微波等离子体化学气相沉积法制备大尺寸单晶金刚石的研究进展

摘要： 金刚石作为一种超宽禁带半导体，是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而，高品质、大面积（大于2 英寸）单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解决的问题。介绍了目前受到广泛关注的微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）获得大尺寸金刚石单晶衬底的技术方案，即单颗金刚石生长、拼接生长以及异质外延生长。综述了大尺寸单晶金刚石外延生长及其在电子器件领域应用的研究进展。总结了大尺寸单晶金刚石制备过程中面临的挑战并提出了潜在的解决方案。

光电 2024年04月28日 0 点赞 0 评论 164 浏览

铋烯材料生长控制及光电子器件应用研究进展

摘要：石墨烯和其他二维材料凭借其自身独特的物理和化学性能，引起了科学和工程领域的广泛关注。探索新型二维材料体系并扩展其应用范围是研究人员的热点研究内容。其中，第五主族单元素二维烯(二维磷烯、二维砷烯、二维锑烯、二维铋烯) 具有较窄的且可调节的能带宽度、高的载流子迁移率、良好的透光性和优异的光电子学性能，成为二维材料及其在光电子应用领域的新的研究对象。鉴于此方面，从基本物理结构、材料的制备方法和在光电子方面的应用深入分析二维铋烯的相关理论以及实验研究的工作进展。在材料的可控制备方面，重点围绕二维铋烯的电化学剥离法展开相应论述。最后讨论了二维铋烯在光电子学应用领域的现状，包括在超快光电子学器件的应用，并且对二维铋烯未来的发展进行了展望。

光电 2024年01月22日 0 点赞 0 评论 91 浏览

石墨烯压力传感器在可穿戴电子器件中的研究进展

摘要：本文介绍了石墨烯材料的制备、石墨烯压力传感器的性能以及在可穿戴电子器件中的应用前景。总结了石墨烯材料的制备方法，阐述了石墨烯压力传感器在机械、导电性能、显示方面的优势。研究了在压力传感器的结构中加入石墨烯、石墨烯衍生物或石墨烯复合材料提高传感器性能的策略。介绍了石墨烯压力传感器在可穿戴电子器件中的应用，包括人体行为和健康检测、人机界面、电子皮肤以及可穿戴显示器方面的优秀性能和前景。

光电 2024年01月22日 0 点赞 0 评论 133 浏览

NaCl限域调控的电极材料及在超级电容器中的应用

摘要：NaCl作为一种典型的离子型化合物，溶解或熔融后能展示出较高的离子导电性, 在水、甘油等溶剂中溶解度较高，并且廉价易得. 凭借这些重要的物理化学特性, NaCl逐渐受到研究人员的青昧。主要综述了近年来NaCl在电极材料调控方面的研究进展，重点介绍了NaCl模板法及熔盐法制备电极材料新技术，详细分析了NaCl对电极材料结构、形貌的调控机制,及辅助冷冻干燥技术、溶胶凝胶技术、单一熔盐法、混合熔盐法相关技术策略的特点和优势。最后，分析了相关技术走向工业化应用所面临的挑战和困难，并对未来的发展进行了展望。

光电 2024年05月14日 0 点赞 0 评论 151 浏览

石墨烯基吸波材料的研究进展

摘要：电子信息技术的飞速发展，使电磁污染问题日益严重，开发具有“薄、轻、宽、强”性质的吸波材料显得尤为重要.石墨烯材料有着大比表面积、高电导、密度低和强介电损耗等优点，但也存在阻抗匹配性差、损耗机制单一等缺陷。对石墨烯的形貌和结构等进行设计，能够有效改善阻抗失配的问题。此外，将石墨烯材料与其他损耗材料复合构造多元协同损耗的复合材料；能够实现对电磁波的高效、宽频吸收。简要讨论了电磁吸波机理，综述了近年来石墨烯基吸波材料的研究现状，并对其未来研究方向进行展望。

光电 2024年05月15日 0 点赞 0 评论 81 浏览

电缆屏蔽材料的种类及应用

摘要：介绍了金属丝编织防波套、金属复合带、半导电高分子材料、电化学镀屏蔽膜和导电涂料等电缆屏蔽材料的组成、结构、制造工艺、特点、应用及发展现状，有助于电缆制造厂商和用户根据实际工作条件，合理选择屏蔽材料及制造方法。

光电 2024年04月01日 0 点赞 0 评论 86 浏览

LTCC 高精密封装基板工艺技术研究

摘 要：将激光修调、化学镀、光刻等技术与常规低温共烧陶瓷 （Low Temperature Co-Fired Ceramic,LTCC） 基板工艺技术相结合，对 LTCC 高精密封装基板的制作工艺进行开发和优化，并利用 9K7 材料进行了基板试制。

光电 2024年01月08日 0 点赞 0 评论 75 浏览

超级电容器及其电极材料纳米三氧化钼的研究进展

摘 要：介绍了超级电容器的工作原理和应用现状，对其三大系列电极材料———炭材料、金属氧化物、导电聚合物的研究进展进行综述，并重点分析了纳米三氧化钼作为超级电容器电极材料的应用前景。　　关键词：超级电容器；电极材料；纳米三氧化钼；工作原理；应用现状

光电 2024年01月08日 0 点赞 0 评论 73 浏览

硅含量对硅铝合金电子封装材料性能的影响

摘 要：以热等静压方法成形的 AlSi12、AlSi27、AlSi35、AlSi42、AlSi50、AlSi60、AlSi70、AlSi80系列的硅铝合金电子封装材料为研究对象，对 Si 含量对材料的金相组织、热物理性能、力学性能等的影响进行分析评估。

光电 2024年01月08日 0 点赞 0 评论 127 浏览

基于硅外延片用石墨基座的温度均匀性研究

摘 要：通过对电磁感应加热的硅外延化学气相沉积反应腔室建立理论分析模型，结合工程实验对比，研究了不同石墨材料和不同基座结构对基座表面温度均匀性的影响。结果显示，在工程中，选择合适的石墨材料、设计合适的基座结构对硅外延片电阻率均匀性有着很大的影响，但在提升产品质量的同时也要平衡经济效益。

光电 2024年01月08日 0 点赞 0 评论 94 浏览