。

无线输能超表面技术研究进展

摘要:随着无线通信与人工智能技术的发展,小型移动设备的数量正在急剧增加,传统有线电力供应模式已不能满足人们对便携性和移动性的需求。射频与微波无线输能技术能够摆脱有线能源的限制,在无线设备中具有巨大的应用潜力。综述了超表面技术的关键热点,介绍了无线输能融合无线通信、无线传感、可重构智能超表面和目标识别与定位等技术的研究进展。超表面具备独特的电磁参量调控能力和二维紧凑可共形等优势,有望在射频与微波无线输能领域起到关键作用。无线输能超表面技术的关键热点主要包括无线电力传输、无线能量收集、同步无线信息与电力传输和可重构无线输能技术等。在无线输能系统中,超表面可以在发射端生成能量波束,在传输路径中增强耦合谐振,还可以在接收端提高交直流转换效率。

2025年电催化合成科技热点回眸

摘要:在全球绿色低碳转型的背景下,电催化合成技术利用可再生电能驱动化学反应,为温和条件下直接合成化学品提供了极具前景的路径。该技术通过精准调控电极电位来实现高选择性合成,兼具原子经济性与低碳排放优势,正成为连接可再生能源与未来智能制造的关键枢纽。基于“双碳”目标,综述了电催化合成领域的重要进展,在无机分子转化方面,聚焦CO2 还原的界面微环境工程与电解槽设计、氮还原新型催化剂与机制探索,以及高效稳定电解水制氢催化剂的开发;在有机电合成方面,涵盖了通过电位调控实现芳基卤化物精准合成、氨基酸绿色电合成,以及塑料废弃物与生物质分子升级回收等机制创新与工艺强化。电催化合成技术的协同发展为实现“双碳”目标提供了坚实支撑,并为后续电催化合成的研究方向提供相应参考。

大尺寸CsPbBr3晶体的熔体法生长研究进展

摘要:由于出色的高能射线解析能力和优秀的环境适应性,全无机卤化物CsPbBr3吸引了众多研究者的关注。然而由于结构相变和热应力的存在,大尺寸CsPbBr3晶体生长过程中容易产生应力,从而导致晶体表面出现裂纹、亚晶界或孪晶等缺陷,严重影响其性能。目前大尺寸高质量CsPbBr3晶体仍然无法通过有效的手段进行批量化生产,因此开展大尺寸CsPbBr3晶体的生长与性能研究具有重大理论意义和实际价值。本文简要综述了CsPbBr3晶体的基本性质、制备方法及研究进展,主要讨论了垂直布里奇曼法生长CsPbBr3晶体的影响因素,并对高质量CsPbBr3晶体的生长提出了新的思路。

高速光子晶体面发射激光器研究进展

摘要: 光子晶体面发射激光器(PCSEL)利用二维光子晶体光栅的布拉格共振实现面发射激光,具有其独特的优势,包括单模性能、在片测试、高功率、低发散角等。相比垂直腔面发射激光器(VCSEL),PCSEL有将近两倍的有源区光限制因子,展现出高速运行的潜力。本文探讨了PCSEL的基本结构和工作原理,并详细分析了影响PCSEL激光器实现高速性能的关键因素。随后,文章系统地介绍了近年来研究者们为实现PCSEL高速性能所做的努力,重点聚焦于通过增强PCSEL的面内限制来缩小激光腔,并提供了相关的研究方向和指导。