二维自旋电子学的研究进展

姜勇1，2，刘浩1，邢中华1，王田1，李欣泽1，刘鹏飞1，张德林1，2( 1．天津工业大学电子与信息工程学院；2．天津工业大学材料科学与工程学院)

摘要：二维自旋电子学器件因其表面无悬挂键的特性，可堆叠或生长形成具有超高质量界面与高自旋注入效率的范德华异质结，有望突破传统自旋电子学器件中晶格匹配与兼容性的限制，进而实现自旋电子学的重大物理和技术突破。系统归纳了制备二维材料的多种方法，并以二维铁磁材料Fe3GeTe2、Fe3GaTe2和二维拓扑半金属WTe2等为例，重点阐述了二维铁磁异质结的最新研究动态。最后，对二维自旋电子学器件的发展进行了总结与展望。

关键词：二维自旋电子学；二维材料制备；二维铁磁异质结；二维自旋轨道矩；二维隧穿磁电阻效应